在公佈 2019 年 1 季度業績的同時，SK 海力士也宣佈了產能提升的計劃。
除了加大初代 10nm 製造工藝（1x nm）的產量，這家電子巨頭還計劃在今年下半年啟用第二代 10nm DRAM 製造工藝（又名 1Y nm）。
這樣的策略，可保障該公司在轉型期內增加 DRAM 產品的供應，最終為降低成本和推出下一代記憶體做好準備。
【資料圖，來自：SK Hynix，via AnandTech】
據悉，首批採用 SK 海力士 1Y nm 製造工藝的產品，將是其 8Gb DDR4-3200 記憶體顆粒。與採用 1X nm 製程的產品相比，新工藝可讓 8Gb DDR4 的晶片尺寸縮小 20%、功耗降低 15% 。
此外，SK 海力士即將推出的 8Gb DDR4-3200 顆粒有兩項重要的改進：4 相時鐘方案、以及 Sense 放大器控制技術。
前者可提升訊號強度，保障在搞資料傳輸速率下的穩定性；後者降低了電晶體尺寸縮小時，可能發生資料錯誤的可能性。
實際上，SK 海力士向 10nm DRAM 製造工藝轉進的速度，已經遠遠落後於美光和三星，其早就開始出貨第二代 10nm 製程的產品。
自 2018 年以來，SK 海力士一直掙扎於初代 10nm DRAM 的製造，直到最近才有所緩解。讓人鬆口氣的是，該公司終於要在 2019 下半年正式出貨第二代 10nm DRAM 了。
在公佈 2019 年 1 季度業績的同時，SK 海力士也宣佈了產能提升的計劃。
除了加大初代 10nm 製造工藝（1x nm）的產量，這家電子巨頭還計劃在今年下半年啟用第二代 10nm DRAM 製造工藝（又名 1Y nm）。
這樣的策略，可保障該公司在轉型期內增加 DRAM 產品的供應，最終為降低成本和推出下一代記憶體做好準備。
【資料圖，來自：SK Hynix，via AnandTech】
據悉，首批採用 SK 海力士 1Y nm 製造工藝的產品，將是其 8Gb DDR4-3200 記憶體顆粒。與採用 1X nm 製程的產品相比，新工藝可讓 8Gb DDR4 的晶片尺寸縮小 20%、功耗降低 15% 。
此外，SK 海力士即將推出的 8Gb DDR4-3200 顆粒有兩項重要的改進：4 相時鐘方案、以及 Sense 放大器控制技術。
前者可提升訊號強度，保障在搞資料傳輸速率下的穩定性；後者降低了電晶體尺寸縮小時，可能發生資料錯誤的可能性。
實際上，SK 海力士向 10nm DRAM 製造工藝轉進的速度，已經遠遠落後於美光和三星，其早就開始出貨第二代 10nm 製程的產品。
自 2018 年以來，SK 海力士一直掙扎於初代 10nm DRAM 的製造，直到最近才有所緩解。讓人鬆口氣的是，該公司終於要在 2019 下半年正式出貨第二代 10nm DRAM 了。