根據VlSI research的資料，2018年，半導體裝置製造市場約為502億美元，其中刻蝕裝置佔比30%，薄膜沉積裝置佔25%，光刻裝置佔23%，前道檢測裝置佔13%，剩下還有拋光裝置、離子注入裝置、清洗裝置和擴散裝置。這其中，刻蝕、薄膜沉積和光刻被稱為半導體制造的三大核心工業。
刻蝕裝置按照工藝劃分為幹法刻蝕和溼法刻蝕，幹法為目前的主流方式，其中以等離子幹法刻蝕為主導。全球刻蝕裝置做的最好的公司包括：美國的泛林、應用材料和日本的TEL，2019年，泛林一家佔全球刻蝕裝置市場份額達到52%、TEL20%、應用材料19%，三家合計91%。中微半導體是國內刻蝕裝置的龍頭企業，技術實力不容小視，中微的電容性ccp等離子體刻蝕裝置已在臺積電核准5mn的若干關鍵步驟的加工。在中芯國際的刻蝕裝置招標中，中微公司位列第二，僅次於泛林。
再來看看薄膜沉積裝置，沉積是半導體制造工藝中一個非常重要的技術，其是一連串設計原子的吸附、吸附原子在表面的擴散及在適當的位置凝結以漸漸形成薄膜併成長的過程。在該領域應用材料、泛林、TEL仍舊處於非常領先的位置。中國產裝置在薄膜沉積領域存量非常低，只有2%，主要有北方華創和瀋陽拓荊，北方華創是國內在半導體裝置領域佈局最廣的公司，對標美國的應用材料。這兩家公司的裝置水平已經達到14mn級別，但是更先進的製程都還在研發中。
光刻裝置：除了光刻機還有塗膠顯影機，國內芯源微在做，但是體量非常小。光刻機的高階EUV份額全在荷蘭的ASML手裡。國內的理論技術水平大概解析度在22mn，結合雙爆技術，未來可以製造10mn級別的晶片。國內做光刻機的主要有三個機構：上海微電子、中科院長春光學精密機械與物理研究所和中電科，目前這個領域尤其是高階程序被ASML卡脖子嚴重，技術突破主要盯著上海微電子就好了。
根據VlSI research的資料，2018年，半導體裝置製造市場約為502億美元，其中刻蝕裝置佔比30%，薄膜沉積裝置佔25%，光刻裝置佔23%，前道檢測裝置佔13%，剩下還有拋光裝置、離子注入裝置、清洗裝置和擴散裝置。這其中，刻蝕、薄膜沉積和光刻被稱為半導體制造的三大核心工業。
刻蝕裝置按照工藝劃分為幹法刻蝕和溼法刻蝕，幹法為目前的主流方式，其中以等離子幹法刻蝕為主導。全球刻蝕裝置做的最好的公司包括：美國的泛林、應用材料和日本的TEL，2019年，泛林一家佔全球刻蝕裝置市場份額達到52%、TEL20%、應用材料19%，三家合計91%。中微半導體是國內刻蝕裝置的龍頭企業，技術實力不容小視，中微的電容性ccp等離子體刻蝕裝置已在臺積電核准5mn的若干關鍵步驟的加工。在中芯國際的刻蝕裝置招標中，中微公司位列第二，僅次於泛林。
再來看看薄膜沉積裝置，沉積是半導體制造工藝中一個非常重要的技術，其是一連串設計原子的吸附、吸附原子在表面的擴散及在適當的位置凝結以漸漸形成薄膜併成長的過程。在該領域應用材料、泛林、TEL仍舊處於非常領先的位置。中國產裝置在薄膜沉積領域存量非常低，只有2%，主要有北方華創和瀋陽拓荊，北方華創是國內在半導體裝置領域佈局最廣的公司，對標美國的應用材料。這兩家公司的裝置水平已經達到14mn級別，但是更先進的製程都還在研發中。
光刻裝置：除了光刻機還有塗膠顯影機，國內芯源微在做，但是體量非常小。光刻機的高階EUV份額全在荷蘭的ASML手裡。國內的理論技術水平大概解析度在22mn，結合雙爆技術，未來可以製造10mn級別的晶片。國內做光刻機的主要有三個機構：上海微電子、中科院長春光學精密機械與物理研究所和中電科，目前這個領域尤其是高階程序被ASML卡脖子嚴重，技術突破主要盯著上海微電子就好了。