當一塊半導體薄片置於磁場中有 電流流過時，電子將受到 洛倫茲力的作用而發生偏轉，在半導體薄片的另外兩端將產生霍爾電動勢。
由霍爾效應的原理知，霍爾電勢的大小取決於：
Rh為霍爾常數，它與半導體材質有關；IC為霍爾元件的偏置電流；B為磁場強度；d為半導體材料的厚度。
對於一個給定的霍爾器件，Vh將完全取決於被測的磁場強度B。
一個霍爾元件一般有四個引出端子，其中兩根是霍爾元件的偏置電流IC的輸入端，另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構成外迴路，就會產生霍爾電流。一般地說，偏置電流的設定通常由外部的基準電壓源給出；若精度要求高，則基準電壓源均用恆流源取代。為了達到高的靈敏度，有的霍爾元件的感測面上裝有高導磁係數的坡莫合金；這類感測器的霍爾電勢較大，但在0.05T左右出現飽和，僅適用在低量限、小量程下使用。
近年來，由於半導體技術的飛速發展，出現了各種型別的新型整合霍爾元件。這類元件可以分為兩大類，一類是線性元件，另一類是開關類元件。
2線性霍爾元件的原理及應用
UGN350lT是一種目前較常用的三端型線性霍爾元件。它由穩壓器、霍爾發生器和放大器組成。用UGN350lT可以十分方便地組成一臺高斯計。其使用十分簡單，先使B=0，記下表的示值VOH，再將探頭端面貼在被測物件上，記下新的示值VOH1。
ΔVOH=VOH1-VOH
如果ΔVOH>0，說明探頭端面測得的是N極；反之為S極。UGN3501T的靈敏度為7V/T，由此即可測出相應的被測磁感應強度B。
如果採用數字電壓表(DVM)，可得圖1所示的線性高斯計。運放採用高精度運放CA3130。該電路的具體調零方式為：開啟電源後，令B=0，調節W1使DVM的示值為零，然後用一塊標準的釹鋁硼磁鋼(B=0.1T)貼在探頭端面上，調節W2使DVM的示值為1V即可。本高斯計檢測時示值如果為-200mV，則探頭端面檢測的是S極，磁場強度為0．02T。本高斯計也可用來測量交變的磁場，不過DVM應改為交流電壓表。顯然使用圖1的電路可以很方便地擴充套件普通數字萬用表的功能。
當一塊半導體薄片置於磁場中有 電流流過時，電子將受到 洛倫茲力的作用而發生偏轉，在半導體薄片的另外兩端將產生霍爾電動勢。
由霍爾效應的原理知，霍爾電勢的大小取決於：
Rh為霍爾常數，它與半導體材質有關；IC為霍爾元件的偏置電流；B為磁場強度；d為半導體材料的厚度。
對於一個給定的霍爾器件，Vh將完全取決於被測的磁場強度B。
一個霍爾元件一般有四個引出端子，其中兩根是霍爾元件的偏置電流IC的輸入端，另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構成外迴路，就會產生霍爾電流。一般地說，偏置電流的設定通常由外部的基準電壓源給出；若精度要求高，則基準電壓源均用恆流源取代。為了達到高的靈敏度，有的霍爾元件的感測面上裝有高導磁係數的坡莫合金；這類感測器的霍爾電勢較大，但在0.05T左右出現飽和，僅適用在低量限、小量程下使用。
近年來，由於半導體技術的飛速發展，出現了各種型別的新型整合霍爾元件。這類元件可以分為兩大類，一類是線性元件，另一類是開關類元件。
2線性霍爾元件的原理及應用
UGN350lT是一種目前較常用的三端型線性霍爾元件。它由穩壓器、霍爾發生器和放大器組成。用UGN350lT可以十分方便地組成一臺高斯計。其使用十分簡單，先使B=0，記下表的示值VOH，再將探頭端面貼在被測物件上，記下新的示值VOH1。
ΔVOH=VOH1-VOH
如果ΔVOH>0，說明探頭端面測得的是N極；反之為S極。UGN3501T的靈敏度為7V/T，由此即可測出相應的被測磁感應強度B。
如果採用數字電壓表(DVM)，可得圖1所示的線性高斯計。運放採用高精度運放CA3130。該電路的具體調零方式為：開啟電源後，令B=0，調節W1使DVM的示值為零，然後用一塊標準的釹鋁硼磁鋼(B=0.1T)貼在探頭端面上，調節W2使DVM的示值為1V即可。本高斯計檢測時示值如果為-200mV，則探頭端面檢測的是S極，磁場強度為0．02T。本高斯計也可用來測量交變的磁場，不過DVM應改為交流電壓表。顯然使用圖1的電路可以很方便地擴充套件普通數字萬用表的功能。