浮柵MOS電晶體的工作原理是利用浮柵上儲存的電荷量來改變MOS管的閾值電壓，從而改變MOS管的外部特性。過程描述如下：當MOS管柵極加上較高的電壓（20V左右），源極接地，漏極浮空，然後會產生大量高能電子，由於電子密度大，有的電子到襯底和浮柵之間的二氧化矽層，由於選擇柵有高電壓，這些電子透過隧穿氧化層(Tunnel Oxide，PS：自己翻譯，不一定準確)到達浮柵。當移除外部電壓，由於浮柵沒有放電迴路，所以電子會留在浮柵上。當浮柵帶有電子，襯底表面感應的是正電荷，這樣使得MOS管導通電壓變高。

反之，當控制柵極接地，襯底加上較高電壓，源、漏極開路，電子會從浮柵中“吸出”，MOS管導通電壓變低。

浮柵中電荷量，影響到MOS管的導通電壓，從而代表不同的儲存資訊。比如說一個杯子，沒有水的時候，代表“0”，當水超過一半，代表“1”。

場效電晶體的工作原理

場效電晶體工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子透過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。