1、場效應電晶體低壓應用:

當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由於三極體的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的場效應電晶體就存在一定的風險。

同樣的問題也發生在使用3V或者其他低壓電源的場合。

2、場效應電晶體寬電壓應用:

輸入電壓並不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給場效應電晶體的驅動電壓是不穩定的。

為了讓場效應電晶體在高gate電壓下安全，很多場效應電晶體內建了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。

同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現輸入電壓比較高的時候，場效應電晶體工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。

3、場效應電晶體雙電壓應用:

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓採用共地方式連線。

這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的場效應電晶體，同時高壓側的場效應電晶體也同樣會面對1和2中提到的問題。