其實，擠牙膏是科技發展的常態，而且在當下基礎科學沒有取得突破的情況下，科技企業能有牙膏擠也算不錯啦，再過幾年，可能牙膏也沒得擠了。

大家是否還記得騰訊董事局主席馬化騰11月9日在知乎提出一個問題：“未來十年哪些基礎科學突破會影響網際網路科技產業？產業網際網路和消費網際網路融合創新，會帶來哪些改變？”

馬化騰：我在知乎丟擲一塊磚，想引出一塊“玉”：網際網路科技未來的機會在哪裡？

從他的提問中可以知道，作為IT界大佬，馬化騰明白先有科學，後有科技，基礎科學不突破，網際網路科技想要跳躍式發展，門都沒有。

最明顯的例子是晶片製造技術。平時我們說手機晶片效能時，繞不開的一個單位是nm（奈米）：28nm、14nm、10nm，以及最新的7nm，數字越低，在晶片效能鄙視鏈上的位置就越高，越能鄙視別的晶片。

這裡的nm既是柵極寬度，也是反映晶片製造技術是否先進的一個重要指標。

上圖為電晶體結構示意圖，電流從 Source(源極)流入 Drain(漏級)，Gate(柵極)相當於閘門，負責控制兩端源極和漏級的通斷。

電晶體柵極的寬度決定了電流透過時的損耗，大白話說就是，柵極寬度越窄，手機晶片功耗越低，發熱越小。柵極的最小寬度(柵長)，就是 製程工藝中的數字XX nm。

驍龍 820採用14nmFinFET製程工藝，驍龍835則採用10nmFinFET，兩者都整合超過30億個電晶體，但驍龍835體積卻比驍龍 820 小了 35%，整體功耗降低了 40%，效能卻提升27%。

驍龍處理器：我長得濃眉大眼，都是擠出來的……

所以晶片製造大廠門都拼命降低柵極寬度，也就是降低二氧化矽絕緣層厚度。

簡單說，大廠們乾的就是擠牙膏的活：1995年開始，從500nm、350nm、250nm、180nm,一直擠到今天的10nm、7nm，明年有可能擠到5nm。

臺積電牙膏擠得好，成了晶片代工一哥，三星擠得稍次，屈居二哥位置，大陸的中芯國際現在擠到14nm，能排進前五。

大廠們就不能大方一點，比如直接從10nm跳到5nm，甚至3nm？

答案是“臣妾做不到”！每一次製程工藝升級，都意味著新工藝的研發，上百億美元的投資，不是想升就能升的。

更為重要的是，二氧化矽絕緣層的厚度不能無限降低，嗯，簡單說二氧化矽絕緣層厚度也是有底線的，超過這根線，將發生電流洩漏，晶片將變成微型“電爐”，傳輸的訊號變得模糊，然後……掛掉。

在材料科學獲得突破，為晶片找到新的可替代二氧化矽絕緣層材料之前，大廠們有可能擠牙膏擠到3nm就沒得牙膏擠了。

總之，科學技術的進步建立在基礎科學的突破之上，而且技術的進步也是漸進式螺旋上升，看起來和擠牙膏相似，其實是一種正常的現象。不過，科技公司不思進取，換個殼或概念，就號稱推出劃時代產品，這不叫擠牙膏，這叫吹牛好嗎。