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1 # 如鯨向海鳥投林
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2 # 仁觀天下
14奈米CPU：是指晶片的製程是14奈米。即半導體積體電路製造的“線寬”---就是尺寸14奈米。
193奈米光刻機：我想應該說的是193奈米液浸式光刻技術，採用的是遠紫外光源。當前10納米制程光刻機是採用這個技術。臺積電最近宣佈7奈米量產成功，不知道是極紫外光還是原來的193奈米液浸式光刻。按照光波長度，小於190奈米的稱為極紫外光。2017年初，臺積電向荷蘭ASML訂貨，定的是極紫外光刻機。荷蘭ASML和我們長春光機所研製的極紫外光刻技術，採用的波長都是13.5奈米。
5奈米刻蝕機：現在量產的刻蝕機最小製程是7奈米。5奈米還沒出現。
在晶片製造中，要生產的晶片、光刻機、刻蝕機三者的的製程應當一致。比如，生產14奈米的晶片，要用14奈米的光刻機放樣（在晶圓上用光畫好電路圖樣）、14奈米的刻蝕機雕刻（等離子刻蝕）。
目前，在桌面電腦CPU領域，製程停留在14奈米很長時間。而手機晶片已經從10奈米進入7奈米時代。臺積電剛剛宣佈7奈米晶片量產技術成功。製程越小，同樣體積容納的電晶體越多，運算能力越強，越省電。這對手機這種電源受限（電池），體積受限（追求輕、薄、小）的裝置尤其重要。而電腦就沒有這方面的壓力。
中微是給臺積電提供7奈米刻蝕機的廠家之一。中微與臺積電在 28 nm 製程時便已開始合作，並一直延續到14nm、10 nm到今天的7奈米。在刻蝕機領域，還有應用材料、科林研發 、東京威力科創、日立先端這幾家外國企業具備同等實力。
下圖：中微刻蝕機
至於中微的5奈米刻蝕機，現在還沒出來。出來也沒有意義。因為5奈米的光刻機還沒有，不能把放樣做到5奈米，要5奈米的刻蝕機做什麼用呢？中微是做了5奈米刻蝕機的技術儲備，只要5奈米光刻機面世，即可推出5奈米的刻蝕機。刻蝕機的技術難度比光刻機還是要小得多。
下面說說光刻機，我們現在就卡在光刻機上。目前國內量產的只能做到90奈米。上海微電子的產品。而荷蘭ASML已經量產7奈米產品。差距不是一點兩點。
不過，我們已經採取直接進入極紫外光刻技術臺階的策略，並取得很大進展。2017年6月，“極大規模積體電路製造裝備及成套工藝”國家科技重大專項(02專項)，“極紫外光刻關鍵技術研究”專案順利驗收。實現了國內首次極紫外光投影光刻32 奈米線寬的光刻膠曝光圖形。當然這是在實驗室中完成的，距離量產還有距離。但這是在技術封鎖下的一次重大突破。
專案由長春光機所牽頭，參與單位有：中科院光電技術研究所、中科院上海光學精密機械研究所、中科院微電子研究所、北京理工大學、哈爾濱工業大學、華中科技大學。未了這一刻，從試製 極紫外光樣機算起，整整花了16年。
讓我們為默默奮戰在科研一線的工作者們致敬。 -
3 # 力通科技論壇
光刻機，顧名思義就是用光做為能量，進行實物雕刻的機器；刻蝕機，就是刻蝕掉對產品本身設計不想保留那部分的機器。
14奈米是指光刻機制造晶片所達到的線寬工藝。線路越細小，電晶體柵極越短，單位面積所刻制晶體就越多，晶片效率就越高越省電，目前最高工藝已達7奈米.如臺積電正在量產的麒麟980就是這個極品工藝
