LNK625DG引腳功能反饋（FB）引腳： 在正常操作下，功率MOSFET的開關由此引腳控制。該引腳可以檢測偏置繞組上的AC電壓。這個控制引腳可以根據偏置繞組的反激電壓來調節恆壓模式下的輸出電壓以及恆流模式下的輸出電流。內部電感校正電路使用偏置繞組上的正向電壓來檢測大容量電容的電壓。 源極（S）引腳： 該引腳內部連線到MOSFET的源極，用於高壓功率的返回節點及控制電路的參考點。 漏極(D)引腳： 功率MOSFET的漏極連線點。在開啟及穩態工作時提供內部操作電流。旁路／多功能可程式設計（BP/M）引腳,這一引腳有多項功能： 1.一個外部旁路電容連線到這個引腳，用於生成內部6V的供電電源。 2.對於LNK61X系列，可以選擇此模式進行電纜壓降補償。 LNK625DG變壓器資料磁芯抵消繞組第一層是磁芯抵消繞組(WD1)。從PIXls獲得初級繞組圈數NP[D71]，然後除以層數L[E36]，得出圈數。將得出的圈數再除以2(NSHEILD=1/2*(NP/L))。將得出一個起始值，可能需要對該值進行調整，以降低傳導EMI干擾。請注意，遮蔽繞組的起始點（黑點）位於從初級繞組起始的骨架的另一側。遮蔽繞組的末端是浮動的。選擇與骨架寬度完全吻合的線規。初級繞組第二個繞組(WD2)是初級側。從PIXls中分別找到繞組圈數NP[D71]、層數L[E36]以及線規AWG[D82]。如圖17所示，初級側的起始處位於從遮蔽層起始的骨架的另一側。偏置繞組（可選）偏置繞組是第三層繞組(WD3)。該繞組沿骨架的繞線寬度均勻地分佈在繞線區域。由於該繞組不提供遮蔽，因此無需對無氣隙的層進行填充。單元格[D56]中是計算出的圈數NB。反饋繞組反饋繞組是骨架上的第四層繞組(WD4)。從PIXls找到圈數NFB[D44]。要降低傳導EMI干擾，此繞組必須完全覆蓋骨架寬度。多股繞組通常用於完全覆蓋骨架寬度。次級繞組次級繞組從第5層開始。主輸出（較高輸出功率）應放在這一層。這一層應覆蓋骨架寬度。