銀鑲黃金首飾製作方法包括以下工藝步驟：
(1)、金飾製作：根據設計圖製作金飾模具，經過起版、開膠模、注蠟、修蠟、金液澆注、倒模工藝，得到金飾；
(2)、銀胚製作：根據設計圖製作銀胚模具，經過起版、開膠模、注蠟、修蠟、銀液澆注、倒模工藝，得到銀胚；
(3)、銀胚再加工：對銀胚進行切割定型形成胚底，並在相應的鑲嵌位置液壓出與金飾相配合的預留安裝槽結構，同時預留出銀質焊塊；
(4)、鑲嵌金飾：對銀胚與金飾的鑲嵌位置進行點焊，溶解相連部位的預留銀質焊塊，然後將金飾鑲嵌到銀胚預留安裝槽中，利用鑲嵌位置的銀胚面及金飾面的相融凝固實現彼此牢固鑲嵌；
(5)、表面處理：對金飾的表面進行磨砂處理，對銀胚的表面進行拋光處理，並透過清洗液浸泡去除首飾上殘留的氧化物，保證首飾的潔淨和表面光澤度；
(6)、精細加工：對首飾設計中的花紋部分進行鐳射雕刻，對於設計中有壓花效果的部位進行壓花處理。
可選的，所述黃金材料為足金，且銀質材料為足銀，並且兩者的純度均為99.9％。
可選的，所述銀胚製作過程中銀液的加熱溫度為980℃。
可選的，所述金飾製作過程中金液的加熱溫度為1080℃。
可選的，所述金飾製作和銀胚製作過程中所才用的蠟模由蠟與凝固劑9∶1製成。
可選的，所述銀胚預留安裝槽的尺寸與金飾鑲嵌面的形狀尺寸相吻合。
可選的，所述金飾與銀胚預留安裝槽的接觸面邊緣設定有擋邊。
可選的，所述鑲嵌金飾過程中點焊時採用的裝置為焊槍。
可選的，所述表面處理工序中清洗液由碳酸氫鈉、過氧碳酸和純鹼溶液混合製成，且碳酸氫鈉、過氧碳酸和純鹼溶液的配比為1:1:1。
可選的，所述精細加工過程中鐳射雕刻採用八軸精雕機。
本發明提供了一種銀鑲黃金首飾製作方法，具備以下有益效果：
本發明所製成的銀鑲黃金首飾在鑲嵌金飾的過程中採用點焊溶解銀質焊塊的方式對銀胚與金飾進行鑲嵌，能夠使得鑲嵌位置的銀胚面及金飾面的銀質焊塊相融凝固實現彼此牢固鑲嵌，從而避免鑲嵌面出現斷裂分開的情況，其中銀胚預留安裝槽的尺寸與金飾鑲嵌面的形狀尺寸相吻合便於兩者的貼合鑲嵌，相較於普通加工方式的爪鑲、包鑲等手法等能夠使多種貴金屬材質彼此牢固鑲嵌，無須採用複雜結構額外加固，並且金飾與銀胚預留安裝槽的接觸面邊緣設定有擋邊，擋邊可嵌入至銀胚的預留安裝槽，避免鑲嵌縫隙，同時擋邊的設定能夠避免在鑲嵌金飾過程中銀質焊塊在焊接溶解時溢位影響該銀鑲黃金首飾的成型，使得鑲嵌成品更加美觀。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。
本發明提供一種技術方案：一種銀鑲黃金首飾製作方法，所述銀鑲黃金首飾製作方法包括以下工藝步驟：
(6)、精細加工：對首飾設計中的花紋部分進行鐳射雕刻，對於設計中有壓花效果的部位進行壓花處理；
黃金材料為足金，且銀質材料為足銀，並且兩者的純度均為99.9％，採用足金足銀的為原料，既美觀又不變色，銀胚製作過程中銀液的加熱溫度為980℃，金飾製作過程中金液的加熱溫度為1080℃，加熱融化的溫度高於黃金和白銀的熔點，能夠有效液化這兩種金屬材料，金飾製作和銀胚製作過程中所才用的蠟模由蠟與凝固劑9∶1製成，銀胚預留安裝槽的尺寸與金飾鑲嵌面的形狀尺寸相吻合，兩者的尺寸吻合便於兩者的貼合鑲嵌，金飾與銀胚預留安裝槽的接觸面邊緣設定有擋邊，擋邊的設定能夠避免在鑲嵌金飾過程中銀質焊塊在焊接溶解時溢位影響該銀鑲黃金首飾的成型，使得鑲嵌成品更加美觀，精細加工過程中鐳射雕刻採用八軸精雕機，鑲嵌金飾過程中點焊時採用的裝置為焊槍，焊槍的設定便於進行精準的點焊過程，表面處理工序中清洗液由碳酸氫鈉、過氧碳酸和純鹼溶液混合製成，且碳酸氫鈉、過氧碳酸和純鹼溶液的配比為1:1:1，該清洗液能夠透過化學反應有效去除金銀表面的氧化物，保證首飾的潔淨和光澤度。
