第一，P型半導體和N型半導體都是不帶電的 對外成電中性

第二，之所以叫P型半導體是因為他的導電性是靠多數載流子也就是帶正電的空穴體現的 空穴參與導電 所以是positive（積極的，陽性的，正的） 代表正電 也叫空穴型半導體 N是negative（消極的，陰性的，負的）的首字母代表負電 這裡的正負指的是P（N）型半導體的導電性

第三，但是當他們形成PN接面時 P區摻入了比如說硼 三價元素 此時 多數載流子是空穴 載流子是可以移動的 剩下的負離子是不可移動的 所以P區帶負電 這裡的正負指的是他本身的帶電性

第四，P型半導體的定義是 空穴濃度大於自由電子濃度的雜質半導體，N型半導體是自由電子濃度大於空穴濃度的雜質半導體

N型半導體也被稱為電子型半導體,它(們)是自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。

N型半導體靠電子導電,在半導體材料中摻入微量磷、砷、銻等元素後,半導體材料中就會產生很多帶負電的電子 ,使半導體中自由電子的濃度大大高於空穴濃度。

摻雜、缺陷,都可以造成導帶中電子濃度的增高。對於矽、鍺類半導體材料,摻雜磷、砷、銻等Ⅴ族元素,當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、矽原子時,可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多餘電子,這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加,該類雜質原子稱為施主。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的施主往往採用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物半導體,如ZnO、Ta2O5等,其化學配比往往呈現缺氧。這些氧空位能表現出施主的作用,因而該類氧化物通常呈電子導電性,即是N型半導體,真空加熱,能進一步加強缺氧的程度,這表現為更強的電子導電性。

N型半導體有什麼特點?

半導體中有兩種載流子——價帶中的空穴和導帶中的電子。如前所述,以電子導電為主的半導體就稱之為N型半導體,與N型半導體相對的,是以空穴導電為主的P型半導體。這其中,「N」表示負電,取自英文Negative的第一個字母。在N型半導體中,參與導電的 (即導電載體) 主要是帶負電的電子,這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多於受主的半導體都是N型半導體。例如,含有適量五價元素磷、砷、銻等的鍺或矽等半導體。

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等,所以N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電效能就越強。