場效電晶體是一種單極型（內部的載流子只有一種，電子或空穴）的半導體器件，其可以分為結型場效電晶體和MOS場效電晶體兩種，每種場效電晶體按導電溝道的型別，又可以分為N溝道場效電晶體和P溝道場效電晶體。▲ 增強型MOS場效電晶體的電路符號。
MOS場效電晶體的漢語名為金屬－氧化物－半導體場效電晶體，由於這個名字太長了，在電子技術中經常用MOSFET表示。MOS場效電晶體是場效電晶體中的一種，這種管子根據柵源電壓為0V時，漏極電流的有無，又分為耗盡型場效電晶體和增強型場效電晶體兩種。耗盡型場效電晶體在柵源電壓為0V時，漏極電流最大，而增強型場效電晶體在柵源電壓為0V時，漏極電流為0。上圖為增強型P溝道和N溝道MOS場效電晶體的電路符號。耗盡型場效電晶體的電路符號如下圖所示。▲ 耗盡型MOS場效電晶體的電路符號。
透過比較耗盡型場效電晶體和增強型場效電晶體的電路符號，我們可以發現，耗盡型場效電晶體漏源兩極之間是用一豎線表示，說明這類場效電晶體在柵源電壓為0V時，管子就有導電溝道，而增強型場效電晶體的漏源兩極是不相連的，說明這類管子只有加上柵源電壓時，管子才有導電溝道。
現在常用的各種MOS場效電晶體，幾乎都是增強型的場效電晶體（譬如，IRF3205、AO3401、2N7000），而耗盡型MOS場效電晶體型號很少，只有2SK、2SJ系列場效電晶體中有少部分是這種耗盡型場效電晶體。▲ 結型場效電晶體的電路符號。
上圖所示為P溝道結型場效電晶體和N溝道結型場效電晶體的電路符號。從它們的電路符號可以看出這種管子的導電溝道與上述的耗盡型MOS場效電晶體的符號一樣，它也是一種耗盡型場效電晶體。由於結型場效電晶體的功率及噪聲係數較小，故結型場效電晶體一般用於音訊放大電路中，作為前置放大管使用。此外，這種管子還可以用於駐極體話筒、熱釋電感測器的內部作為阻抗變換。
場效電晶體是一種單極型（內部的載流子只有一種，電子或空穴）的半導體器件，其可以分為結型場效電晶體和MOS場效電晶體兩種，每種場效電晶體按導電溝道的型別，又可以分為N溝道場效電晶體和P溝道場效電晶體。▲ 增強型MOS場效電晶體的電路符號。
MOS場效電晶體的漢語名為金屬－氧化物－半導體場效電晶體，由於這個名字太長了，在電子技術中經常用MOSFET表示。MOS場效電晶體是場效電晶體中的一種，這種管子根據柵源電壓為0V時，漏極電流的有無，又分為耗盡型場效電晶體和增強型場效電晶體兩種。耗盡型場效電晶體在柵源電壓為0V時，漏極電流最大，而增強型場效電晶體在柵源電壓為0V時，漏極電流為0。上圖為增強型P溝道和N溝道MOS場效電晶體的電路符號。耗盡型場效電晶體的電路符號如下圖所示。▲ 耗盡型MOS場效電晶體的電路符號。
透過比較耗盡型場效電晶體和增強型場效電晶體的電路符號，我們可以發現，耗盡型場效電晶體漏源兩極之間是用一豎線表示，說明這類場效電晶體在柵源電壓為0V時，管子就有導電溝道，而增強型場效電晶體的漏源兩極是不相連的，說明這類管子只有加上柵源電壓時，管子才有導電溝道。
現在常用的各種MOS場效電晶體，幾乎都是增強型的場效電晶體（譬如，IRF3205、AO3401、2N7000），而耗盡型MOS場效電晶體型號很少，只有2SK、2SJ系列場效電晶體中有少部分是這種耗盡型場效電晶體。▲ 結型場效電晶體的電路符號。
上圖所示為P溝道結型場效電晶體和N溝道結型場效電晶體的電路符號。從它們的電路符號可以看出這種管子的導電溝道與上述的耗盡型MOS場效電晶體的符號一樣，它也是一種耗盡型場效電晶體。由於結型場效電晶體的功率及噪聲係數較小，故結型場效電晶體一般用於音訊放大電路中，作為前置放大管使用。此外，這種管子還可以用於駐極體話筒、熱釋電感測器的內部作為阻抗變換。