K2611是N溝道增強型場效電晶體，引數是900V，9A，150W。
場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。場效電晶體（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。
N溝道增強型場效電晶體原理：兩種溝道都是利用多數載流子的定向移動來導電，N溝道的多數載流子是電子，p溝道是空穴，當溝道中有電場時，就會有大量載流子，形成通路，，電場消失，溝道消失。增強型場效電晶體是高電平導通（高電平時形成溝道），耗盡型是低電平導通。
場效電晶體(FET)是場效應電晶體(field-effect transistor)的簡稱，由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，也稱為單極性場效電晶體，是一種常見的利用輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效電晶體不但具有雙極性電晶體體積小、重量輕、壽命長等優點，而且輸入迴路的內阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩定性好，抗輻射能力強，且比後者耗電省，這些優點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用於各種電子電路之中。
K2611是N溝道增強型場效電晶體，引數是900V，9A，150W。
場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。場效電晶體（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。
N溝道增強型場效電晶體原理：兩種溝道都是利用多數載流子的定向移動來導電，N溝道的多數載流子是電子，p溝道是空穴，當溝道中有電場時，就會有大量載流子，形成通路，，電場消失，溝道消失。增強型場效電晶體是高電平導通（高電平時形成溝道），耗盡型是低電平導通。
場效電晶體(FET)是場效應電晶體(field-effect transistor)的簡稱，由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，也稱為單極性場效電晶體，是一種常見的利用輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效電晶體不但具有雙極性電晶體體積小、重量輕、壽命長等優點，而且輸入迴路的內阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩定性好，抗輻射能力強，且比後者耗電省，這些優點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用於各種電子電路之中。