長鑫儲存技術有限公司（CXMT）已經開始生產基於 19nm 工藝的計算機儲存器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級製程的路線圖，計劃在未來生產各種型別的動態隨機儲存器（DRAM）。
為了提升產量，長鑫儲存還計劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國製造 2025 專案的一部分，其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。
（題圖 via AnandTech）
總部位於安徽合肥的 CXMT，目前擁有 3000 多名員工，下設一座擁有 65000 ㎡ 潔淨室的晶圓廠。其前身為合肥睿力積體電路（Innotron Memory），自 2016 年成立以來，該公司一直致力於多個專案。
目前長鑫儲存的月產能約為 2 萬片晶圓，但隨著該公司訂單量的增長，產量也將逐漸提升。預計到 2020 年底，其 10nm 級工藝技術的產能為 12 萬片晶圓（12 英寸），媲美 SK 海力士在中國無錫的工廠。
CXMT 表示，其 77% 員工都是從事研發相關工作的工程師。藉助來自奇夢達的 IP 授權，該公司已順利完成了早期積累。
CXMT 正在使用其 10G1 技術（19 nm 工藝）來製造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 儲存器晶片，目標在 2020 年第一季度將其商業化並投放市場，該技術將用於在 2020 下半年製造的 LPDDR4X 儲存器。
從路線圖來看，CXMT 還規劃了針對 DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3（17 nm 工藝）產品。儘管目前尚無法撼動業內老牌競爭對手，但該公司相當重視創新工藝的研發和產能的擴張。
預計 CXMT 10G5 工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術，並在遠期使用柱狀電容器、全能柵極電晶體、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。
儘管該公司計劃於 2019 年初開始生產 DDR4 記憶體，但新路線圖已經推遲了一年。最後，該公司還計劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。
長鑫儲存技術有限公司（CXMT）已經開始生產基於 19nm 工藝的計算機儲存器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級製程的路線圖，計劃在未來生產各種型別的動態隨機儲存器（DRAM）。
為了提升產量，長鑫儲存還計劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國製造 2025 專案的一部分，其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。
（題圖 via AnandTech）
總部位於安徽合肥的 CXMT，目前擁有 3000 多名員工，下設一座擁有 65000 ㎡ 潔淨室的晶圓廠。其前身為合肥睿力積體電路（Innotron Memory），自 2016 年成立以來，該公司一直致力於多個專案。
目前長鑫儲存的月產能約為 2 萬片晶圓，但隨著該公司訂單量的增長，產量也將逐漸提升。預計到 2020 年底，其 10nm 級工藝技術的產能為 12 萬片晶圓（12 英寸），媲美 SK 海力士在中國無錫的工廠。
CXMT 表示，其 77% 員工都是從事研發相關工作的工程師。藉助來自奇夢達的 IP 授權，該公司已順利完成了早期積累。
CXMT 正在使用其 10G1 技術（19 nm 工藝）來製造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 儲存器晶片，目標在 2020 年第一季度將其商業化並投放市場，該技術將用於在 2020 下半年製造的 LPDDR4X 儲存器。
從路線圖來看，CXMT 還規劃了針對 DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3（17 nm 工藝）產品。儘管目前尚無法撼動業內老牌競爭對手，但該公司相當重視創新工藝的研發和產能的擴張。
預計 CXMT 10G5 工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術，並在遠期使用柱狀電容器、全能柵極電晶體、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。
儘管該公司計劃於 2019 年初開始生產 DDR4 記憶體，但新路線圖已經推遲了一年。最後，該公司還計劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。