1、工藝

雖然第十一代酷睿採用的依舊是10nm工藝，但它卻引入了全新的“SuperFin”電晶體技術，江湖人稱“10nm+”，較之10代10nm工藝提升了15%的效能，綜合表現已經不遜於臺積電成熟的7nm。

2、全新的CPU微架構

第十一代酷睿將CPU微架構從10代Ice Lake平臺的Sunny Cove升級為Willow Cove，在SuperFin電晶體技術的幫助下，最高主頻可以達到4.8GHz。作為對比，上代Ice Lake的最高主頻只有3.9GHz。

3、全新的GPU核心

第十一代酷睿首發Xe架構的核芯顯示卡，隸屬於低功耗版Xe LP，相比十代核顯不僅執行單元數量最多增加了50%，底層架構也進行了最佳化升級，FP16、FP32浮點效能可提升84%，還首次加入了INT8整數處理能力，效能高達8.29TOPS。

4、支援記憶體的規格

第十一代酷睿現在可以搭配DDR4-3200或LPDDR4/4X-4266記憶體，未來還將支援全新的LPDDR5-5400記憶體標準，而十代酷睿支援頻率最高為DDR4-3200。

5、PCIe和usb介面

十一代酷睿新平臺原生支援PCIe 4.0、USB4和雷電4，其中PCIe 4.0可以用於獨顯或SSD，而十代酷睿僅支援pci3.0和usb3.1。