其實現在很難說誰的幾nm就比誰的好！單純從紙面的數字來說，intel的10nm密度確實比臺積電三星的7nm還要好，但是密度是衡量工藝好壞的重要但並非唯一指標，仍需過段時間量產了才能全面對比！

最近一段時間英特爾承受了很多爭議乃至非議，這個即將滿五十週歲的老牌半導體公司似乎要輸給三星、臺積電這些後輩了，要知道臺積電當初做代工也是得到了英特爾悉心指導的，沒想到現在被臺積電、三星各種領先，特別是10nm工藝節點被這兩家甩開。普通人之所以有這樣的認識，其實根源在於半導體知識太複雜，英特爾在半導體制造領域依然具有極強的實力，他們的10nm工藝電晶體密度要比三星、臺積電的7nm工藝還要好，就是難產了點。

在許多人的認知裡，三星、臺積電超越英特爾很大程度上是都被XXnm的數字迷惑了，表面上看7nm比10nm先進，10nm比14nm先進，但背後代表的半導體技術太複雜，早就不是線寬所能代表的了。三星、臺積電在16/14nm FinFET節點上第一次超越英特爾，嚐到了營銷上的甜頭，所以後面的工藝命名有很多營銷成分，比如16nm最佳化下就成了12nm工藝，14nm最佳化下成了12nm LP工藝，相比之下英特爾只敢叫14nm、14nm+、14nm++等等，要老實很多。

當老實人的代價就是會吃虧，即便是在10nm節點，三星、臺積電後面還會衍生出8nm之類的工藝，讓人看的眼花撩亂，摸不清來龍去脈。對於這個問題，英特爾早前也表示過他們的無奈，也反擊過這種衡量工藝的水平，推出了全新的公式：

在這個公式中，英特爾認為衡量半導體工藝的重要指標是電晶體密度，上面具體算的過程大家就不要管了，反正是行業內認識才會關注的。

在這樣的形勢下，英特爾對比其他家公司工藝時就有了優勢了，去年的製造日會議上，英特爾就對比過其他家公司的工藝情況：

14nm工藝的情況

先說14nm工藝，別看英特爾直到現在都在縫縫補補14nm工藝，但是與其他家對比優勢明顯，電晶體密度是20nm工藝的134%，而其他兩家只不過說104%、109%。

10nm節點工藝對比

10nm節點上，英特爾表示他們的10nm工藝電晶體密度達到了100MTr/mm2，就是每平方毫米1億個電晶體，是14nm工藝的兩倍多。

那麼與其他家的對比呢？Semiwiki日前討論到了三星的10nm、8nm以及7nm工藝情況，其中10nmm工藝的電晶體密度是55.10MTr/mm2，8mm是64.4MTr/mm2，7nm工藝也不過101.23MTr/mm2，原文稱這個電晶體密度比之前計算的英特爾10nm工藝密度要低，比Globalfoundries、臺積電的7nm工藝電晶體密度要略高一些。

換句話說英特爾的10nm工藝電晶體密度就相當於三星、臺積電、GF的7nm工藝了，表面上看落後了一代甚至兩代，但是英特爾在技術指標上實際上要比他們領先。

所以這是不怪英特爾鬱悶，不是他們不努力，而是對手太狡猾，先聲奪人在工藝命名上奪得優勢了。英特爾無力迴天，反正那些投資者、分析師們也不去關注這些技術細節，問的都是你們的10nm為什麼難產呢？

為什麼難產？英特爾也解答不出來，大概是因為他們懷了一個哪吒吧，出生時間就要比別人多兩年。

Intel 10nm工藝因為良品率不達標，大規模量產已經推遲到2019年，眼下只是小批量出貨，產品已知的只有一款15W熱設計功耗的低壓版Core i3-8121U(家族代號Cannon Lake)，而且只有聯想IdeaPad 330筆記本在用。

i3-8121U的規格為雙核心四執行緒，主頻2.2-3.2GHz，三級快取4MB，記憶體支援雙通道DDR4/LPDDR4-2400 32GB，熱設計功耗15W。

核顯部分資訊未公佈，應當是因為良率問題遮蔽禁用了，所以聯想才增加了一塊AMD獨立顯示卡。

在近日的二季度財報會議上，Intel表示，10nm晶片將在2019年下半年開始大量供貨，隨後，他們進一步確認，10nm消費者CPU將會趕在假期前出貨，Xeon尾隨。

↑↑↑i3-8121U核心區域性顯微照片

分析發現，Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體電晶體技術，電晶體密度達到了每平方毫米1.008億個(符合官方宣稱)，是目前14nm的足足2.7倍！

作為對比，三星10nm工藝電晶體密度不過每平方毫米5510萬個，僅相當於Intel的一半多點，7nm則是每平方毫米1.0123億個，勉強高過Intel 10nm。

至於臺積電、GF兩家的7nm，電晶體密度比三星還要低一些。

換言之，僅就電晶體整合度而言，Intel 10nm的確和對手的7nm站在同一檔次上，甚至還要更好！

另外，Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm，最小金屬間距(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm，同樣遠勝對手。

事實上與現有其他10nm以及未來的7nm相比，Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標。

Intel 10nm的其他亮點還有：

－ BEOL後端工藝中首次使用了金屬銅、釕(Ru)，後者是一種貴金屬

－ BEOL後端和接觸位上首次使用自對齊曝光方案(self-aligned patterning scheme)

－ 6.2-Track高密度庫實現超級縮放(Hyperscaling)

－ Cell級別的COAG(Contact on active gate)技術

當然了，技術指標再先進，最終也要轉換成有競爭力的產品，才算數。