北京時間11月29日，中科院光電技術研究所宣佈國家重大科研裝備研製專案“超分辨光刻裝備研製”透過驗收，成為全球首臺用紫外光源實現的22奈米解析度的光刻機。
胡松表示，該光刻機在365奈米波長光源下，單次曝光最高線寬解析度達到22奈米。相當於1/17波長。專案在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的奈米光刻裝備研發新路線，具有完全自主智慧財產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義晶片等變革性領域的跨越式發展提供了製造工具。擅長加工一系列奈米功能器件，包括大口徑薄膜鏡、超導奈米線單光子探測器、切倫科夫輻射器件、生化感測晶片和超表面成像器件。
被繞暈了~~請問微電子工業積體電路的大神們，這裝置到底是否能用於手機電腦等晶片製造？
回覆列表
-
1 # 大千世界原創號
-
2 # 紫水晶9795
http://tech.sina.com.cn/csj/2018-12-02/doc-ihpevhcm7347151.shtml
新浪的這個報導，第一，先肯定這是一個太的進步，第二，肯定這個技術是無法用於半導體晶片。
到底是媒體的誤導還是大家太急燥？還是我太抬槓？
-
3 # 孤獨的頭腦
答案：不能！
詳細原因，我複製了從我回答的另外一個問題的答案過來，僅供參考。
要想清楚瞭解兩者區別，我們先來分別看一下國內首臺超解析度光刻機的一些特性，以及目前世界上最先進的ASML的NXE 3400B光刻機。
中國產首臺超解析度光刻裝置11月29日透過驗收，這是中國成功研製出的世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研製，光刻分辨力達到22奈米，結合多重曝光技術後，可用於製造10奈米級別的晶片。中科院理化技術研究所許祖彥院士等驗收組專家一致表示，該光刻機在365奈米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22奈米。專案在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的奈米光刻裝備研發新路線，繞過了國外相關智慧財產權壁壘。目前已經量產出貨的最先進的光刻機，是來自荷蘭的ASML的NXE 3400B，該光刻機的光源使用的是鐳射等離子源產生的約13.5nm的極紫外波長。主要運用於7nm及5nm的晶片生產，目前已經有臺積電，三星，英特爾採購，國內中芯國際也花費超過1億美元購入一臺NXE3400B。
二者區別
1. 光刻技術基礎。此次的中國產光刻裝置，採用的表面等離子體超分辨光刻，也就是surface plasma，我們也把其稱之為表面等離子超衍射光刻，這是最近十幾年興起的新技術。這種光刻的工作原理是入射光照射在透鏡表面的小探針上，從而激發產生plasma，產生波長非常短的等離子體，然後在光刻膠上刻出非常小的圖形。簡稱SP光刻。
而ASML商用的光刻機，NXT系列採用AiF, 將鐳射束經過一些列整形後，投射經過reticle，在投射到晶元矽片上。
2. 光刻的晶元尺寸不同。中國產首臺超解析度光刻裝置目前展示光刻晶元為4寸，該尺寸屬於較小型別，非主流的12寸或者8寸。而目前主流光刻機生產的矽片為12寸，或者8寸。
3. 對於此次的的中國產光刻機，以目前的技術能力，只能做週期的線條和點陣，是無法制作複雜的IC需要的圖形的。更進一步，以光電所目前的實力，IC製造需要的超高精度對準技術，也是無法實現的。而ASML的最先進機型，NXE3400B已經出貨。三星已經用EUV研發出7nm工藝，即將投入生產7nm晶片，每小時能光刻125片12寸矽片。值得注意的是，中國產首臺超解析度光刻裝置所採用的SP光刻，主要缺點就是聚焦的面積非常小，屬於接觸式光刻，易產生缺陷，且因是直寫式光刻，所以生產效率很低，適用於特殊應用，類似的應用範圍是光纖領域，5G天線，或者是如演示的用於科研領域的單光子探測器。這對於實驗室科研，軍工，有一定的意義，可以一定程度上替代現在的e beam光刻。另一方面，目前這個技術也具有圖形粗糙度糟糕的特點，影象保真度非常低，只能作為技術驗證，不能作為真實生產，更不要說量產可能了。ASML的光刻機，它的核心技術應該是在於精度的控制，在完美控制精度的同時，不斷提高光刻的效率，才能得以商業化。目前中國產光刻機，最大的問題可能是這兩個：1. 對精度的控制僅能在4寸的晶元上，做線條和點陣。目前主流12寸晶元的精度控制控制可能還欠缺，無法對複雜的電路進行光刻，也是表現為精度控制不足。 2. 光刻效率。每小時能刻出多少片晶元呢？如有未盡之言，或是錯誤，日後想起再補充以及更正。謝謝。
你好，可以的，這臺機子可以製造的晶圓尺寸不如荷蘭的，只能達到4寸，不過4寸的晶圓也足夠用來生產手機和電腦的晶片了。
當然了，可以做是一回事，會不會去做是另一回事了，單位成本算下來，這臺機子製作的芯片價格是很高的，用來製作手機電腦晶片沒有市場競爭力。但是可以用於軍工領域的專用晶片，這些領域安全至上，可以不計較成本。