2018年各大NAND廠商都已經大規模量產了64層堆疊的3D NAND快閃記憶體，以TLC快閃記憶體為主，下一代快閃記憶體的堆疊層數要繼續提升50%達到96層級別。三星今天宣佈量產第五代V-NAND快閃記憶體，業界首發Toggle DDR 4.0介面，速率達到了1.4Gbps，堆疊層數超過90層。此外，三星還準備推出1Tb核心容量以及QLC結構的V-NAND快閃記憶體。
三星的V-NAND是3D NAND快閃記憶體中的一種，目前主力生產的是第四代V-NAND，堆疊層數64層，現在量產的是第五代V-NAND快閃記憶體，核心容量256Gb並不算高，但是各項指標很強大，它首發支援Toggle DDR 4.0介面，傳輸速度達到了1.4Gbps，相比64層堆疊的V-NAND快閃記憶體提升了40%。
第五代V-NAND快閃記憶體的效能、功耗也進一步最佳化，工作電壓從1.8V降至1.2V，同時寫入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代快閃記憶體提升了30%，讀取訊號的響應時間也縮短到了50us。
三星的第五代V-NAND快閃記憶體內部堆疊了超過90層CTF Cell單元，是目前堆疊層數最高的，這些儲存單元透過微通道孔洞連線，每個孔洞只有幾百奈米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以儲存三位資料（這是TLC快閃記憶體）。
此外，第五代V-NAND快閃記憶體在製造工藝上也做了最佳化，製造生產效率提升了30%，先進的工藝使得每個快閃記憶體單元的高度降低了20%，減少了單位之間的竄擾，提高了資料處理的效率。
除了第五代V-NAND快閃記憶體之外，三星還在擴充套件V-NAND快閃記憶體，準備推出核心容量高達1Tb的NAND快閃記憶體及QLC型別的快閃記憶體，繼續推動下一代快閃記憶體發展。
三星目前正在加大第五代V-NAND快閃記憶體的量產，以便滿足高密度儲存領域——超算、企業伺服器及移動市場的需求。
2018年各大NAND廠商都已經大規模量產了64層堆疊的3D NAND快閃記憶體，以TLC快閃記憶體為主，下一代快閃記憶體的堆疊層數要繼續提升50%達到96層級別。三星今天宣佈量產第五代V-NAND快閃記憶體，業界首發Toggle DDR 4.0介面，速率達到了1.4Gbps，堆疊層數超過90層。此外，三星還準備推出1Tb核心容量以及QLC結構的V-NAND快閃記憶體。
三星的V-NAND是3D NAND快閃記憶體中的一種，目前主力生產的是第四代V-NAND，堆疊層數64層，現在量產的是第五代V-NAND快閃記憶體，核心容量256Gb並不算高，但是各項指標很強大，它首發支援Toggle DDR 4.0介面，傳輸速度達到了1.4Gbps，相比64層堆疊的V-NAND快閃記憶體提升了40%。
第五代V-NAND快閃記憶體的效能、功耗也進一步最佳化，工作電壓從1.8V降至1.2V，同時寫入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代快閃記憶體提升了30%，讀取訊號的響應時間也縮短到了50us。
三星的第五代V-NAND快閃記憶體內部堆疊了超過90層CTF Cell單元，是目前堆疊層數最高的，這些儲存單元透過微通道孔洞連線，每個孔洞只有幾百奈米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以儲存三位資料（這是TLC快閃記憶體）。
此外，第五代V-NAND快閃記憶體在製造工藝上也做了最佳化，製造生產效率提升了30%，先進的工藝使得每個快閃記憶體單元的高度降低了20%，減少了單位之間的竄擾，提高了資料處理的效率。
除了第五代V-NAND快閃記憶體之外，三星還在擴充套件V-NAND快閃記憶體，準備推出核心容量高達1Tb的NAND快閃記憶體及QLC型別的快閃記憶體，繼續推動下一代快閃記憶體發展。
三星目前正在加大第五代V-NAND快閃記憶體的量產，以便滿足高密度儲存領域——超算、企業伺服器及移動市場的需求。