綜上所述，該銀鑲黃金首飾製作方法，使用時銀鑲黃金首飾製作方法包括以下工藝步驟：
以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式，但本發明的保護範圍並不侷限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。
銀鑲黃金首飾製作方法包括以下工藝步驟：
(1)、金飾製作：根據設計圖製作金飾模具，經過起版、開膠模、注蠟、修蠟、金液澆注、倒模工藝，得到金飾；
(2)、銀胚製作：根據設計圖製作銀胚模具，經過起版、開膠模、注蠟、修蠟、銀液澆注、倒模工藝，得到銀胚；
(3)、銀胚再加工：對銀胚進行切割定型形成胚底，並在相應的鑲嵌位置液壓出與金飾相配合的預留安裝槽結構，同時預留出銀質焊塊；
(4)、鑲嵌金飾：對銀胚與金飾的鑲嵌位置進行點焊，溶解相連部位的預留銀質焊塊，然後將金飾鑲嵌到銀胚預留安裝槽中，利用鑲嵌位置的銀胚面及金飾面的相融凝固實現彼此牢固鑲嵌；
(5)、表面處理：對金飾的表面進行磨砂處理，對銀胚的表面進行拋光處理，並透過清洗液浸泡去除首飾上殘留的氧化物，保證首飾的潔淨和表面光澤度；
(6)、精細加工：對首飾設計中的花紋部分進行鐳射雕刻，對於設計中有壓花效果的部位進行壓花處理。
可選的，所述黃金材料為足金，且銀質材料為足銀，並且兩者的純度均為99.9％。
可選的，所述銀胚製作過程中銀液的加熱溫度為980℃。
可選的，所述金飾製作過程中金液的加熱溫度為1080℃。
可選的，所述金飾製作和銀胚製作過程中所才用的蠟模由蠟與凝固劑9∶1製成。
可選的，所述銀胚預留安裝槽的尺寸與金飾鑲嵌面的形狀尺寸相吻合。
可選的，所述金飾與銀胚預留安裝槽的接觸面邊緣設定有擋邊。
可選的，所述鑲嵌金飾過程中點焊時採用的裝置為焊槍。
可選的，所述表面處理工序中清洗液由碳酸氫鈉、過氧碳酸和純鹼溶液混合製成，且碳酸氫鈉、過氧碳酸和純鹼溶液的配比為1:1:1。
可選的，所述精細加工過程中鐳射雕刻採用八軸精雕機。
本發明提供了一種銀鑲黃金首飾製作方法，具備以下有益效果：
本發明所製成的銀鑲黃金首飾在鑲嵌金飾的過程中採用點焊溶解銀質焊塊的方式對銀胚與金飾進行鑲嵌，能夠使得鑲嵌位置的銀胚面及金飾面的銀質焊塊相融凝固實現彼此牢固鑲嵌，從而避免鑲嵌面出現斷裂分開的情況，其中銀胚預留安裝槽的尺寸與金飾鑲嵌面的形狀尺寸相吻合便於兩者的貼合鑲嵌，相較於普通加工方式的爪鑲、包鑲等手法等能夠使多種貴金屬材質彼此牢固鑲嵌，無須採用複雜結構額外加固，並且金飾與銀胚預留安裝槽的接觸面邊緣設定有擋邊，擋邊可嵌入至銀胚的預留安裝槽，避免鑲嵌縫隙，同時擋邊的設定能夠避免在鑲嵌金飾過程中銀質焊塊在焊接溶解時溢位影響該銀鑲黃金首飾的成型，使得鑲嵌成品更加美觀。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。
