對於MCR100-8的幾個關鍵技術引數：
1.觸發電壓0.8V，觸發電流小於200uA，滿足這兩個條件可控矽就觸發了。
2.I2t為0.72，t等於10ms，透過I2t可以計算出MCR100-8在10ms時間內最大能夠承受8.5A電流，實際產品設計時要留有餘量，取50%也就是4A是合理的。這個值對於漏電斷路器很重要。我們知道線圈產生的電磁力跟安匝數成正比，安匝數越大那麼線圈越容易帶動鐵芯，或者說鐵芯的衝擊力度也越大，漏電斷路器脫扣更可靠。實際設計時首先確定安培數為4A，此時也就確定了線圈阻值的大小，然後在此基礎上確定線圈匝數和線徑。舉個例子，單相取電的產品，線圈匝數1100匝，阻值80Ω；估算100-8導通時流過的電流3.8A；三相取電的產品，線圈匝數1900匝，阻值130歐，估算MCR100-8導通時流過的電流4A。這就解釋了為什麼脫扣器線圈阻值在這兩個值的附近，就是為了保證MCR100-8導通時流過的電流在4A左右。
3.斷態可重複峰值電壓或者說耐壓值，就是可控矽陽極和陰極之間能夠承受的最大電壓值。可控矽的耐壓值對於漏電斷路器也是很重要的引數，因為漏電斷路器正常合閘時，可控矽一直承受著整流之後的電壓。產品有直跳的現象，很大的可能性就是耐壓值不夠導致被擊穿。MCR100-8規格書裡標註的耐壓值是800V，實際產品設計時要留有餘量，取50%也就是400V。單相取電的產品，整流+濾波電壓300V左右，因此一個可控矽就可以了；三相取電的產品，整流+濾波電壓600V左右，因此需要兩個可控矽串聯去分壓。這裡要說明一下，雖然100-8規格書裡標註的耐壓值是800V，但是實際上還有一種MCR100-8，耐壓值不到600V，耐壓值大小取決於MCR100-8內部矽片面積大小。
MCR100-8可控矽內部的矽片面積有三種。
第一種是矽片面積為1.38×1.38mm，這種可控矽耐壓值900V以上，是專門為漏電斷路器這方面的產品設計的，用閘流體測試儀測耐壓值的話，一般在900V到1000V之間。
其他兩種矽片面積分別是1.20×1.20mm以及1.06×1.06mm，耐壓值不到600V，用閘流體測試儀測耐壓值，有些質量差的產品耐壓值甚至不到400V，這種可控矽用到漏電斷路器，168h老化試驗之後，產品很容易出現直跳，原因十有八九就是可控矽耐壓不夠而擊穿了。
對於MCR100-8的幾個關鍵技術引數：
1.觸發電壓0.8V，觸發電流小於200uA，滿足這兩個條件可控矽就觸發了。
2.I2t為0.72，t等於10ms，透過I2t可以計算出MCR100-8在10ms時間內最大能夠承受8.5A電流，實際產品設計時要留有餘量，取50%也就是4A是合理的。這個值對於漏電斷路器很重要。我們知道線圈產生的電磁力跟安匝數成正比，安匝數越大那麼線圈越容易帶動鐵芯，或者說鐵芯的衝擊力度也越大，漏電斷路器脫扣更可靠。實際設計時首先確定安培數為4A，此時也就確定了線圈阻值的大小，然後在此基礎上確定線圈匝數和線徑。舉個例子，單相取電的產品，線圈匝數1100匝，阻值80Ω；估算100-8導通時流過的電流3.8A；三相取電的產品，線圈匝數1900匝，阻值130歐，估算MCR100-8導通時流過的電流4A。這就解釋了為什麼脫扣器線圈阻值在這兩個值的附近，就是為了保證MCR100-8導通時流過的電流在4A左右。
3.斷態可重複峰值電壓或者說耐壓值，就是可控矽陽極和陰極之間能夠承受的最大電壓值。可控矽的耐壓值對於漏電斷路器也是很重要的引數，因為漏電斷路器正常合閘時，可控矽一直承受著整流之後的電壓。產品有直跳的現象，很大的可能性就是耐壓值不夠導致被擊穿。MCR100-8規格書裡標註的耐壓值是800V，實際產品設計時要留有餘量，取50%也就是400V。單相取電的產品，整流+濾波電壓300V左右，因此一個可控矽就可以了；三相取電的產品，整流+濾波電壓600V左右，因此需要兩個可控矽串聯去分壓。這裡要說明一下，雖然100-8規格書裡標註的耐壓值是800V，但是實際上還有一種MCR100-8，耐壓值不到600V，耐壓值大小取決於MCR100-8內部矽片面積大小。
MCR100-8可控矽內部的矽片面積有三種。
第一種是矽片面積為1.38×1.38mm，這種可控矽耐壓值900V以上，是專門為漏電斷路器這方面的產品設計的，用閘流體測試儀測耐壓值的話，一般在900V到1000V之間。
其他兩種矽片面積分別是1.20×1.20mm以及1.06×1.06mm，耐壓值不到600V，用閘流體測試儀測耐壓值，有些質量差的產品耐壓值甚至不到400V，這種可控矽用到漏電斷路器，168h老化試驗之後，產品很容易出現直跳，原因十有八九就是可控矽耐壓不夠而擊穿了。