數字表測電容不大好測，要看被測電容的容量，容量太小的電容如果用指標表的歐姆檔方法根本就看不到結果（電容內部短路除外），因為數字表不象指標表能那麼直觀的觀察到數值變化。

一般測量可以用以下方法：

建議用指標表的歐姆檔測量，電容容量越小則用越高的檔，一般1uF以下用Rx10K，10uF以下用Rx1K，以此類推。用表筆接觸電容的兩個引腳，觀察指標的擺動，如指標擺動過中心刻度後即往回擺動直至無窮大，過數秒至數分鐘後再次測試（電容容量大則適當延長時間），如果指標擺動幅度沒有第一次的幅度大或只有很少的擺動則可認為電容是好的。

如果手頭上只有數字表，容量大點的電容（5uF以上）可以參考以上方法，觀察數字由大變小可大致知道結果。不過現在一般數字表都有電容檔可以很方便的測量。

1、使用數字萬用表檢查可控矽數字萬用表撥至二極體擋，紅表筆接某一電極，黑表筆分別 接觸另外兩個電極。如果其中有一次顯示電壓為零點幾伏， 則此時紅表筆接的是控制極G，黑表筆接的是陰極K，餘下 的則是陽極A。假如兩次都顯示溢位，說明紅表筆接的不是 控制極，需更換電極重測。測試可控矽的觸發能力數字萬用 PNP擋，此時 hFE 插口上的兩個 帶負電，電壓為2.8V。可控矽的三個電極各用一根導線引出，陽極A、陰極K 引線分別插人E 孔，控制極G懸空。 此時可控矽關斷，陽極電流為零，將顯示 000。把控制極 插人另一個E孔。顯示值將從000 開始迅速增加，直到顯示 溢位符號後，立即又變成 000，然後再次從 000 變到溢位， 這樣週而復始。採用此法可確定可控矽的觸發是否可靠。但 這樣的測試由於電流較大，應儘量縮短測試時間。必要時也可在可控矽的陽極上串一隻幾百歐的保護電阻。如果使用 NPN 擋，可控矽陽極A 應接C 孔，陰極K 孔，以保證所加的是正向電壓。拓展資料：一、可控矽：可控矽(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱閘流體。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控制元件控制大功率裝置。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。可控矽分單向可控矽和雙向可控矽兩種。雙向可控矽也叫三端雙向可控矽，簡稱TRIAC。雙向可控矽在結構上相當於兩個單向可控矽反向連線，這種可控矽具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈衝(或負脈衝)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。二、測量方法：鑑別可控矽三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通） [1] 。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的範圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極體特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流透過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控矽是可控矽整流元件的簡稱，是一種具有三個PN接面的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控矽的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控矽和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相採用的元件。參考資料：百度百科可控矽