作為電子開關用，MOS管內阻比較小，自身發熱量很小，透過電流值可以很大。

三極體內阻比較大，會發熱，電流大了，需要加散熱器不然會燒掉

如果是低頻開關電路，可以選三極體，高頻的要選MOS管。三極和一般工作線上性區，比如做一些線性電源。

MOS管就要工作在完全開通狀態。MOS管最關鍵的幾個引數：ds電流、sd之間的耐壓、gs的開啟電壓、輸入電容、導通電阻、熱阻，MOS管開通太快容易產生EMI干擾，開透過慢又會增加功耗，驅動電路要仔細設計。

三極體最關鍵的幾個引數：放大倍數（要保證飽和導通需求的基極電流）、ce極電流、ce極耐壓、ce開通後的壓降MOS管適合並聯，三極體不行

電子元器件都有電氣引數，在選型時要給電子元器件留夠餘量才能保證電子元器件穩定、長久的工作。藉助這個題目簡單介紹一下三極體和MOS管的選型方法。

三極體是流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者存在相似之處，在選型時需要考慮耐壓、電流等引數。

三極體的集電極C和發射極E之間所能承受的最大電壓引數為V(BR)CEO，工作時CE之間的電壓不能超過規定的數值，否則三極體會永久性損壞，以9013為例VCEO為25V，即CE之間最大不能超過25V。

MOS管在使用時漏極D和源極S之間也存在最大電壓，MOS管在工作時DS兩端的電壓不能超過規定值。一般而言MOS管的耐壓值比三極體的耐壓值高很多。

從工作穩定性考慮，一般要留有30%-50%，甚至更多的餘量。

三極體有ICM引數，即集電極的過電流能力，MOS管的過電流能力用ID來表示。電流工作時流過三極體/MOS管的電流不能超過規定值，否則器件被燒壞。

從工作穩定性考慮，一般要留有30%-50%，甚至更多的餘量。

任何晶片都有工作溫度這個引數，按照工作溫度一般可以分為三類：

商業級晶片：一般範圍為0至+70℃；

工業級晶片：一般範圍為-40至+85℃；

軍工級晶片：一般範圍為-55℃至+150℃；

要根據產品的使用場合選擇合適的晶片。

三極體和MOS管都有開關頻率/響應時間的引數，如果是用在高頻電路中必須考慮開關管的響應時間是否滿足使用條件。

如MOS管的導通電阻Ron引數，MOS管的VTH開啟電壓等。

三極體和MOS管都是很常用的電子元器件，兩者都可以作為電子開關管使用，而且很多場合兩者都是可以互換使用的。三極體和MOS管作為開關管時，有很多相似之處，也有不同之處，那麼在電路設計時，兩者之間該如何選擇呢？

三極體有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極體的三個引腳分別是基極B、集電極C和發射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。下文以NPN三極體和N溝道MOS管為例，下圖為三極體和MOS管控制原理。

▲NPN三極體與N-MOS管當開關管原理

（1）控制方式不同，三極體是電流型控制元器件，而MOS管是電壓控制元器件，三極體導通所需的控制端的輸入電壓要求較低，一般0.4V~0.6V以上就可以實現三極體導通，只需改變基極限流電阻即可改變基極電流。而MOS管為電壓控制，導通所需電壓一般4V~10V左右，且達到飽和時所需電壓一般6V~10V左右。在控制電壓較低的場合一般使用三極體作為開關管，也可以先使用三極體作為緩衝控制MOS管，比如微控制器、DSP、powerPC等處理器I/O口電壓較低，只有3.3V或2.5V，一般不會直接控制MOS管，電壓較低MOS管無法導通或內阻很大內耗大而達不到實際效果，這種情況下一般使用三極體控制。

（2）輸入阻抗不同，三極體的輸入阻抗小，MOS管的輸入阻抗大；結電容不一樣，三極體的結電容要比MOS管大，動作相應上MOS管要比三極體快一些；穩定性方面MOS管更優，三極體的少子參與導電，比較容易受到溫度的影響，噪聲較高，而MOS管是多子導電，噪聲小，熱穩定性好。

（3）MOS管內阻很小，大一點的幾十mΩ，小的只有幾mΩ，比如4mΩ、2mΩ等，而三極體的導通壓降幾乎不變，一般為0.3V~0.6V左右，所以一般在小電流場合比較喜歡使用MOS管，內阻小壓降低，但是大電流場合一般使用三極體，比如幾百A，或上千A甚至幾千A的電流時，使用三極體其導通壓降只有0.3V~0.6V左右，而使用MOS管即使內阻很小，但是電流很大，壓降仍然很大，比如內阻2mΩ，電流1000A，那麼壓降高達2V，功耗很大，高達2000W，使用三極體功耗只有300W~600W左右，電流越大其差異越明顯，所以在汽車、高鐵等幾千安培的大電流場合，都是採用三極體作為開關管的。