1.可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由一個pnp管和一個npn管所組成。 當陽極a加上正向電壓時，bg1和bg2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極g輸入一個正向觸發訊號，bg2便有基流ib2流過，經bg2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為bg2的集電極直接與bg1的基極相連，所以ib1=ic。 2。此時，電流ic2再經bg1放大，於是bg1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到bg2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。 由於bg1和bg2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極g的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。 由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，條件如下： a、從關斷到導通1、陽極電位高於是陰極電位，2、控制極有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。 b、維持導通1、陽極電位高於陰極電位，2、陽極電流大於維持電流，兩者缺一不可。 c、從導通到關斷1、陽極電位低於陰極電位，2、陽極電流小於維持電流，任一條件即可。 觸發導通 在控制極g上加入正向電壓時因j3正偏，p2區的空穴時入n2區，n2區的電子進入p2區，形成觸發電流igt。在可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上igt的作用，使可控矽提前導通，導致伏安特性oa段左移，igt越大，特性左移越快。