(1)積體電路前工藝裝置根據其工藝性質，主要有以下幾種。

外延爐：用於外延材料生長。

氧化擴散裝置：用於製取氧化層和實現摻雜。

制膜裝置：主要有電子束蒸發臺、磁控濺射臺、等離子體增強化學汽相澱積(PECVD)裝置。

離子注入機：用於高精度摻雜，根據注入能量、束流大小和矽片尺寸不同有多種規格。

腐蝕、刻蝕裝置：主要AD7890BN-4有化學溼法腐蝕和等離子體化學幹法刻蝕裝置，幹法刻蝕具有良好的選擇性和定向性。

光刻裝置：有勻膠機、曝光機、顯影裝置、堅膜烘焙機等裝置。

純水製取裝置：用於為工藝生產提供純淨無雜質、無細菌的水。

環境控制裝置：包括水、風、電、氣、冷、溼、暖七大型別，主要是為積體電路生產提供潔淨的環境，必要的動力和恆定的溫度、溼度。

線上檢測儀器：主要用於檢驗、測控積體電路製造過程中的各種工藝引數，主要有膜厚測量儀、結深測量儀、C-V特性測量儀、C-T特性測量儀、薄膜應力測試儀、表面缺陷檢查儀、鐳射橢偏儀、線寬測量儀、電子顯微鏡、原子力顯微鏡等，還有各種放大倍率的光學顯微鏡、電晶體特性圖示儀等部分常規儀器。

(2)後工藝的主要裝置有以下幾種。

裂片機：主要用於對加定完畢的矽片上的積體電路進行分割，壓焊機：包括有超聲、金球焊接裝置，實現管芯內部引線端與外管殼外引線的電氣連線。

封裝裝置：按不同工藝，有儲能物件機、平行封焊機、玻璃熔封裝置、塑封機以及鐳射電子束封貼機等。

老化篩選裝置：有高／低溫箱，靜／動態老化臺，各種測試儀器、儀表、離心、振動等裝置。