2，雜質和缺陷。任何破壞週期性排布的東西，比如雜質原子，再比如週期排布的缺陷（空位），都會阻礙電子的運動。簡單地說，這些雜質和缺陷會散射電子，改變電子的運動方向，不改變電子的速度。這樣的話，電子們就不是完全乖乖沿著外場方向運動，也就有了電阻。 雜質和缺陷引起的電阻與溫度關係不大。
3，聲子。如果金屬裡一個雜質都沒有，就沒有電阻了嗎？也不是。在任何有限溫度下，晶格（也就是週期排布的原子核）都會在平衡位置左右震動。這種震動也散射電子，並且既改變電子的運動方向，也改變電子的運動速度。這種散射也帶來電阻。 由於晶格的震動強度與溫度相關 （因為這就是熱漲落），所以這種散射也強烈地依賴溫度。在低溫下，晶格震動帶來的電阻會變得很小。
4，散射機率。2，3合起來貢獻一個散射機率，我們一般用弛豫時間t來刻畫。它的含義是，一個電子大約運動t的時間就會被散射一次。散射越強t越小。
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2，雜質和缺陷。任何破壞週期性排布的東西，比如雜質原子，再比如週期排布的缺陷（空位），都會阻礙電子的運動。簡單地說，這些雜質和缺陷會散射電子，改變電子的運動方向，不改變電子的速度。這樣的話，電子們就不是完全乖乖沿著外場方向運動，也就有了電阻。 雜質和缺陷引起的電阻與溫度關係不大。
3，聲子。如果金屬裡一個雜質都沒有，就沒有電阻了嗎？也不是。在任何有限溫度下，晶格（也就是週期排布的原子核）都會在平衡位置左右震動。這種震動也散射電子，並且既改變電子的運動方向，也改變電子的運動速度。這種散射也帶來電阻。 由於晶格的震動強度與溫度相關 （因為這就是熱漲落），所以這種散射也強烈地依賴溫度。在低溫下，晶格震動帶來的電阻會變得很小。
4，散射機率。2，3合起來貢獻一個散射機率，我們一般用弛豫時間t來刻畫。它的含義是，一個電子大約運動t的時間就會被散射一次。散射越強t越小。
5，電阻率。現在可以計算電阻率了。假設外加電場為E，電子電荷為q，考慮到電子t時間就被散射一次（假設散射一次速度歸零）。那麼電子的平均速度為 qEt/m。再假設電子濃度為n，那麼電流密度就是 nq^2Et/m，得到電導率 n q^2 t/m，它的倒數就是電阻率。http://www.shijiezx.com/newsadn.php