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    CMOS工藝

    CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的。CMOS中的C表示“互補”,即將NMOS器件和PMOS器件同時製作在同一矽襯底上,製作CMOS積體電路。

    中文名

    CMOS工藝

    基礎

    PMOS和NMOS工藝

    優點

    功耗低、速度快、抗干擾能力強等

    應用範圍

    積體電路

    快速

    導航

    優勢

    工藝

    概況

    CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的。CMOS中的C表示“互補”,即將NMOS器件和PMOS器件同時製作在同一矽襯底上,製作CMOS積體電路。

    優勢

    CMOS積體電路具有功耗低、速度快、抗干擾能力強、整合度高等眾多優點。CMOS工藝已成為當前大規模積體電路的主流工藝技術,絕大部分積體電路都是用CMOS工藝製造的。

    工藝

    CMOS電路中既包含NMOS電晶體也包含PMOS電晶體,NMOS電晶體是做在P型矽襯底上的,而PMOS電晶體是做在N型矽襯底上的,要將兩種電晶體都做在同一個矽襯底上,就需要在矽襯底上製作一塊反型區域,該區域被稱為“阱”。根據阱的不同,CMOS工藝分為P阱CMOS工藝、N阱CMOS工藝以及雙阱CMOS工藝。其中N阱CMOS工藝由於工藝簡單、電路效能較P阱CMOS工藝更優,從而獲得廣泛的應用。

    [1]

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