晶片熱壓焊接工藝按內引線壓焊後的形狀不同分為兩種：

球焊(丁頭焊)和針腳焊。兩種焊接都需要分別對焊接晶片的金屬框架、空心劈刀進行加熱（前者溫度為 350～400℃,後者為150～250℃），並在劈刀上加適當的壓力。

首先，將穿過空心劈刀從下方伸出的金絲段用氫氧焰或高壓切割形成圓球，此球在劈刀下被壓在晶片上的鋁焊區焊接，利用此法進行焊接時，焊接面積較大，引線形變適度而且均勻，是較為理想的一種焊接形式。

隨後將劈刀抬起，把金絲拉到另一端（即在引線框架上對應於要相聯接的焊區），向下加壓進行焊接，所形成的焊點稱為針腳焊。

焊接晶片注意事項：

1、對於引線是鍍金銀處理的積體電路，只需用酒精擦拭引線即可。

2、對於事先將各引線短路的CMOS電路，焊接之前不能剪掉短路線，應在焊接之後剪掉。

3、工作人員應佩就防靜電手環在防靜電工作臺上進行焊接操作，工作臺應乾淨整潔。

4、手持積體電路時，應持住積體電路的外封裝，不能接觸到引線。

5、焊接時，應選用20W的內熱式電烙鐵，而且電烙鐵必須可靠接地。

6、焊接時，每個引線的焊接時間不能超過4s，連續焊接時間不能超過10s。

7、要使用低熔點的釺劑，一般釺劑熔點不應超過150℃。

8、對於MOS管，安裝時應先S極，再G極最後D極的順序進行焊接。

9、安裝散熱片時應先用酒精擦拭安裝面，之後塗上一層矽膠，放平整之後安裝緊固螺釘。

10、直接將積體電路焊接到電路板上時，爆接順序為：地端→輸出端→電源端→輸入端的順序。

擴充套件資料

晶片焊接工藝可分為兩類：

①低熔點合金焊接法：採用的焊接材料有金矽合金、金鎵合金、銦鉛銀合金、鉛錫銀合金等。

②粘合法:用低溫銀漿、銀泥、環氧樹脂或導電膠等以粘合方式焊接晶片。

積體電路塑膠封裝中,也常採用低溫(200℃以下)銀漿、銀泥或導電膠以粘合的形式進行晶片焊接。另外，燒結時（即晶片粘完銀漿後烘焙），氣氛和溫度視所採用的銀漿種類不同而定。

低溫銀漿多在空氣中燒結，溫度為150～250℃；高溫銀漿採用氮氣保護，燒結溫度為380～400℃。