快閃記憶體技術目前已然成為各大儲存廠商的必爭之地。據悉，業內知名企業東芝與西部資料的合資快閃記憶體代工廠已經開始製造96層3D NAND晶片，而兩家合作伙伴正在此基礎上積極生產四級單元（簡稱QLC）產品。其中仍在使用TLC的東芝公司釋出一款三級單元的1TB SSD，而率先邁入QLC時代的西部資料則擁有一款四級單元的1.33Tb晶片。
東芝公司的XG6為一款單面M.2（22 x 80毫米）外形尺寸的產品，其屬於XG5 M.2驅動器的換代方案。這款驅動器採用64層3D NAND晶片，容量選項分別為256 GB、512 GB以及1 TB。前後兩代產品皆配備有一個NVMe介面。儘管採用其512 Gb晶圓的96層TLC晶片在單位容量方面較64層方案提升了40%，但XG6驅動器的容量水平卻仍與XG5保持一致。
與XG5相比，XG6的另一個奇怪之處在於其效能表現。隨機讀取IOPS高達14萬4千次，隨機寫入IOPS則高達11萬9250次——這屬於典型的隨機讀取速度高於寫入速度的模式。而XG6的引數分別為隨機寫入IOPS為35萬5千次，隨機讀取IOPS為36萬5千次。
XG5的連續讀取與連續寫入傳輸頻寬分別為每秒3 GB與每秒2.1 GB，XG6則分別為每秒3.18 GB與每秒2.96 GB——這又重新迴歸了讀取快於寫入的典型模式。
XG6提供五年質保與150萬小時平均故障前執行時長。具體使用壽命資訊目前尚不明確。東芝公司正在向OEM廠商提供樣品，這款驅動器將主要用於PC/移動端、嵌入式裝置以及資料中心場景。
東芝公司表示，其正在開發一款QLC（四級單元）晶片，這將把現有TLC晶片的容量進一步提升三分之一。
西部資料與東芝的QLC晶片
西部資料公司目前擁有一款採用同一晶圓廠出產晶片的1.33 Tb QLC晶片，其表示這是目前業界記憶體在的儲存容量最高的單一3D NAND晶片。
這款晶片現已開始提供樣品，並計劃於今年年底之前批量出貨以用於SanDisk品牌的消費級產品。西部資料方面表示，預計這些晶片將出現在零售、移動、嵌入、客戶以及企業級產品線當中。SanDisk Ultra目前提供的最高容量水平為2 TB，我們預計新晶片的推出可能將其容量提升至3TB。
作為東芝儲存器集團下轄的子公司，東芝美國有限公司亦擁有一套96層QLC晶片的原型設計方案。該公司表示其單晶片容量為1.33 Tb，與西部資料保持一致。東芝方面將這些晶片每16個一組堆疊在同一封裝之內，從而生產容量達2.66 TB的“超級晶片”。
相關樣品將於今年9月向SSD及控制器供應商交付，全面量產時間預計為2019年。
三星、美光與英特爾
本月早些時候，三星公司表示其正在生產90層以上3D NAND晶片，並著手開發QLC方案。美光公司剛剛進入96層領域，目前擁有2.5英寸ION 5210 QLC SSD，其採用64層技術且容量為7.68 TB。我們預計未來推出的96層版本可能將容量提升至10 TB水平。
英特爾公司釋出推文表示，其目前正在生產資料中心級QLC SSD，且目標是開發出容量達20 TB的2.5英寸SSD。更多細節預計將在8月6日至9日召開的Flash Memory峰會上公佈。
可以看到，我們正全面進入96層與QLC快閃記憶體時代，由SATA與SAS到NVMe的過渡也在持續進行當中。感謝快閃記憶體的蓬勃發展為我們帶來一系列振奮人心的好訊息。
快閃記憶體技術目前已然成為各大儲存廠商的必爭之地。據悉，業內知名企業東芝與西部資料的合資快閃記憶體代工廠已經開始製造96層3D NAND晶片，而兩家合作伙伴正在此基礎上積極生產四級單元（簡稱QLC）產品。其中仍在使用TLC的東芝公司釋出一款三級單元的1TB SSD，而率先邁入QLC時代的西部資料則擁有一款四級單元的1.33Tb晶片。
東芝公司的XG6為一款單面M.2（22 x 80毫米）外形尺寸的產品，其屬於XG5 M.2驅動器的換代方案。這款驅動器採用64層3D NAND晶片，容量選項分別為256 GB、512 GB以及1 TB。前後兩代產品皆配備有一個NVMe介面。儘管採用其512 Gb晶圓的96層TLC晶片在單位容量方面較64層方案提升了40%，但XG6驅動器的容量水平卻仍與XG5保持一致。
與XG5相比，XG6的另一個奇怪之處在於其效能表現。隨機讀取IOPS高達14萬4千次，隨機寫入IOPS則高達11萬9250次——這屬於典型的隨機讀取速度高於寫入速度的模式。而XG6的引數分別為隨機寫入IOPS為35萬5千次，隨機讀取IOPS為36萬5千次。
XG5的連續讀取與連續寫入傳輸頻寬分別為每秒3 GB與每秒2.1 GB，XG6則分別為每秒3.18 GB與每秒2.96 GB——這又重新迴歸了讀取快於寫入的典型模式。
XG6提供五年質保與150萬小時平均故障前執行時長。具體使用壽命資訊目前尚不明確。東芝公司正在向OEM廠商提供樣品，這款驅動器將主要用於PC/移動端、嵌入式裝置以及資料中心場景。
東芝公司表示，其正在開發一款QLC（四級單元）晶片，這將把現有TLC晶片的容量進一步提升三分之一。
西部資料與東芝的QLC晶片
西部資料公司目前擁有一款採用同一晶圓廠出產晶片的1.33 Tb QLC晶片，其表示這是目前業界記憶體在的儲存容量最高的單一3D NAND晶片。
這款晶片現已開始提供樣品，並計劃於今年年底之前批量出貨以用於SanDisk品牌的消費級產品。西部資料方面表示，預計這些晶片將出現在零售、移動、嵌入、客戶以及企業級產品線當中。SanDisk Ultra目前提供的最高容量水平為2 TB，我們預計新晶片的推出可能將其容量提升至3TB。
作為東芝儲存器集團下轄的子公司，東芝美國有限公司亦擁有一套96層QLC晶片的原型設計方案。該公司表示其單晶片容量為1.33 Tb，與西部資料保持一致。東芝方面將這些晶片每16個一組堆疊在同一封裝之內，從而生產容量達2.66 TB的“超級晶片”。
相關樣品將於今年9月向SSD及控制器供應商交付，全面量產時間預計為2019年。
三星、美光與英特爾
本月早些時候，三星公司表示其正在生產90層以上3D NAND晶片，並著手開發QLC方案。美光公司剛剛進入96層領域，目前擁有2.5英寸ION 5210 QLC SSD，其採用64層技術且容量為7.68 TB。我們預計未來推出的96層版本可能將容量提升至10 TB水平。
英特爾公司釋出推文表示，其目前正在生產資料中心級QLC SSD，且目標是開發出容量達20 TB的2.5英寸SSD。更多細節預計將在8月6日至9日召開的Flash Memory峰會上公佈。
可以看到，我們正全面進入96層與QLC快閃記憶體時代，由SATA與SAS到NVMe的過渡也在持續進行當中。感謝快閃記憶體的蓬勃發展為我們帶來一系列振奮人心的好訊息。