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    2018年NAND快閃記憶體價格下跌,智慧手機的儲存容量也越來越大,今年皇帝版手機容量提升到了512GB,錘子科技的堅果R1還首發了1TB儲存,中低端手機容量也達到了64GB,128GB容量的手機也比比皆是。除了容量進步,今年的NAND快閃記憶體還會進入96層堆疊時代,西數日前宣佈推出全球首個96層堆疊的UFS 2.1快閃記憶體iNAND MC EU321,容量32GB到256GB,讀取速度最大800MB/s,寫入最高550MB/s。

    西數的快閃記憶體源自被收購的閃迪,後者是跟東芝共同投資生產NAND快閃記憶體的,9月底雙方投資的四日市Fab 6工廠啟用,總投資5000億日元,摺合約45億美元,落成後主要生產新一代3D NAND快閃記憶體,堆疊層數可達96層。此前東芝、西數也宣佈了96層3D NAND快閃記憶體的出樣,現在西數首發了業界第一款96層堆疊的UFS 2.1快閃記憶體iNAND MC EU321。

    西數官方公告中沒有提到iNAND MC EU321是TLC快閃記憶體還是QLC快閃記憶體,考慮到最大容量才256GB以及QLC快閃記憶體的進度,iNAND MC EU321使用TLC型別的可能性還是最高的。

    iNAND MC EU321容量涵蓋32GB、64GB、128GB及256GB,UFS 2.1 HS-G3標準,封裝尺寸為11.5x13x1.0mm。效能方面,連續讀取可達800MB/s,連續寫入550MB/s,隨機寫入52K IOPS,隨機讀取50K IOPS,寫入效能號稱比前代提升10%。

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