打個比方：如果把在矽晶體上的施工比成木匠活的話。

光刻機的作用相當於木匠在木料上用墨斗劃線。

刻蝕機的作用相當於木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。

下圖為光刻機：

下圖為刻蝕機

性質一樣，但精度要求是天壤之別。木匠做細活，一般精確到毫米就行。做晶片用的刻蝕機和光刻機，要精確到奈米。

現在的手機晶片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺積電的10奈米技術。10奈米有多小呢？打個比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭髮絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10奈米。

我們刻蝕機技術已經突破，5奈米的刻蝕機我們也能自主生產。現在卡脖子的是光刻機。

在晶片加工過程中，光刻機放樣，刻蝕機施工，清洗機清洗。然後反覆迴圈幾十次，一般要500道左右的工序，晶片---也就是電晶體的積體電路才能完成。

放樣達不到精度，刻蝕機就失去用武之地了。

現在世界上最先進的光刻機是荷蘭的ASML公司，最小到10奈米。臺積電買的都是它的光刻機。ASML公司實際上是美國、荷蘭、德國等多個國家技術合作的結果。因為這方面的研究難度太大，單個國家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在高階光刻機上努力研發。

我們是受到技術禁運的，不能買他最先進的產品，國內上海量產的是90奈米的光刻機。技術上有差距。2017年，長春光機所“極紫外光”技術獲得突破，預計能達到22-32奈米，技術差距縮小了。

我相信，不久的將來，我們的科技人員一定能研製出世界一流的光刻機，不再被卡脖子。

核心技術、關鍵技術、國之重器必須立足於自己。科技的攻關要摒棄幻想，靠我們自己。

刻蝕相對光刻要容易。光刻機把圖案印上去，然後刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩餘的部分。

“光刻”是指在塗滿光刻膠的晶圓（或者叫矽片）上蓋上事先做好的光刻板，然後用紫外線隔著光刻板對晶圓進行一定時間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質，易於腐蝕。

“刻蝕”是光刻後，用腐蝕液將變質的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導體器件及其連線的圖形。然後用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導體器件及其電路。

刻蝕機和光刻機的區別主要在：

　　1、工藝不同：刻蝕機是將矽片上多餘的部分腐蝕掉，光刻機是將圖形刻到矽片上；

　　2、難度不同：光刻機的難度和精度大於刻蝕機。

擴充套件補充一下：

光刻：就是利用紫外線的照射來形成所需的圖案。

“刻蝕”是光刻後，用腐蝕液將變質那部分圖案去除掉，留下的晶圓再用另一種腐蝕液進行腐蝕，形成半導體器件及電路。

刻蝕相對光刻要容易。我們國家現在已經能自主生產5nm的刻蝕機了