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  • 1 # 滾滾糰子

    中芯國際是中國最強的晶圓代工企業。中芯國際曾經打算建造在香港,但是香港放棄了中芯國際,也放棄了自己的科技未來。中芯國際最終建於上海,給國內晶圓代工帶來最明亮的希望。中芯國際目前最高製程標準,是14nm及95%以上的良品率,雖然和國際主流對手如三星,臺積電等。還有兩代以上的差距。但是中芯國際對於中國的晶片和晶圓代工行業仍然意義非凡。

    ①,核心晶片免於被別人卡脖子。雖然14nm製程在手機行業並不具備國際競爭力。但是,在一些專業領域,比如衛星,導航專業製造等等領域,至少避免了無法交付的尷尬。

    ②,其次的意義在於避免國際代工企業漫天要價。如果沒有中芯國際。那麼其他晶圓代工企業,可以在10nm和14nm的技術上依然漫天要價兒,中國將毫無還價能力。但是因為有了中芯國際的14nm,至少在14nm的工藝上。其他晶圓企業就不具備漫天要價的可能性。這個意義,就如同京東方的螢幕一樣,雖然京東方的螢幕曾經落後於三星。但是在京東方出現之前,三星的落後螢幕依然是賣天價的。京東方出現以後,三星落後螢幕的價格就一落千丈。中芯國際也可以起到同樣的效果。雖然在中芯國際的投入較大,但是可以為國內的晶片企業節約大量的資金成本。總體來講還是賺的。

    中芯國際今年已成為大陸第一家提供14nm FinFET工藝的廠商。臺積電的密集投資新制程主要是為了拉大與競爭對手的差距從而殺死對手。但是,中芯國際並不會被臺積電的密集投資所打敗,因為有國家和國內主要廠商的支援。有訊息稱,中芯國際獲得了100億美元的資金用於開發10nm和7nm工藝。

    晶圓製造最核心材料如下

    1、矽晶圓:33%

    2、特種氣體:17%

    3、掩膜版:15%

    4、超淨高純試劑:13%

    5、拋光液和拋光墊:7%

    6、光阻材料:7%

    7、濺射靶材:3%

    晶圓製造核心領域國內企業並非阿斗。

    ①,北方華創在薄膜沉積裝置已經達到14納米制程並開始佈局 10奈米、 7奈米前沿關鍵技術研發。

    ②,中微半導體的16奈米刻蝕機已經實現商業化量產並在客戶的生產線上執行,7-10奈米刻蝕機裝置可以與世界最前沿技術比肩,並且還是臺積電7奈米刻蝕裝置供應商中唯一來自大陸的企業。

    光刻機是目前國內國外製造水平差距最大的領域。這一領域仍然是限制中國晶圓代工先進製程的主要關口。光刻機領域的突破將會為中芯國際追平甚至超越國際先進水平帶來突破性進展。

  • 2 # 看球人

    三星的技術還不是最先進的,最先進的是英特爾。

    所謂的28nm技術是臺積電弄出來的,因為按照慣例,新一代電晶體的製程是上一代電晶體的0.7倍左右,所以我們可以看到英特爾的製造工藝是65nm45nm32nm22nm14nm10nm這樣的,臺積電當年為了營銷目的,開發了原本適用於nand快閃記憶體的28nm製造工藝,實際上和英特爾的32nm是同一代產品。

    32nm或者說28nm工藝,英特爾在2010年左右研發成功並實現大規模量產,而臺積電和三星則是在2011年實現了大規模量產。英特爾的22nm工藝在2011年底實現了量產。

    從這裡看來,我們的差距很大。28nm距離目前三星的頂級工藝差了整整三代,這幾乎需要五年的時間去追趕。晶片製造工藝需要大量的資金,還需要技術的積累,顯然,中國並沒有這樣的技術積累。

  • 3 # 數字詩經

    與三星的差距是很大的,三星都開始準備生產5nm的晶片了。28nm晶片只能用於低檔手機,但中芯國際正在追趕,相信不遠的將來會趕超世界先進水平。

  • 4 # 愛國的椰風

    如果中國能向美國學習,即在關鍵科技落後於別人的時候先把住自己的市場,讓市場孵化拉動本國企業發展,如美國即使使用4G,也要拒絕華為先進的5G技術以保住國內市場。由於中國市場遠大於美國市場,用不了2年,中芯就能生產7nm晶片。

  • 5 # 嘮叨聊科技

    28nm技術是臺積電弄出來的,臺積電當年為了營銷目的,開發了原本適用於nand快閃記憶體的28nm製造工藝,實際上和英特爾的32nm是同一代產品。

    從這裡看來,我們的差距很大。28nm距離目前三星的頂級工藝差了整整三代,這幾乎需要五年的時間去追趕。晶片製造工藝需要大量的資金,還需要技術的積累,顯然,中國並沒有這樣的技術積累。但是,落後會趕上,將來會超過他們,這沒有什麼懸念,中國一定行。

  • 6 # qifang64169378

    不幹微電子的就只看多少奈米,其實吧,能用到7奈米的晶片也就頂級FPGA和CPU,大量的ASIC晶片,數字晶片,模擬晶片都在用14nm,28nm,90nm,.18,甚至.35工藝,設計水平的重要性不比加工水平的重要性低,國家的進步和努力還是很大的,起碼很多design house的水平已經達到了先進水平

  • 7 # 高球手

    28到現在領先的7nm,要至少通過finfet (把電晶體側過來放),和多次掩模。都是大關口。不是簡單的shrink。

  • 8 # 科飛貓科技公社

    但是由於精度越高,技術要求也大幅度增加。這就意味著精度的升級速度越來越大,升級速度也會越來越慢。所以從表面上來看,28nm和7nm相差不大,但這中間至少相差幾年甚至幾十年的過程。這說明中芯國際與當前最先進的晶片製造工藝還有一段不小的差距。

  • 9 # 淺藍銫2

    不懂半導體的覺得差距不大,國家支援幾年就能追上,懂行的知道基本沒什麼可能追上,其它行業可以,什麼原子彈氫彈航母飛機,都有可能追上至少都能做出來,半導體恰恰是個例外,行業特點完全和其它產業反過來。國家力量都比較難。

  • 10 # 大可子66097596

    當年火柴蠟燭都生產不了的中國,現在可以做晶片了,雖然有差距,但進步是巨大的,你可以跪著舔三星,而其他中中國人在站著前進,你不害臊嗎?

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