三極體和場效電晶體是兩種完全不同的電子元器件，三極體可以用作訊號放大也可應用作電子開關；而場效電晶體主要用作電子開關。下面分別介紹。

三極體是流控型電子元器件，主要由三個電極，分別是發射極e、集電極c以及基極b。主要由N型半導體和P型半導體構成，從半導體結構上主要分為NPN三極體和PNP三極體。下圖是NPN三極體和PNP三極體的半導體構成以及電路符號。

三極體具有三個工作區分，分別為截止區、放大區以及線性區。根據工作區域的不同，三極體可以工作在放大區，起到對小訊號的放大作用；也可以工作在截止和飽和區，起到電子開關的作用。三極體所構成的放大電路主要有三種類型共基極放大電路、共發射極放大電路以及共集電極放大電路。用作開關時，可以起到控制負載迴路通斷的作用，如用來控制繼電器、蜂鳴器等。三極體用作開關的電路如下圖所示。

場效電晶體是壓控型的電子元器件，主要分為JFET和MOSFET，具有三個電極，分別為柵極G、源極S以及漏極D。以MOSFET為例。

MOSFET可以分為NMOS和PMOS，MOS管的導通與否主要取決於VGS和Vth的狀態。對於NMOS而言，如果VGS>Vth則，NMOS導通；對於PMOS而言，如果VGS<Vth，則PMOS不通。

MOS管雖然也有放大作用，但是很少用，主要用作電子開關，如當作功率開關用在迴路中控制負載的通斷。

三極體和場效電晶體樣子有點像，但功能有所不同

三極體和場效電晶體都是常見的電子元器件，雖然都有三個引腳，長得也有很像，但功能是不同的。三極體是電流控制型的器件，透過基極電流去控制集電極電流，實現電流、電壓訊號放大或者驅動負載工作；場效電晶體是電壓控制器件，需要透過柵極（G）電壓來控制場效應的導通，實現場效應的導通和關斷。

三極體由兩個PN接面組成，可以排列成NPN或者PNP的結構。有基極（B）、集電極（C）和發射極（E）三個引腳。它有三個工作區：截止區、放大區、飽和導通區。

NPN三極體：由基極（B）流進的控制電流Ib，控制由集電極（C）流進的電流Ic；

PNP三極體：由基極（B）流出的控制電流Ib，控制由集電極（C）流出的電流Ic；

三極體可以用於設計電壓、電流訊號放大電路，Ic=β*Ib，β為三極體的放大倍數。

三極體也可以用於設計負載驅動電路，實現開關控制，比如控制蜂鳴器、LED、直流電機、繼電器等等。三極體導通後，集電極（C）和發射極（E）之間會有一定的壓降（0.2V~0.7V）,當負載工作電流較大時，三極體發熱比較嚴重，所以三極體不適合驅動功率較大的負載。

場效電晶體也是由P型和N型半導體組成。它也有三個引腳，分別是柵極（G）、漏極（D）、源極（S）；

N溝道場效電晶體：漏極（D）、源極（S）都是連線在N型半導體上，而柵極（G）連線的金屬透過氧化物再與P型半導體襯底連線。當Vgs>0時場效電晶體開始導通，電流可以從漏極(D)源極(S)，也可以從源極(S)漏極(D)，當然Vgs要達到一定的開啟電壓才可以穩定的導通。

P溝道場效電晶體：漏極（D）、源極（S）都是連線在P型半導體上，而柵極（G）連線的金屬透過氧化物再與N型半導體襯底連線。當Vgs<0時場效電晶體開始導通，電流可以從漏極(D)源極(S)，也可以從源極(S)漏極(D)，當然Vgs要達到一定的開啟電壓才可以穩定的導通。場效電晶體導通後內阻很小，一般只有幾毫歐到幾十毫歐，可以用於驅動功率較大的直流負載。三極體無法驅動的直流負載，我們都可以用場效電晶體來驅動。

當然場效電晶體也可以用於設計電流、電壓訊號放大電路

效應管是電壓驅動型的器件，如果微控制器的驅動電壓達不到門極開啟電壓的要求，可以加入三極體驅動，利用三極體集電極的電壓來控制效應管。