今天三星公司將會舉行Samsung Tech Day，其中宣佈的重點包括了7nm EUV工藝、SmartSSD（FPGA SSD）、資料中心的QLC-SSD、256GB 3DS RDIMM記憶體，那麼與我們關係最密切的莫過於7nm EUV工藝量產，三星表示7nm LPP對比現有的10nm FinFET工藝，可以實現提升40%面積能效、效能增加20%、功耗降低50%目標。
目前奈米工藝推進遇到了極限問題，主要是由製造裝置帶來，具體來說就是光刻機的解析度制約，想要刻畫出精細、只有數奈米寬度線條，對於光源聚集效能要求非常高。解析度越高，刻畫的線條越精細越清晰。但凡是光源總會有衍射問題，想要克服衍射問題，就必須使用波長越短的光來刻畫電晶體掩模。
很久以前用的是Hg光源，100-80nm工藝以後開始使用248nm的KrF光源，此後一直使用193nm的ArF光源，不過對於7nm以下工藝來說，需要用到全新的EUV光源，波長可以下降到只有13nm長，這被視為7nm工藝的重要技術組成部分。
目前三星宣佈已經完成了整套7nm EUV工藝的技術流程開發以及產線部署，進入了可量產階段。三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學掩模流程，整個製造過程更加簡單了，節省了時間和金錢，又可以實現40%面積能效提升、效能增加20%、功耗降低50%目標。
因此7nm EUV工藝才是半導體制造關鍵性節點，絕大部分半導體廠商都將會在此工藝上停留非常長的時間（喜歡改名字另當別論），往後5nm、3nm工藝攻堅難度更加大了，遇到是半導體材料物理極限，而非光源極限問題那麼“簡單”。
三星還說7nm LPP工藝將會在南韓華城的S3工廠展開，2020年前再新開一條產線生產相關晶片，滿足市場所需。你猜哪一家產品會率先用上7nm EUV工藝？
今天三星公司將會舉行Samsung Tech Day，其中宣佈的重點包括了7nm EUV工藝、SmartSSD（FPGA SSD）、資料中心的QLC-SSD、256GB 3DS RDIMM記憶體，那麼與我們關係最密切的莫過於7nm EUV工藝量產，三星表示7nm LPP對比現有的10nm FinFET工藝，可以實現提升40%面積能效、效能增加20%、功耗降低50%目標。
目前奈米工藝推進遇到了極限問題，主要是由製造裝置帶來，具體來說就是光刻機的解析度制約，想要刻畫出精細、只有數奈米寬度線條，對於光源聚集效能要求非常高。解析度越高，刻畫的線條越精細越清晰。但凡是光源總會有衍射問題，想要克服衍射問題，就必須使用波長越短的光來刻畫電晶體掩模。
很久以前用的是Hg光源，100-80nm工藝以後開始使用248nm的KrF光源，此後一直使用193nm的ArF光源，不過對於7nm以下工藝來說，需要用到全新的EUV光源，波長可以下降到只有13nm長，這被視為7nm工藝的重要技術組成部分。
目前三星宣佈已經完成了整套7nm EUV工藝的技術流程開發以及產線部署，進入了可量產階段。三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學掩模流程，整個製造過程更加簡單了，節省了時間和金錢，又可以實現40%面積能效提升、效能增加20%、功耗降低50%目標。
因此7nm EUV工藝才是半導體制造關鍵性節點，絕大部分半導體廠商都將會在此工藝上停留非常長的時間（喜歡改名字另當別論），往後5nm、3nm工藝攻堅難度更加大了，遇到是半導體材料物理極限，而非光源極限問題那麼“簡單”。
三星還說7nm LPP工藝將會在南韓華城的S3工廠展開，2020年前再新開一條產線生產相關晶片，滿足市場所需。你猜哪一家產品會率先用上7nm EUV工藝？