1.可控矽是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN接面，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發訊號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電 極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽 使飽和導通。
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極G的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。
由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化
2,觸發導通
在控制極G上加入正向電壓時（見圖5）因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在可控矽的內部正反饋作用（見圖2）的基礎上，加上IGT的作用，使可控矽提前導通，導致圖3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
1.可控矽是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN接面，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。
當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發訊號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電 極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽 使飽和導通。
由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極G的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。
由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化
2,觸發導通
在控制極G上加入正向電壓時（見圖5）因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在可控矽的內部正反饋作用（見圖2）的基礎上，加上IGT的作用，使可控矽提前導通，導致圖3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。