黑矽技術是解決該問題的主要路徑。該技術解決了金剛線切多晶矽片的反射率過高問題，由於表面反射率的降低，矽片光吸收能力提升，還能附帶一定電池效率的提升。因此，金剛線切多晶矽片搭配黑矽技術的工藝，既能降低矽片成本又能提升電池效率，是多晶電池繼續進步的必由之路。這種降本增效的方案已被大多數多晶電池的製造廠商認可。 目前，黑矽技術的成熟技術路線主要有幹法(RIE)黑矽和溼法(MCCE)黑矽兩種。兩種技術對矽片表面不良尤其是線痕都有很好的處理，且提效非常明顯，幹法黑矽可提升效率0.4%~0.7%，溼法黑矽有0.3%~0.5%的效率增益，但幹法黑矽的投資成本相對溼法較高。兩種技術路線對比如下表所示。 從目前金剛線切多晶和溼法黑矽技術配套的情況來看，金剛線切多晶改造直接降本0.5-0.8元/片，阿特斯等企業的黑矽加工成本控制在0.1元/片，功率增益提升至5瓦。按照當前的元件價格計算，黑矽元件有0.05元/瓦的增益，而成本只上升了0.02元/瓦左右，疊加溼法黑矽技術以後收益大於增加的成本。黑矽技術還有一個優點，多晶黑矽疊加PERC技術後可得到額外收益，可以實現“1+1>2”的效果，協鑫整合量產黑矽PERC電池效率已經超過21%。 黑矽技術對導電漿料提出更高要求 由於透過黑矽技術處理後的絨面較常規砂漿片更小更細，對於附著力小的漿料容易出現虛印、斷柵等問題。因此，黑矽電池對導電漿料的拉力和金屬化接觸等方面提出了更高的要求。 不同型別的的黑矽絨面結構的不同，正銀漿料在不同黑矽絨面上的表現也不相同。幹法黑矽和普通多晶相比，對漿料的要求區別不大。溼法黑矽相比正常多晶絨面，使用普通正銀的主柵焊接拉力可能丟失大於50%，更嚴重的情況下，細柵的附著力也會受到影響甚至脫落。因此，拉力高的漿料產品在溼法黑矽上具有明顯的優勢。 亞化諮詢認為，2018年光伏製造行業規範條件提高了新建和改擴建專案的技術准入門檻，愈趨激烈的光伏企業間的競爭將主要集中於技術與效率。在單晶市佔不斷提升的情況下，應用金剛線切多晶矽片搭配黑矽技術是提升多晶產品競爭力的必由之路。未來，黑矽技術有望成為高效多晶量產的主流工藝路線，將為適用於黑矽技術的導電漿料帶來巨大的市場機遇。 無錫尚德自主研發的溼法黑矽電池已成功量產，在提升電池轉換效率及元件功率方面均取得了突破性進展。目前，無錫尚德的黑矽產線正處於積極佈局擴產中，預計到2018年第一季度，無錫尚德黑矽電池產能將達到500MW。

多晶矽片中具有若干不同晶向的晶體，因此單晶廣泛應用NaOH溶液各向異性制絨工藝並不適用於多晶制絨。目前通行的多晶矽制絨工藝主要是HF/HNO3混合溶液的缺陷腐蝕制絨法，此方法制絨後的矽片反射率約為18%，高於常規單晶制絨後11%的反射率，不利於多晶電池對入射光線的有效吸收。為了進一步降低多晶矽片制絨後的反射率，採用特殊制絨工藝在多晶矽片表面形成奈米結構，增加有效多晶矽片對入射光線的吸收。採用這種制絨工藝生產的多晶電池有更低的反射率，此方法制絨的多晶電池從肉眼來看比普通多晶電池更黑，因此這種工藝被稱為黑矽制絨。

太陽能電池最早是用單晶矽材料，後來發展出多晶矽材料。早期多晶矽光電池轉換率只有12%左右，單晶矽光電池可以做到18%以上，但是多晶矽成本很低。現在單晶矽光電池的進步已經可以做到轉換率20%以上，航天單晶矽太陽能電池板在太空中的轉換率可以達到驚人的50%。單晶矽製取工藝複雜、成本高，它是用單一晶核仔晶拉出來的矽棒，然後再切片拋光製作PN接面。多晶矽是生長出來的，不限晶核數，所以叫多晶矽。無論單晶矽還是多晶矽，做成的電池表面都是拋光的，然後再做一層氧化，就是生長一層二氧化矽。二氧化矽本身是完全透明的，但是因為這個生長層的厚度原因，它反射藍光，所以看上去是藍色的。不同的厚度還可以反射金光，看上去就是金色的。這個藍色的矽光電池叫做“藍矽”，他把太Sunny中的藍色部分反射了，沒有吸收。現在最新的矽光電池在電池的表面做一層鈍化，這個鈍化層的成分主要還是二氧化矽，但是裡面摻了雜質。這個鈍化層不是在原來的拋光表面生長的，而是沉積上去的，所以它的表面不是光亮的，而是凹凸不平、疙疙瘩瘩的。透過摻雜和不規則物理形狀，這層鈍化層可以把矽光電池表面的光反射大大降低，甚至可以降到1%以下。既然這個新的矽光電池表面不反光，它當然就成了黑色的，這就是所謂的“黑矽”。採用黑矽技術製造的太陽能電池轉換效率可以有大幅度提高，因為它差不多把太Sunny都吸收了。黑色多晶矽太陽能電池轉換率現在也能達到18%以上，和單晶矽相差無幾。還有一種非晶矽，就是說它不是矽晶體，就是在襯底上用各種方式塗上一層非晶態矽，然後做PN接面。這種太陽能電池成本更低，但是轉換率也很低，只有10%。目前轉換率最高的是砷化鎵太陽能電池，可以達到29%，但是工藝太複雜，成本太高。砷化鎵光電器件現在主要用在軍事上，夜視儀和光學瞄準具等等。