DRAM，動態隨機存取儲存器，需要不斷的重新整理，才能儲存資料。 而且是行列地址複用的，許多都有頁模式。 SRAM，靜態的隨機存取儲存器，加電情況下，不需要重新整理，資料 不會丟失，而且，一般不是行列地址複用的。 SDRAM，同步的DRAM，即資料的讀寫需要時鐘來同步。 DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現在，SDRAM的速度也已經很快了，時鐘好像已經有150兆的了。那麼就是讀寫週期小於10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時鐘週期是7.5ns，當CAS latency=2 時，它需要12個週期完成8個突發讀操作，10個週期完成8個突發寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個週期完成一個讀寫操作（當然除去重新整理操作）。其實現在的主流高速儲存器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。 SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態隨機訪問儲存器，它是一種型別的半導體儲存器。“靜態”是指只要不掉電，儲存在SRAM中的資料就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行週期性的重新整理操作。 然後，我們不應將SRAM與只讀儲存器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性儲存器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持資料。“隨機訪問”是指儲存器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。 SRAM中的每一位均儲存在四個電晶體當中，這四個電晶體組成了兩個交叉耦合反向器。這個儲存單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問電晶體用於控制讀或寫操作過程中儲存單元的訪問。因此，一個儲存位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址複用的結構。 SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM