首先是接觸電阻的檢測 透過在顯微鏡下觀察聯結器接觸件的表面我們發現：儘管鍍金層十分光滑，則仍能觀察到5-10微米的凸起部分。
會看到插合的一對接觸件的接觸，並不是整個接觸面的接觸，而是散佈在接觸面上一些點的接觸。
實際接觸面必然小於理論接觸面。
根據表面光滑程度及接觸壓力大小，兩者差距有的可達幾千倍。
實際接觸面可分為兩部分；一是真正金屬與金屬直接接觸部分。
即金屬間無過渡電阻的接觸微點，亦稱接觸斑點，它是由接觸壓力或熱作用破壞介面膜後形成的。
這部分約佔實際接觸面積的5-10%。
二是透過接觸介面汙染薄膜後相互接觸的部分。
綜上所述，真正接觸電阻應由以下幾部分組成；
1) 集中電阻
電流透過實際接觸面時，由於電流線收縮（或稱集中）顯示出來的電阻。
將其稱為集中電阻或收縮電阻。
2) 膜層電阻
由於接觸表面膜層及其他汙染物所構成的膜層電阻。
從接觸表面狀態分析；表面汙染膜可分為較堅實的薄膜層和較鬆散的雜質汙染層。
故確切地說，也可把膜層電阻稱為介面電阻。
3) 導體電阻
實際測量電聯結器接觸件的接觸電阻時，都是在接點引出端進行的，故實際測得的接觸電阻還包含接觸表面以外接觸件和引出導線本身的導體電阻。
導體電阻主要取決於金屬材料本身的導電效能，它與周圍環境溫度的關係可用溫度係數來表徵。
在實際測量接觸電阻時，常使用按開爾文電橋四端子法原理設計的接觸電阻測試儀（毫歐計），其專用夾具夾在被測接觸件端接部位兩端，故實際測量的總接觸電阻R由以下三部分組成，可由下式表示：
R= RC + Rf + Rp,式中：RC—集中電阻；Rf—膜層電阻；Rp—導體電阻。
接觸電阻檢驗目的是確定電流流經接觸件的接觸表面的電觸點時產生的電阻。
如果有大電流透過高阻觸點時，就可能產生過分的能量消耗，並使觸點產生危險的過熱現象。
在很多應用中要求接觸電阻低且穩定，以使觸點上的電壓降不致影響電路狀況的精度。
測量接觸電阻除用毫歐計外,也可用伏-安計法,安培-電位計法。
其次是絕緣電阻檢驗 絕緣電阻是指在聯結器的絕緣部分施加電壓，從而使絕緣部分的表面或內部產生漏電流而呈現出的電阻值。
即絕緣電阻（MΩ）=加在絕緣體上的電壓（V）/洩漏電流（μA）。
透過絕緣電阻檢驗確定聯結器的絕緣效能能否符合電路設計的要求或經受高溫、潮溼等環境應力時，其絕緣電阻是否符合有關技術條件的規定。
絕緣電阻是設計高阻抗電路的限制因素。
絕緣電阻低，意味著漏電流大，這將破壞電路的正常工作。
例如形成反饋迴路，過大的漏電流所產生的熱和直流電解，將使絕緣破壞或使聯結器的電效能變劣。
絕緣電阻主要受絕緣材料、溫度、溼度、汙損、試驗電壓及連續施加測試電壓的持續時間等因素影響。
介質耐壓檢驗 介質耐壓檢驗又稱抗電強度檢驗。
它是在聯結器接觸件與接觸件之間、接觸件與殼體之間，在規定時間內施加規定的電壓，以此來確定聯結器在額定電壓下能否安全工作，能否耐受由於開關浪湧及其它類似現象所導致的過電位的能力，從而評定電聯結器絕緣材料或絕緣間隙是否合適。
如果絕緣體內有缺陷，則在施加試驗電壓後，必然產生擊穿放電或損壞。
擊穿放電錶現為飛弧（表面放電）、火花放電（空氣放電）或擊穿（擊穿放電）現象。
過大漏電流可能引起電引數或物理效能的改變。
由於過電位，即使是在低於擊穿電壓時也可能有損於絕緣或降低其安全係數。
所以應當慎重地進行介質耐壓檢驗。
