從我多年的從業經驗來看，如下圖所示的電路：IGBT驅動晶片MC33153容易可以從以下兩個薄弱點進行排查：

1. MC33153的8腳用於檢測IGBT的導通和截止狀態，並結合IGBT的驅動訊號進行故障判斷。

當驅動訊號為高時，IGBT導通，DS極之間的電壓非常低，此時二極體D1導通，8腳輸入比較低的電壓，MC33153正常，透過內部的比較器和邏輯電路，在7腳輸出低電平，表示沒有故障，此時，如果IGBT過流過大，VDS=IDS*RDS(on)，D1可能截止，8腳會檢測到相對高的電壓，7腳會輸出高電平，表示發生故障，如果IGBT損壞開路，也可以檢測到故障。一旦檢測到故障，IGBT的驅動訊號可以迅速被切斷，從而起到保護IGBT和驅動晶片的目的。

一樣的，當驅動訊號為低時，如果8腳檢測到低電平，則表示IGBT短路，MC33153可判為故障，迅速關斷保護IGBT和驅動晶片。

D1二極體的反向耐壓和開關速度非常關鍵，反向耐壓不夠，可能會被擊穿損壞。

D1的開關速度需要根據IGBT的開關頻率選擇，開關速度不夠,MC33153無法快速檢測到故障進行保護，甚至可能無法檢測到故障，進而可能損壞MC33163，應該選擇快恢復二極體。

2. 當流經IGBT的DS極的電流特別大，或者是電流變化特別大，也就是di/dt特別大時。由於GD極之間寄生電容的存在，在IGBT開啟的斷開的瞬間，可能會在GS極之間耦合出非常高的電壓，這個高電壓串入MC33153，損壞MC33153.

因此，應該在IGBT的G極和S極之間並一個穩壓二極體，用來鉗位耦合到GS極之間的高壓。