CMOS的製造技術和一般計算機晶片沒什麼差別，主要是利用矽和鍺這兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著帶N（帶–電） 和 P（帶+電）級的半導體，這兩個互補效應所產生的電流即可被處理晶片紀錄和解讀成影像。然而，CMOS的缺點就是太容易出現雜點, 這主要是因為早期的設計使CMOS在處理快速變化的影像時，由於電流變化過於頻繁而會產生過熱的現象。
CCD：電荷藕合器件影象感測器CCD（Charge Coupled Device），它使用一種高感光度的半導體材料製成，能把光線轉變成電荷，透過模數轉換器晶片轉換成數字訊號，數字訊號經過壓縮以後由相機內部的閃速儲存器或內建硬碟卡儲存，因而可以輕而易舉地把資料傳輸給計算機，並藉助於計算機的處理手段，根據需要和想像來修改影象。CCD由許多感光單位組成，通常以百萬畫素為單位。當CCD表面受到光線照射時，每個感光單位會將電荷反映在元件上，所有的感光單位所產生的訊號加在一起，就構成了一幅完整的畫面。
CMOS和CCD同為感光元件，只不過技術不一樣而已 。
CCD和CMOS在製造上的主要區別是CCD是整合在半導體單晶材料上，而CMOS是整合在被稱做金屬氧化物的半導體材料上，工作原理沒有本質的區別。CCD只有少數幾個廠商例如索尼、松下等掌握這種技術。而且CCD製造工藝較複雜，採用CCD的攝像頭價格都會相對比較貴。事實上經過技術改造，目前CCD和CMOS的實際效果的差距已經減小了不少。而且CMOS的製造成本和功耗都要低於CCD不少，所以很多攝像頭生產廠商採用的CMOS感光元件。成像方面：在相同畫素下CCD的成像通透性、Octavia度都很好，色彩還原、曝光可以保證基本準確。而CMOS的產品往往通透性一般，對實物的色彩還原能力偏弱，曝光也都不太好，由於自身物理特性的原因，CMOS的成像質量和CCD還是有一定距離的。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進目標，以期進入照相手機的行動通訊市場；CMOS系列，則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統合，藉由後續的影像處理修正噪點以及畫質表現， 特別是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功，足見高速影像處理晶片已經可以勝任高畫素CMOS 所產生的影像處理時間與能力的縮短；CMOS未來跨足高階的影像市場產品，前景可期。 但由於低廉的價格以及高度的整合性，因此在攝像頭領域還是得到了廣泛的應用。
因為CMOS結構相對簡單，與現有的大規模積體電路生產工藝相同，從而生產成本可以降低。從原理上，CMOS的訊號是以點為單位的電荷訊號，而CCD是以行為單位的電流訊號，前者更為敏感，速度也更快，更為省電。現在高階的CMOS並不比一般CCD差，但是CMOS工藝還不是十分成熟，普通的 SMOS 一般解析度低而成像較差。
優點缺點的分析
CCD技術成熟，成像質量好，畢竟它是現在應用的最廣泛的成像元件，優點在於
1）CCD從一開始就是為影象而生。CCD從根本上說，就是採用為影象和電荷傳輸最佳化設計的製造技術。這種技術，保證了CCD的效能不會因為減小畫素尺寸，而發生降低。這種專用技術的應用，當然也造成了CCD的一大劣勢－－不能整合其他影象處理功能到這塊感測器上。
2）CCD感測器從根本上避免了由於畫素竄擾產生的fixed-pattern noise (固定圖樣噪聲，FPN)，以及temporal noise（暫時噪聲）。而這兩種噪音在CMOS上是永遠不能避免的。
CMOS的製造技術和一般計算機晶片沒什麼差別，主要是利用矽和鍺這兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著帶N（帶–電） 和 P（帶+電）級的半導體，這兩個互補效應所產生的電流即可被處理晶片紀錄和解讀成影像。然而，CMOS的缺點就是太容易出現雜點, 這主要是因為早期的設計使CMOS在處理快速變化的影像時，由於電流變化過於頻繁而會產生過熱的現象。
CCD：電荷藕合器件影象感測器CCD（Charge Coupled Device），它使用一種高感光度的半導體材料製成，能把光線轉變成電荷，透過模數轉換器晶片轉換成數字訊號，數字訊號經過壓縮以後由相機內部的閃速儲存器或內建硬碟卡儲存，因而可以輕而易舉地把資料傳輸給計算機，並藉助於計算機的處理手段，根據需要和想像來修改影象。CCD由許多感光單位組成，通常以百萬畫素為單位。當CCD表面受到光線照射時，每個感光單位會將電荷反映在元件上，所有的感光單位所產生的訊號加在一起，就構成了一幅完整的畫面。
CMOS和CCD同為感光元件，只不過技術不一樣而已 。
CCD和CMOS在製造上的主要區別是CCD是整合在半導體單晶材料上，而CMOS是整合在被稱做金屬氧化物的半導體材料上，工作原理沒有本質的區別。CCD只有少數幾個廠商例如索尼、松下等掌握這種技術。而且CCD製造工藝較複雜，採用CCD的攝像頭價格都會相對比較貴。事實上經過技術改造，目前CCD和CMOS的實際效果的差距已經減小了不少。而且CMOS的製造成本和功耗都要低於CCD不少，所以很多攝像頭生產廠商採用的CMOS感光元件。成像方面：在相同畫素下CCD的成像通透性、Octavia度都很好，色彩還原、曝光可以保證基本準確。而CMOS的產品往往通透性一般，對實物的色彩還原能力偏弱，曝光也都不太好，由於自身物理特性的原因，CMOS的成像質量和CCD還是有一定距離的。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進目標，以期進入照相手機的行動通訊市場；CMOS系列，則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統合，藉由後續的影像處理修正噪點以及畫質表現， 特別是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功，足見高速影像處理晶片已經可以勝任高畫素CMOS 所產生的影像處理時間與能力的縮短；CMOS未來跨足高階的影像市場產品，前景可期。 但由於低廉的價格以及高度的整合性，因此在攝像頭領域還是得到了廣泛的應用。
因為CMOS結構相對簡單，與現有的大規模積體電路生產工藝相同，從而生產成本可以降低。從原理上，CMOS的訊號是以點為單位的電荷訊號，而CCD是以行為單位的電流訊號，前者更為敏感，速度也更快，更為省電。現在高階的CMOS並不比一般CCD差，但是CMOS工藝還不是十分成熟，普通的 SMOS 一般解析度低而成像較差。
優點缺點的分析
CCD技術成熟，成像質量好，畢竟它是現在應用的最廣泛的成像元件，優點在於
1）CCD從一開始就是為影象而生。CCD從根本上說，就是採用為影象和電荷傳輸最佳化設計的製造技術。這種技術，保證了CCD的效能不會因為減小畫素尺寸，而發生降低。這種專用技術的應用，當然也造成了CCD的一大劣勢－－不能整合其他影象處理功能到這塊感測器上。
2）CCD感測器從根本上避免了由於畫素竄擾產生的fixed-pattern noise (固定圖樣噪聲，FPN)，以及temporal noise（暫時噪聲）。而這兩種噪音在CMOS上是永遠不能避免的。