在高階晶片組引數“Advanced Chipset Features”中設定1.(4):該選項可針對晶片組(Chipset)所提供的高階功能做調整設定，讓系統性能又快又穩。晶片級引數設定在不同BIOS中的具體設定項不盡相同。這裡我們選用的是Intel的845D晶片進行講述，如果你對這裡的選項不太熟悉，請直接按照系統預設值設定即可。在BIOS設定主畫面中，移動高亮條到“Advanced Chipset Features”選項，然後按下回車鍵即可進入高階晶片設定畫面。1.設定記憶體讀寫模式(1)DRAM Timing Selectable：CPU最先搭配使用的是記憶體，因此記憶體相關的設定值皆是固定的。本項設定引數都經過廠商測試確認，除非發生不正常操作，一般不建議你更改任何設定引數。一般而言，系統常見的問題，不外乎是將不同速度的記憶體放在一起使用，造成記憶體分配不均的問題；此外，不同工作電壓混用的情況也會導致系統宕機，常見的問題是，無法將200MHz的DDR DRAM超頻至266MHz，及CL速度設定錯誤。一般正常情況下，無需作設定引數的調整。可以設定的值：200MHz、266MHz。最佳化設定建議：請根據自己記憶體具體情況進行設定。(2)DRAM RAS# to CAS# Delay：用於設定記憶體收到一個CAS訊號時，要等多少個Clock才開始讀/寫資料。等待的時間越短，整體效能就越佳。可以設定的值：2表示等待2個運算週期；3表示等待3個運算週期，此項為預設設定。最佳化設定建議：保持系統預設設定。(3)DRAM RAS# precharge：如果允許RAS在DRAM重新整理之前透過不足的迴圈次數充電，那麼重新整理可能會失敗，同時DRAM也有可能會因此丟失資料，“FAST”能提供更高的效能，“SLOW”提供更穩定的效能。可以設定的值：2表示等待2個運算週期；3表示等待3個運算週期，此項為預設設定。最佳化設定建議：此項功能只有在安裝同步記憶體的系統中有效，保持系統預設設定即可。(4)DRAM Data Integrity Mode：該項可以設定DRAM資料的校驗模式。可以設定的值：Non-ECC，不需要ECC校驗，此項為預設設定；ECC，需要進行ECC校驗。最佳化設定建議：如果你的DDR帶有ECC校驗功能，請選擇“ECC”選項。
在高階晶片組引數“Advanced Chipset Features”中設定1.(4):該選項可針對晶片組(Chipset)所提供的高階功能做調整設定，讓系統性能又快又穩。晶片級引數設定在不同BIOS中的具體設定項不盡相同。這裡我們選用的是Intel的845D晶片進行講述，如果你對這裡的選項不太熟悉，請直接按照系統預設值設定即可。在BIOS設定主畫面中，移動高亮條到“Advanced Chipset Features”選項，然後按下回車鍵即可進入高階晶片設定畫面。1.設定記憶體讀寫模式(1)DRAM Timing Selectable：CPU最先搭配使用的是記憶體，因此記憶體相關的設定值皆是固定的。本項設定引數都經過廠商測試確認，除非發生不正常操作，一般不建議你更改任何設定引數。一般而言，系統常見的問題，不外乎是將不同速度的記憶體放在一起使用，造成記憶體分配不均的問題；此外，不同工作電壓混用的情況也會導致系統宕機，常見的問題是，無法將200MHz的DDR DRAM超頻至266MHz，及CL速度設定錯誤。一般正常情況下，無需作設定引數的調整。可以設定的值：200MHz、266MHz。最佳化設定建議：請根據自己記憶體具體情況進行設定。(2)DRAM RAS# to CAS# Delay：用於設定記憶體收到一個CAS訊號時，要等多少個Clock才開始讀/寫資料。等待的時間越短，整體效能就越佳。可以設定的值：2表示等待2個運算週期；3表示等待3個運算週期，此項為預設設定。最佳化設定建議：保持系統預設設定。(3)DRAM RAS# precharge：如果允許RAS在DRAM重新整理之前透過不足的迴圈次數充電，那麼重新整理可能會失敗，同時DRAM也有可能會因此丟失資料，“FAST”能提供更高的效能，“SLOW”提供更穩定的效能。可以設定的值：2表示等待2個運算週期；3表示等待3個運算週期，此項為預設設定。最佳化設定建議：此項功能只有在安裝同步記憶體的系統中有效，保持系統預設設定即可。(4)DRAM Data Integrity Mode：該項可以設定DRAM資料的校驗模式。可以設定的值：Non-ECC，不需要ECC校驗，此項為預設設定；ECC，需要進行ECC校驗。最佳化設定建議：如果你的DDR帶有ECC校驗功能，請選擇“ECC”選項。