回覆：MOSFET主要引數包括BVDSS，RDS(on)，Crss，Coss以及VGS(th)；同步BUCK變換器的下管、半橋和全橋電路，以及有些隔離變換器副邊同步整流管還要考慮內部二極體反向恢復等引數，要結合具體的應用。下面波形為感性負載功率MOSFET開通的過程。
VGS(th)和VGP在功率MOSFET的資料表中可以查到，有些資料表中沒有標出VGP，可以透過計算得到平臺的電壓值。產生開通損耗的時間段為t1-t2、t2-t3，t0-t1時間段不產生開通損耗但是會產生延時。
在負載開關的應用中，要保證在t3時間後，輸出電容充電基本完成，就是電容的電壓基本等於輸入電壓，在這個過程中，MOSFEGT工作線上性區，控制平臺的電壓VGP，就相當於控制了最大的浪湧電流，浪湧電流就不會對系統產生影響。因此導通時間要多長，由輸出的電容和負載的大小決定。
具體的計算步驟是：設定最大的浪湧電流Ipk，最大的輸出電容Co和上電過程中輸出負載Io。如果是輸出電壓穩定後，輸出才加負載，則取：Io=0。由下式可以算出輸出電容充電時間：
負載開關的應用通常在D、G極並聯外部電容，因此t2-t3時間遠大於t1-t2，t1-t2可以忽略，因此可以得到：t=t2-t3，由公式可以求出D和G極並聯的外部電容值。然後由上面的值對電路進行實際的測試，以滿足設計的要求。
負載開關的穩態功耗並不大，但是瞬態的功耗很大，特別是長時間工作線上性區會產生熱失效問題。因此PCB的設計，特別是貼片的MOSFET，要注意充分敷設銅皮進行散熱。在MOSFET的資料表中，熱阻的測量是元件裝在1平方英2OZ銅皮的電路板上。Drain的銅皮鋪在整個1平方英寸2OZ銅皮的電路板。實際應用中，Drain的銅皮不可能用1平方英2OZ銅皮的電路板，只有儘可能的用大的銅皮來保證熱效能。具體的降額值可能值可以參見下圖。如果是多面板，最好D和S極對應銅皮位置的每個層都敷設銅皮，用多個過孔連線，孔的尺寸約為0.3mm。
SO8標準熱阻：RθJA=90C/W，RθJC=12C/W。 SO8銅皮封裝熱阻：RθJA=50C/W，RθJC=2.5C/W。
回覆：MOSFET主要引數包括BVDSS，RDS(on)，Crss，Coss以及VGS(th)；同步BUCK變換器的下管、半橋和全橋電路，以及有些隔離變換器副邊同步整流管還要考慮內部二極體反向恢復等引數，要結合具體的應用。下面波形為感性負載功率MOSFET開通的過程。
VGS(th)和VGP在功率MOSFET的資料表中可以查到，有些資料表中沒有標出VGP，可以透過計算得到平臺的電壓值。產生開通損耗的時間段為t1-t2、t2-t3，t0-t1時間段不產生開通損耗但是會產生延時。
在負載開關的應用中，要保證在t3時間後，輸出電容充電基本完成，就是電容的電壓基本等於輸入電壓，在這個過程中，MOSFEGT工作線上性區，控制平臺的電壓VGP，就相當於控制了最大的浪湧電流，浪湧電流就不會對系統產生影響。因此導通時間要多長，由輸出的電容和負載的大小決定。
具體的計算步驟是：設定最大的浪湧電流Ipk，最大的輸出電容Co和上電過程中輸出負載Io。如果是輸出電壓穩定後，輸出才加負載，則取：Io=0。由下式可以算出輸出電容充電時間：
負載開關的應用通常在D、G極並聯外部電容，因此t2-t3時間遠大於t1-t2，t1-t2可以忽略，因此可以得到：t=t2-t3，由公式可以求出D和G極並聯的外部電容值。然後由上面的值對電路進行實際的測試，以滿足設計的要求。
負載開關的穩態功耗並不大，但是瞬態的功耗很大，特別是長時間工作線上性區會產生熱失效問題。因此PCB的設計，特別是貼片的MOSFET，要注意充分敷設銅皮進行散熱。在MOSFET的資料表中，熱阻的測量是元件裝在1平方英2OZ銅皮的電路板上。Drain的銅皮鋪在整個1平方英寸2OZ銅皮的電路板。實際應用中，Drain的銅皮不可能用1平方英2OZ銅皮的電路板，只有儘可能的用大的銅皮來保證熱效能。具體的降額值可能值可以參見下圖。如果是多面板，最好D和S極對應銅皮位置的每個層都敷設銅皮，用多個過孔連線，孔的尺寸約為0.3mm。
SO8標準熱阻：RθJA=90C/W，RθJC=12C/W。 SO8銅皮封裝熱阻：RθJA=50C/W，RθJC=2.5C/W。