要想有奈米級的工藝，普通光源是無法滿足晶片製造要求，因為普通光源波長太大，存在太強的衍射，小孔成像原理知道，光線透過小孔射到屏上，亮斑之外還有餘光繞過。現實光源採用波長更短（193奈米），頻率更好，直線性更強（衍射更小）的紫外鐳射。隨著工藝的推進，對光源要求會更加嚴格…
簡單的說，晶片製造第一步就是轉錄刻模。類似照相原理：把設計好的原理結構製成掩模薄片（類比成相片做好的底片），然後透過193奈米的光照，投射到塗膠的晶圓薄片上，在薄薄的膠莫上留下晶片結構影象，從而把設計圖紙的容轉錄到晶圓薄片的膠莫上，朋友你明白了吧
帶有影象資訊的膠莫，在刻蝕機的作用下，曝光的部分膠莫開始溶解脫落熔化。未被膠體薄膜覆蓋的矽晶體因失去保護，而在離子作用下被刻蝕掉。刻蝕機工藝越先進，刻蝕精度越高，五奈米可刻蝕7奈米，但不能反過來用，那那樣刻蝕的效果質量會太糟糕。刻蝕機其實才更像雕刻刀…
193nm指的是極紫外線的波長，波長指的是最近兩個波峰之間距離為193nm奈米，要想把這個極紫外線光波描述清楚還有波峰、波谷，還有每秒30萬公里的光速。
14奈米是指半導體晶片上面的線寬，半導體晶片上面肯定要劃線吧！劃線要用光刻機，光刻機目前全世界最牛的是荷蘭，劃完線要用刻蝕機，也有叫蝕刻機的，刻蝕機再把劃的線雕刻出來，該刻洞的刻洞，該刻凸的刻突，然後估計就是連金線、銅線、封裝啊什麼的亂七八糟我也不知道的東西了。中國刻蝕機在2017年4月左右報道說中微半導體尹志堯世界最先進5奈米等離子刻蝕機17年底交貨，現在18年了我也沒搜尋到什麼訊息。
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讓我們來看看193nm和14nm的區別。
193nm指的是什麼，這裡的193nm指的是光源波長，也就是深紫外光波長。
14nm級別CPU中的14nm指的是，電晶體結構中柵極的寬度（柵長），柵極越短，電流損耗越少，表現出來發熱和功耗就會越少。
gate（綠色部分）為柵極，只要控制兩段電流的通斷為什麼可以用193nm波長的光源製造14nm製程的晶片一是，波峰和波谷在無法突破衍射極限的情況下，可以利用光刻膠的性質，透過特定的化學處理或者是物理處理，不同的光刻膠有了不同的特性，簡單的來說使光刻膠到達一個特定的曝光量後才融化，透過這種辦法當曝光量到達某個值過後光刻膠融化，過了這個值就不在變化，這樣就可以去的小於波長的的結構，如下圖。
黃色方框區域極為去的結構長度，小於波長二是由於第一種方法光刻膠有限制，並不能做出無限小需要的結構，這個時候就可以利用到多次曝光，就是在第一次已經曝光過的結構之上，重複曝光，下圖中黃色為第一次曝光，藍色為第二次，只要將兩次重疊在一起，這樣結構寬度就會減小一半。
中國的刻蝕機技術講到中國的刻蝕機，大家都知道是中微半導體，但是很少人知道中微的幕後功臣尹志堯，他曾經在美國矽谷工作20餘年，個人擁有專利近百項，沒回國之前擔任美國應用材料公司副Quattroporte，帶著自己的團隊回來，在什麼都沒有的情況下，創辦了現在的中微半導體。
在中國沒有一點半導體基礎的情況下，中微在尹老帶領下彎道超車，現在已經量產的7nm級別刻蝕機，世界一流，已經向臺積電供貨，並且已經掌握獨一無二的5nm刻蝕機技術，目前正在準備量產中。
我們有理由相信，中國半導體技術的落後只是佔時的，有很多向尹老這樣的默默付出者，他們在為中國半導體事業默默奉獻著，他們是中華民族不屈的脊樑。