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  • 1 # nyfzs6690

    插槽是不一樣,DDR3比DDR2頻率高,速度快,容量大,效能高。DDR3記憶體相對於DDR2記憶體,其實只是規格上的提高,並沒有真正的全面換代的新架構。DDR3接觸針腳數目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量記憶體的支援較好,而大容量記憶體的分水嶺是4GB這個容量,4GB是32位作業系統的執行上限,當市場需求超過4GB的時候,64位CPU與作業系統就是唯一的解決方案,此時也就是DDR3記憶體的普及時期。既支援DDR2還支援DDR3主機板,其中2個是DDR2的插槽,2個是DDR3的插槽,但是不能同時使用2種類型的,只能選擇1種。擴充套件資料:記憶體改進DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計,目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個,另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。封裝封裝(Packages)DDR3由於新增了一些功能,所以在引腳方面會有所增加,8bit晶片採用78球FBGA封裝,16bit晶片採用96球FBGA封裝,而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝,不能含有任何有害物質。突發長度突發長度(BL,Burst Length)由於DDR3的預取為8bit,所以突發傳輸週期(BL,Burst Length)也固定為8,而對於DDR2和早期的DDR架構的系統,BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸,屆時可透過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是,任何突發中斷操作都將在DDR3記憶體中予以禁止,且不予支援,取而代之的是更靈活的突發傳輸控制(如4bit順序突發)。定址時序定址時序(Timing)就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣,DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間,而DDR3則在5至11之間,且附加延遲(AL)的設計也有所變化。降低功耗DDR3記憶體在達到高頻寬的同時,其功耗反而可以降低,其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V,相關資料預測DDR3將比現時DDR2節省30%的功耗,當然發熱量我們也不需要擔心。就頻寬和功耗之間作個平衡,對比現有的DDR2-800產品,DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X,不但記憶體頻寬大幅提升,功耗表現也比上代更好。

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