首先是接觸電阻的檢測 透過在顯微鏡下觀察聯結器接觸件的表面我們發現：儘管鍍金層十分光滑，則仍能觀察到5-10微米的凸起部分。
會看到插合的一對接觸件的接觸，並不是整個接觸面的接觸，而是散佈在接觸面上一些點的接觸。
實際接觸面必然小於理論接觸面。
根據表面光滑程度及接觸壓力大小，兩者差距有的可達幾千倍。
實際接觸面可分為兩部分；一是真正金屬與金屬直接接觸部分。
即金屬間無過渡電阻的接觸微點，亦稱接觸斑點，它是由接觸壓力或熱作用破壞介面膜後形成的。
這部分約佔實際接觸面積的5-10%。
二是透過接觸介面汙染薄膜後相互接觸的部分。
綜上所述，真正接觸電阻應由以下幾部分組成；
1) 集中電阻
電流透過實際接觸面時，由於電流線收縮（或稱集中）顯示出來的電阻。
將其稱為集中電阻或收縮電阻。
2) 膜層電阻
由於接觸表面膜層及其他汙染物所構成的膜層電阻。
從接觸表面狀態分析；表面汙染膜可分為較堅實的薄膜層和較鬆散的雜質汙染層。
故確切地說，也可把膜層電阻稱為介面電阻。
3) 導體電阻
實際測量電聯結器接觸件的接觸電阻時，都是在接點引出端進行的，故實際測得的接觸電阻還包含接觸表面以外接觸件和引出導線本身的導體電阻。
導體電阻主要取決於金屬材料本身的導電效能，它與周圍環境溫度的關係可用溫度係數來表徵。
在實際測量接觸電阻時，常使用按開爾文電橋四端子法原理設計的接觸電阻測試儀（毫歐計），其專用夾具夾在被測接觸件端接部位兩端，故實際測量的總接觸電阻R由以下三部分組成，可由下式表示：
R= RC + Rf + Rp,式中：RC—集中電阻；Rf—膜層電阻；Rp—導體電阻。
接觸電阻檢驗目的是確定電流流經接觸件的接觸表面的電觸點時產生的電阻。
如果有大電流透過高阻觸點時，就可能產生過分的能量消耗，並使觸點產生危險的過熱現象。
在很多應用中要求接觸電阻低且穩定，以使觸點上的電壓降不致影響電路狀況的精度。
測量接觸電阻除用毫歐計外,也可用伏-安計法,安培-電位計法。
其次是絕緣電阻檢驗 絕緣電阻是指在聯結器的絕緣部分施加電壓，從而使絕緣部分的表面或內部產生漏電流而呈現出的電阻值。
即絕緣電阻（MΩ）=加在絕緣體上的電壓（V）/洩漏電流（μA）。
透過絕緣電阻檢驗確定聯結器的絕緣效能能否符合電路設計的要求或經受高溫、潮溼等環境應力時，其絕緣電阻是否符合有關技術條件的規定。
絕緣電阻是設計高阻抗電路的限制因素。
絕緣電阻低，意味著漏電流大，這將破壞電路的正常工作。
例如形成反饋迴路，過大的漏電流所產生的熱和直流電解，將使絕緣破壞或使聯結器的電效能變劣。
絕緣電阻主要受絕緣材料、溫度、溼度、汙損、試驗電壓及連續施加測試電壓的持續時間等因素影響。
介質耐壓檢驗 介質耐壓檢驗又稱抗電強度檢驗。
它是在聯結器接觸件與接觸件之間、接觸件與殼體之間，在規定時間內施加規定的電壓，以此來確定聯結器在額定電壓下能否安全工作，能否耐受由於開關浪湧及其它類似現象所導致的過電位的能力，從而評定電聯結器絕緣材料或絕緣間隙是否合適。
如果絕緣體內有缺陷，則在施加試驗電壓後，必然產生擊穿放電或損壞。
擊穿放電錶現為飛弧（表面放電）、火花放電（空氣放電）或擊穿（擊穿放電）現象。
過大漏電流可能引起電引數或物理效能的改變。
由於過電位，即使是在低於擊穿電壓時也可能有損於絕緣或降低其安全係數。
所以應當慎重地進行介質耐壓檢驗。