MOS管是電路設計中常用的功率開關器件，是壓控型的，有三個電極，分別是：柵極G、源極S、漏極D。MOS管分為NMOS和PMOS，其電路符號如下圖所示。

MOS管的柵極G是控制端，名字為gate，在G端加入高低電平即可控制MOS管的開斷。對於NMOS而言，要求Vgs>0時，MOS管導通，否則MOS關斷；對於PMOS而言，要求Vgs<0時,MOS管導通，否則MOS關斷。

源極，名字為Source，簡稱S。對NMOS而言，源極S是流出端，對PMOS而言，源極S是流入端。

漏極，名字為Drain，簡稱D。對NMOS而言，漏極D是流入端，對PMOS而言，源極S是流出端。

MOS管常用的封裝有TO-220,TO-263,SOT23等，一般從左往右的順序為G、S、D，對於具體的晶片大家可以查閱其datasheet。

MOS管有三個引腳，分別是柵極、源極和漏極

MOS管電壓控制型的元件，常常用於直流負載的開關控制。由背靠背的PN接面組成，可以分為N MOS管和P MOS管。MOS管有三個引腳，分別是柵極(G)、源極(S)和漏極(D)

柵極(G):MOS管的控制引腳，G的全稱是Gate，當在柵極(G)施加電壓後，柵極(G)和矽襯底之間的SiO2絕緣層中就會產生一個柵極(G)指向矽襯底的電場。氧化物層兩邊形成一個電容，門極電壓等於對電容充電，受電壓吸引，電容另一邊聚集大量電子，形成導電溝道，MOS管開始導通。

漏極(D):D的全稱是Drain，對於N MOS管，電流從漏極(D)流入，對於P MOS管，電流從漏極(D)流出。

源極(S):S的全稱是Source，對於N MOS管，電流從源極(S)流出，對於P MOS管，電流從源極(S)流入。

其實MOS管導通後，電流可以從漏極(D)流向源極(S)，也可以從源極(S)流向漏極(D)。

MOS管是電壓驅動型的器件，和三極體是不同的，只有柵極(G)電壓大於門極開啟電壓（Vgs)才可以導通。

N溝道MOS管：DR為高電平時導通（Vgs為正電壓），當然Vgs要達到它的門極開啟電壓。

P溝道MOS管：DR為低電平時導通（Vgs為負電壓），當然Vgs要達到它的門極開啟電壓。

如果微控制器的GPIO驅動電壓不足，我們可以加入三極體來協助驅動，GPIO驅動三極體的通斷，MOS管則透過三極體集電極的電壓來進行驅動。

MOS管的全名叫MOSFET稱為金屬-氧化物-半導體場效電晶體，這個半導體器件是在開關電源電路中常常用的到，比如在電腦主機板中的各種供電電源就使用了好多MOS管。

下面我們說說MOS管的一些特性進一步認識這個器件。這種管子分為兩大類，一類是增強型，另一類是耗盡型。

耗盡型MOS管可分為N溝道和P溝道，這兩種MOS管的工作原理是基本相同的。那麼下面就讓我們以N溝道MOS管作為例子來說說這個器件的結構吧。我們從外觀可以看到耗盡型MOS管有三個引腳我們分別稱它為漏極（D極）、源極（S極）和柵極（G極）。

當我們不給柵極（G極）和源極（S極）之間加電壓的時候，即UGS=0V時，漏極（D極）和源極（S極）之間是有溝道存在的，這時候漏極電流ID是不為零的；當給柵極（G極）和源極（S極）之間加負電壓的時候，即UGS<0V時，那麼溝道寬度會隨UGS的變化而變化，這時候漏極電流ID就會有變化。

我們要知道，耗盡型NMOS管在工作時柵極（G極）和源極（S極）之間要加負電壓；

耗盡型PMOS管在工作時柵極（G極）和源極（S極）之間要加正電壓。

增強型MOS管同樣也分為N溝道和P溝道。從外觀看也是有三個極，分別是漏極（D極）、源極（S極）和柵極（G極）。與耗盡型MOS管不同的是當UGS=0V時，是沒有導電溝道的，也就是說漏極電流ID=0A。

對於增強型MOS管來說當我們不給柵極（G極）和源極（S極）之間加電壓的時候，即UGS=0V時，漏極（D極）和源極（S極）之間沒有溝道，這時候漏極電流ID是為零的；當給柵極（G極）和源極（S極）之間加合適電壓的時候（一般大於開啟電壓UT時），即UGS>0V時，那麼溝道寬度會隨UGS的變化而變化，這時候漏極電流ID就會有變化。

這時我們也要知道，增強型NMOS管在工作時柵極（G極）和源極（S極）之間要加正電壓，即UGS<0V，漏極（D極）和源極（S極）之間才會形成溝道；而對於增強型PMOS管在工作時柵極（G極）和源極（S極）之間要加負電壓，即UGS<0V，漏極（D極）和源極（S極）之間才會形成溝道；