為提高壓力測試上限，必須換用陶瓷、玻璃類絕緣材料，並且不能引入粘接劑。因此薄膜化工藝是唯一可行的技術方案。Bosca等人用真空蒸發法在二氧化矽基底上沉積出0.6μm厚的錳銅膜，並在0～5GPa壓力範圍內進行了標定，結果發現錳銅膜的成分與原材料成分偏差較大,壓阻係數具有很大的離散性。
Silva和Sayles用沉積錳銅薄膜的方法測量了高速轉動的齒輪齧合時的應力。他們先用射頻濺射法在輪齒上沉積一薄層Al2O3,再用閃蒸法沉積一薄層錳銅膜，最後再覆蓋上0.4μm厚的Al2O3層，估計整個感測器的厚度不會超過2μm.齒輪轉速為2400r/min，最大應力1.2GPa。由於採用閃蒸法沉積錳銅薄膜，保證了薄膜成分的準確性，因此得到了線性較好的壓阻係數。但與箔式錳銅感測器相比，薄膜式錳銅感測器的壓阻係數小了一半。
施尚春等人最初的結果也是這樣。他們用磁控濺射的方法在雲母基底上濺射1～2μm厚的錳銅膜，接著濺射幾百奈米的絕緣膜，最後用雲母片和絕緣膠封裝，並進行了5～56GPa下的衝擊標定。對於壓阻係數小的原因，他們認為是由於薄膜結構疏鬆，缺陷較多導致電阻率中不隨壓力變化的分量很大。本試驗室對他們沉積的錳銅膜進行了真空熱處理。發現熱處理可大大提高壓阻係數,並且較高的熱處理溫度(400℃)比稍低的熱處理溫度(300℃)效果更加明顯。
熱處理後的感測器進行了直到約80GPa以下的標定實驗，所得標定曲線為:P(GPa)=39.70(ΔR/R0)+8.01(ΔR/R0)3。顯然，隨著壓力的增高，該曲線的非線性越來越強。因此在10～80GPa範圍內，根據該曲線經我們重新計算的壓阻係數僅為0.0166GPa-1；但若在10～40GPa範圍內重新計算，壓阻係數達0.0208GPa-1，已接近箔式錳銅感測器的水平。
薄膜式錳銅感測器以微晶玻璃或陶瓷作為基板材料，利用磁控濺射技術沉積約2μm厚的錳銅膜，然後將PTFE薄膜封裝在錳銅膜上。
錳銅在“在位”式安裝方式下,當感測器的基板背對沖擊波入射方向,即採取所謂“反扣”方式時,響應快(32ns)。否則,響應慢(50～90ns)。並且,在“反扣”方式下,響應時間與PTFE薄膜的厚度成正比,而與基板的厚度無關。
為提高壓力測試上限，必須換用陶瓷、玻璃類絕緣材料，並且不能引入粘接劑。因此薄膜化工藝是唯一可行的技術方案。Bosca等人用真空蒸發法在二氧化矽基底上沉積出0.6μm厚的錳銅膜，並在0～5GPa壓力範圍內進行了標定，結果發現錳銅膜的成分與原材料成分偏差較大,壓阻係數具有很大的離散性。
Silva和Sayles用沉積錳銅薄膜的方法測量了高速轉動的齒輪齧合時的應力。他們先用射頻濺射法在輪齒上沉積一薄層Al2O3,再用閃蒸法沉積一薄層錳銅膜，最後再覆蓋上0.4μm厚的Al2O3層，估計整個感測器的厚度不會超過2μm.齒輪轉速為2400r/min，最大應力1.2GPa。由於採用閃蒸法沉積錳銅薄膜，保證了薄膜成分的準確性，因此得到了線性較好的壓阻係數。但與箔式錳銅感測器相比，薄膜式錳銅感測器的壓阻係數小了一半。
施尚春等人最初的結果也是這樣。他們用磁控濺射的方法在雲母基底上濺射1～2μm厚的錳銅膜，接著濺射幾百奈米的絕緣膜，最後用雲母片和絕緣膠封裝，並進行了5～56GPa下的衝擊標定。對於壓阻係數小的原因，他們認為是由於薄膜結構疏鬆，缺陷較多導致電阻率中不隨壓力變化的分量很大。本試驗室對他們沉積的錳銅膜進行了真空熱處理。發現熱處理可大大提高壓阻係數,並且較高的熱處理溫度(400℃)比稍低的熱處理溫度(300℃)效果更加明顯。
熱處理後的感測器進行了直到約80GPa以下的標定實驗，所得標定曲線為:P(GPa)=39.70(ΔR/R0)+8.01(ΔR/R0)3。顯然，隨著壓力的增高，該曲線的非線性越來越強。因此在10～80GPa範圍內，根據該曲線經我們重新計算的壓阻係數僅為0.0166GPa-1；但若在10～40GPa範圍內重新計算，壓阻係數達0.0208GPa-1，已接近箔式錳銅感測器的水平。
薄膜式錳銅感測器以微晶玻璃或陶瓷作為基板材料，利用磁控濺射技術沉積約2μm厚的錳銅膜，然後將PTFE薄膜封裝在錳銅膜上。
錳銅在“在位”式安裝方式下,當感測器的基板背對沖擊波入射方向,即採取所謂“反扣”方式時,響應快(32ns)。否則,響應慢(50～90ns)。並且,在“反扣”方式下,響應時間與PTFE薄膜的厚度成正比,而與基板的厚度無關。