半導體合約製造商中芯國際（SMIC）本月宣佈，其將於今年年底開始基於 14nm FinFET 製造工藝的商業化晶片生產。
作為其首條 FinFET 生產線，這是一項吸引了無數人關注的發展。該公司預測，其 14nm 製程節點將出現相當快速的增長，併為其營收業績作出有意義的貢獻。
（題圖 via AnandTech）
中芯國際稱，其 14 奈米 FinFET 採用完全自主研發的製造技術。與依賴平面型電晶體的 28nm 製造工藝相比，預計可顯著提升電晶體密度、提升效能、以及降低晶片的功耗。
該公司原計劃在 2019 上半年開始生產 14nm 晶片，但現在有些落後於既定的時間表。儘管如此，FinFET 工藝的突破，對這家公司仍然有著巨大的意義（躋身包括另五家代工廠在內的俱樂部）。
需要指出的是，目前中芯國際只有兩座較小的 300mm HVM 晶圓廠（用於 28~65 nm 製程節點產品的製造），當前營收佔比在 40~49% 左右（今年 1/2 季度）。
今年早些時候，中芯國際完成了價值 100 億美元的 FinFET 工廠的建設，它將用上該公司最尖端的製造技術。
一旦晶圓廠做好了商業運營的準備，該公司將能夠使用其 14nm 和 12nm FinFET 工藝，大幅提升晶片的產能。
中芯國際的長期計劃，包括 10nm 和 7nm 製造工藝。預計後者需使用極紫外光刻裝置，該公司去年以 1.2 億美元從 ASML 購買的 EUV 步進掃描系統，也將於 2019 年交付。
半導體合約製造商中芯國際（SMIC）本月宣佈，其將於今年年底開始基於 14nm FinFET 製造工藝的商業化晶片生產。
作為其首條 FinFET 生產線，這是一項吸引了無數人關注的發展。該公司預測，其 14nm 製程節點將出現相當快速的增長，併為其營收業績作出有意義的貢獻。
（題圖 via AnandTech）
中芯國際稱，其 14 奈米 FinFET 採用完全自主研發的製造技術。與依賴平面型電晶體的 28nm 製造工藝相比，預計可顯著提升電晶體密度、提升效能、以及降低晶片的功耗。
該公司原計劃在 2019 上半年開始生產 14nm 晶片，但現在有些落後於既定的時間表。儘管如此，FinFET 工藝的突破，對這家公司仍然有著巨大的意義（躋身包括另五家代工廠在內的俱樂部）。
需要指出的是，目前中芯國際只有兩座較小的 300mm HVM 晶圓廠（用於 28~65 nm 製程節點產品的製造），當前營收佔比在 40~49% 左右（今年 1/2 季度）。
今年早些時候，中芯國際完成了價值 100 億美元的 FinFET 工廠的建設，它將用上該公司最尖端的製造技術。
一旦晶圓廠做好了商業運營的準備，該公司將能夠使用其 14nm 和 12nm FinFET 工藝，大幅提升晶片的產能。
中芯國際的長期計劃，包括 10nm 和 7nm 製造工藝。預計後者需使用極紫外光刻裝置，該公司去年以 1.2 億美元從 ASML 購買的 EUV 步進掃描系統，也將於 2019 年交付。