近日召開的國際快閃記憶體技術峰會(Flash Memory Summit)上，東芝公佈的內容乾貨滿滿。不僅憑藉著最新推出的XFMExpress標準贏得了今年的“Best of Show”（展會最佳）大獎，還公佈了諸多業內領先的前沿儲存技術。
東芝正在擁抱PCIe 4.0和諸多新的儲存技術，包括全新的PCIe 4.0 NVMe固態硬碟，釋出了XL-Flash Storage Class Memory (SCM)，提供native NVMe over fabrics (NVMe-oF)的乙太網固態硬碟等等。甚至在展會上，東芝還提及了即將到來的BiCS FLASH，包括五層單元（PLC）NAND開發。
在東芝的主題演講中，該公司發言人不僅探討了公司的XL-Flash技術，而且還談及了未來發展的一些有趣觀點。
東芝表示已經計劃從第五代BiCS Flash朝著第七代發展。每代產品革新都契合PCIe標準。從BiCS 5開始，很快將與PCIe 4.0一起上市，但該公司尚未提供具體的時間表。 BiCS5將具有1,200MT / s的更高頻寬，而BiCS6將達到1,600MT / s，而BiCS7將達到2,000MT / s。
目前公司已經著手Penta-level五層單元（PLC）NAND快閃記憶體的研究工作，並透過最佳化當前QLC NAND來驗證five-bit per cell NAND。新快閃記憶體提供更高的密度，每個單元可以儲存5位，目前的QLC只能儲存4位。
不過要做到這點，每個單元需要儲存32個不同的電壓級別，而且固態硬碟主控需要能夠準確讀取他們。而如此多的電壓水平和奈米規模，因此新的技術非常具有挑戰性。為了控制更嚴格的閾值，公司必須開發一些可能適應其當前TLC和QLC以提高效能的額外流程。
相比較其他型別的快閃記憶體來說，QLC執行速度較慢且耐用性低。而PLC具備更低的耐用性和更慢的效能。不過新的NVMe協議功能（如分割槽名稱空間（ZNS））應有助於緩解某些問題。 ZNS本身旨在減少寫入放大，減少對媒體過度配置和內部控制器DRAM使用的需求，當然，還可以提高吞吐量和降低延遲。
東芝還開發了新的生產工藝，可以提高各種形式的下一代BiCS FLASH的晶片密度。它基本上將儲存單元分成兩半以擴大規模，同時保留常規的3D快閃記憶體過程。東芝目前還不確定這種方法是否完全可行。
XL-Flash細節
在去年的國際快閃記憶體技術峰會上，東芝正式宣佈了XL-Flash。XL-Flash是東芝對標三星Low Latency V-NAND （簡稱Z-NAND)和英特爾Optane儲存的方案。由於Optane儲存過於昂貴，而三星Z-NAND僅限於自己的專有產品，因此這是擺在東芝面前的新機會。它為公司的客戶設計了一個更具成本效益，更低延遲的儲存解決方案，彌補了DRAM和NAND效能之間的差距。
XL-Flash的核心功能
● 128千兆位（Gb）裸片（可提供2晶片，4晶片，8晶片封裝）
● 4KB頁面大小，可實現更高效的作業系統讀寫操作
● 16-plane架構，實現更高效的並行性
● 快速頁面讀取和程式設計時間。東芝稱XL-FLASH提供的讀取延遲小於5微秒，比現有TLC快約10倍
採用類似於三星的Z-NAND設計，東芝的XL-Flash是一種SLC NAND形式，已針對最快的響應時間進行了最佳化。根據東芝的初步計劃，將在SSD中使用永續性儲存器，但該公司提到可能用於搭載DRAM匯流排的非易失性雙列直插式儲存器模組（NVDIMM）。樣品裝置目前已經完成，預計將於9月開始出貨，大規模量產預計2020年開始。
東芝是第一家宣佈並公開演示企業/資料中心PCIe 4.0固態硬碟的公司。全新的CM6系列企業和CD6系列資料中心SSD採用公司最新的96層BiCS4快閃記憶體構建，時序吞吐量高達6.7 GB / s。
CD6專為雲計算，內容交付網路（CDN）和資料庫應用而構建，而CM6則面向HPC，大資料分析，容器化和虛擬化應用。每個都有新的U.3規格（SFF-TA-1001）因子，可用於單埠（CD6）和單/雙埠（CM6）配置。此外，它們支援最新的NVMe 1.4規範。
去年東芝推出了KumoScale，這款軟體能夠將高效能NVMe SSD與計算節點分離，並讓這些SSD作為網路連線資源在在網路基礎設施上共享和提供。
去年東芝推出了採用這款軟體的NVMe-oF。東芝展示了一個裝有24個乙太網SSD的乙太網JBOF盒子。每個SSD都出現在系統中，具有單獨的IP地址，可透過乙太網進行訪問。生產就緒的原型SSD採用東芝的96L 3D NAND，並利用Marvell 88SN2400 NVMe-oF SSD控制器建立25Gb乙太網鏈路而不是PCIe通道。
NVMe-oF是一項非常有趣和有用的技術。它旨在透過結構實現低延遲訪問，並將整個SSD的頻寬暴露給網路，並減少對儲存部署的高PCIe通道分配的需求。因此，這些有價值的通道可用於更重要的計算裝置，如GPU和其他加速卡，而不是本地儲存。