本發明提供一種技術方案：一種銀鑲黃金首飾製作方法，所述銀鑲黃金首飾製作方法包括以下工藝步驟：
(1)、金飾製作：根據設計圖製作金飾模具，經過起版、開膠模、注蠟、修蠟、金液澆注、倒模工藝，得到金飾；
(2)、銀胚製作：根據設計圖製作銀胚模具，經過起版、開膠模、注蠟、修蠟、銀液澆注、倒模工藝，得到銀胚；
(3)、銀胚再加工：對銀胚進行切割定型形成胚底，並在相應的鑲嵌位置液壓出與金飾相配合的預留安裝槽結構，同時預留出銀質焊塊；
(4)、鑲嵌金飾：對銀胚與金飾的鑲嵌位置進行點焊，溶解相連部位的預留銀質焊塊，然後將金飾鑲嵌到銀胚預留安裝槽中，利用鑲嵌位置的銀胚面及金飾面的相融凝固實現彼此牢固鑲嵌；
(5)、表面處理：對金飾的表面進行磨砂處理，對銀胚的表面進行拋光處理，並透過清洗液浸泡去除首飾上殘留的氧化物，保證首飾的潔淨和表面光澤度；
(6)、精細加工：對首飾設計中的花紋部分進行鐳射雕刻，對於設計中有壓花效果的部位進行壓花處理；
黃金材料為足金，且銀質材料為足銀，並且兩者的純度均為99.9％，採用足金足銀的為原料，既美觀又不變色，銀胚製作過程中銀液的加熱溫度為980℃，金飾製作過程中金液的加熱溫度為1080℃，加熱融化的溫度高於黃金和白銀的熔點，能夠有效液化這兩種金屬材料，金飾製作和銀胚製作過程中所才用的蠟模由蠟與凝固劑9∶1製成，銀胚預留安裝槽的尺寸與金飾鑲嵌面的形狀尺寸相吻合，兩者的尺寸吻合便於兩者的貼合鑲嵌，金飾與銀胚預留安裝槽的接觸面邊緣設定有擋邊，擋邊的設定能夠避免在鑲嵌金飾過程中銀質焊塊在焊接溶解時溢位影響該銀鑲黃金首飾的成型，使得鑲嵌成品更加美觀，精細加工過程中鐳射雕刻採用八軸精雕機，鑲嵌金飾過程中點焊時採用的裝置為焊槍，焊槍的設定便於進行精準的點焊過程，表面處理工序中清洗液由碳酸氫鈉、過氧碳酸和純鹼溶液混合製成，且碳酸氫鈉、過氧碳酸和純鹼溶液的配比為1:1:1，該清洗液能夠透過化學反應有效去除金銀表面的氧化物，保證首飾的潔淨和光澤度。
綜上所述，該銀鑲黃金首飾製作方法，使用時銀鑲黃金首飾製作方法包括以下工藝步驟：
(1)、金飾製作：根據設計圖製作金飾模具，經過起版、開膠模、注蠟、修蠟、金液澆注、倒模工藝，得到金飾；
(2)、銀胚製作：根據設計圖製作銀胚模具，經過起版、開膠模、注蠟、修蠟、銀液澆注、倒模工藝，得到銀胚；
(3)、銀胚再加工：對銀胚進行切割定型形成胚底，並在相應的鑲嵌位置液壓出與金飾相配合的預留安裝槽結構，同時預留出銀質焊塊；
(4)、鑲嵌金飾：對銀胚與金飾的鑲嵌位置進行點焊，溶解相連部位的預留銀質焊塊，然後將金飾鑲嵌到銀胚預留安裝槽中，利用鑲嵌位置的銀胚面及金飾面的相融凝固實現彼此牢固鑲嵌；
(5)、表面處理：對金飾的表面進行磨砂處理，對銀胚的表面進行拋光處理，並透過清洗液浸泡去除首飾上殘留的氧化物，保證首飾的潔淨和表面光澤度；
(6)、精細加工：對首飾設計中的花紋部分進行鐳射雕刻，對於設計中有壓花效果的部位進行壓花處理。
以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式，但本發明的保護範圍並不侷限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。