近日召開的國際快閃記憶體技術峰會(Flash Memory Summit)上，東芝公佈的內容乾貨滿滿。不僅憑藉著最新推出的XFMExpress標準贏得了今年的“Best of Show”（展會最佳）大獎，還公佈了諸多業內領先的前沿儲存技術。
東芝正在擁抱PCIe 4.0和諸多新的儲存技術，包括全新的PCIe 4.0 NVMe固態硬碟，釋出了XL-Flash Storage Class Memory (SCM)，提供native NVMe over fabrics (NVMe-oF)的乙太網固態硬碟等等。甚至在展會上，東芝還提及了即將到來的BiCS FLASH，包括五層單元（PLC）NAND開發。
在東芝的主題演講中，該公司發言人不僅探討了公司的XL-Flash技術，而且還談及了未來發展的一些有趣觀點。
東芝表示已經計劃從第五代BiCS Flash朝著第七代發展。每代產品革新都契合PCIe標準。從BiCS 5開始，很快將與PCIe 4.0一起上市，但該公司尚未提供具體的時間表。 BiCS5將具有1,200MT / s的更高頻寬，而BiCS6將達到1,600MT / s，而BiCS7將達到2,000MT / s。
目前公司已經著手Penta-level五層單元（PLC）NAND快閃記憶體的研究工作，並透過最佳化當前QLC NAND來驗證five-bit per cell NAND。新快閃記憶體提供更高的密度，每個單元可以儲存5位，目前的QLC只能儲存4位。
不過要做到這點，每個單元需要儲存32個不同的電壓級別，而且固態硬碟主控需要能夠準確讀取他們。而如此多的電壓水平和奈米規模，因此新的技術非常具有挑戰性。為了控制更嚴格的閾值，公司必須開發一些可能適應其當前TLC和QLC以提高效能的額外流程。
相比較其他型別的快閃記憶體來說，QLC執行速度較慢且耐用性低。而PLC具備更低的耐用性和更慢的效能。不過新的NVMe協議功能（如分割槽名稱空間（ZNS））應有助於緩解某些問題。 ZNS本身旨在減少寫入放大，減少對媒體過度配置和內部控制器DRAM使用的需求，當然，還可以提高吞吐量和降低延遲。
東芝還開發了新的生產工藝，可以提高各種形式的下一代BiCS FLASH的晶片密度。它基本上將儲存單元分成兩半以擴大規模，同時保留常規的3D快閃記憶體過程。東芝目前還不確定這種方法是否完全可行。
XL-Flash細節
在去年的國際快閃記憶體技術峰會上，東芝正式宣佈了XL-Flash。XL-Flash是東芝對標三星Low Latency V-NAND （簡稱Z-NAND)和英特爾Optane儲存的方案。由於Optane儲存過於昂貴，而三星Z-NAND僅限於自己的專有產品，因此這是擺在東芝面前的新機會。它為公司的客戶設計了一個更具成本效益，更低延遲的儲存解決方案，彌補了DRAM和NAND效能之間的差距。
XL-Flash的核心功能
● 128千兆位（Gb）裸片（可提供2晶片，4晶片，8晶片封裝）
● 4KB頁面大小，可實現更高效的作業系統讀寫操作
● 16-plane架構，實現更高效的並行性
● 快速頁面讀取和程式設計時間。東芝稱XL-FLASH提供的讀取延遲小於5微秒，比現有TLC快約10倍
採用類似於三星的Z-NAND設計，東芝的XL-Flash是一種SLC NAND形式，已針對最快的響應時間進行了最佳化。根據東芝的初步計劃，將在SSD中使用永續性儲存器，但該公司提到可能用於搭載DRAM匯流排的非易失性雙列直插式儲存器模組（NVDIMM）。樣品裝置目前已經完成，預計將於9月開始出貨，大規模量產預計2020年開始。
東芝是第一家宣佈並公開演示企業/資料中心PCIe 4.0固態硬碟的公司。全新的CM6系列企業和CD6系列資料中心SSD採用公司最新的96層BiCS4快閃記憶體構建，時序吞吐量高達6.7 GB / s。
CD6專為雲計算，內容交付網路（CDN）和資料庫應用而構建，而CM6則面向HPC，大資料分析，容器化和虛擬化應用。每個都有新的U.3規格（SFF-TA-1001）因子，可用於單埠（CD6）和單/雙埠（CM6）配置。此外，它們支援最新的NVMe 1.4規範。
去年東芝推出了KumoScale，這款軟體能夠將高效能NVMe SSD與計算節點分離，並讓這些SSD作為網路連線資源在在網路基礎設施上共享和提供。
去年東芝推出了採用這款軟體的NVMe-oF。東芝展示了一個裝有24個乙太網SSD的乙太網JBOF盒子。每個SSD都出現在系統中，具有單獨的IP地址，可透過乙太網進行訪問。生產就緒的原型SSD採用東芝的96L 3D NAND，並利用Marvell 88SN2400 NVMe-oF SSD控制器建立25Gb乙太網鏈路而不是PCIe通道。
NVMe-oF是一項非常有趣和有用的技術。它旨在透過結構實現低延遲訪問，並將整個SSD的頻寬暴露給網路，並減少對儲存部署的高PCIe通道分配的需求。因此，這些有價值的通道可用於更重要的計算裝置，如GPU和其他加速卡，而不是本地儲存。