電晶體：（半導體分立器件）
半導體分立器件泛指半導體二極體，三級管以及半導體特殊器件。
特性引數：（二極體）
If正向直流電流：他定義為二極體低阻方向流過的電流，對整流管定義為，規定使用條件下載阻性負載的正旋半波整流電路中允許連續透過的最大工作電流平均值，對矽開關管，則規定為額定功率下允許透過二極體的最大正向脈衝電流。
Ifm正向峰值電流:定義為額定功率下允許透過二極體的最大正向脈衝電流。
Vf正向電壓降：他定義為二極體透過額定電流時的電壓降平均值。
最高反向工作電壓：對矽整流管，為擊穿電壓的2/3 ，對矽堆，規定為正旋半波阻性負載電路中正常工作時所加的最大反向峰值電壓值。對鍺檢波管，矽開關管規定為反向電流在極間產生的電壓值。
擊穿電壓：對於發生軟擊穿的如,鍺檢波，開關管，是指在給給定的反向電流的極間電壓值，對於硬擊穿的整流開關管，則指反向特性曲線急劇轉彎電的電壓峰值。
特性引數：（三極體）
HFE共發射極直流放大係數：當集電極電壓與電流為規定值時，Ic與Ib之比。
Fhfe共發射極截止頻率：定義為當hfe下降至1khz時的0.707（即3db）的頻率。
F0特徵頻率：當頻率足夠高時，hfe將以每被頻程下降6db的速度下降，ft定義為hfe=1的頻率。
Icbo發射極開路，集電極與基極電壓為規定值時的集電極電流。Iceo基極開路，集電極與發射極電壓為規定值時的集電極電流。ICM集電極的最大允許電流。
PCM集電極最大允許耗散功率。VCBO發射極開路，集電極,基極的擊穿電壓。VCEO基極開路，集電極,發射極的擊穿電壓。VEBO集電極開路，發射機,基極的擊穿電壓。
電晶體的溫度特性：
對二極體而言，正向電流一定時，正向壓降隨溫度的升高而降低，室溫時，溫度升高1C,正向壓降降低2-2.5mv 反向漏電流則隨溫度按指數規律變化，溫度升高1C,鍺管增加10%，矽管增加為7%。
對三極體而言，受溫度影響最大的引數包括：VBE,ICBO,HFE.
其中，VBE以-(2-2.5)mv/C的速率線性變化，Iceo在溫度不很高時，按指數規律變化，每升高9-10C ,增加一倍。HEF隨溫度增加1C增加2%左右，總之，當溫度升高時，都將使集電極電流增大。
半導體分立器件的型號命名方法：
1 國標命名方法：（引自GB249-74 ,1975）半導體器件有5部分組成
第一部分：用數字表示器件的電極數目。2,二極體。3,三極體。
第二部分：用漢語拼音表示器件的材料極性。二極體：A,N鍺材料，B,P鍺材料，C,N矽材料，D,P矽材料，三極體：A,PNP鍺材料，B,NPN鍺材料，C,PNP矽材料，D,NPN矽材料，E,化合物材料。
第三部分：用漢語拼音表示器件的型別。P普通管，V 微波管，W穩壓管，C參量管，Z整流管，L整流堆，S隧道管，N阻尼管，U光電管，X低頻小功率，G高頻小功率，D低頻大功率，A高頻大功率，T體效應管，B雪崩管，J 階躍恢復管，CS場效電晶體，BT半導體特殊器件，FH複合管，PIN,PIN管，JG鐳射管。
第四部分：用數字表示器件的序號。第五部分：用漢語拼音表示規格號。
日本半導體器件的命名方法：
第一部分：用數字表示器件的電極數，0，光電管，1 二極體，2 三極體。。。
第二部分：S:已在日本電子工業協會（JEIA）註冊的標誌。
第三部分：用字母表示材料的型別：A,PNP高頻，B,PNP低頻，C,NPN高頻，D,NPN低頻，F, P控制極可控矽，G, N控制極可控矽，H, N 基極單結電晶體，J, P溝道場效電晶體，K, N溝道場效電晶體，M,雙向可控矽。
第四部分：器件在JEIA的登記號，效能相同，但不同廠家的產品可用同號。
第五部分：A,B,C,表示該型號是原型號的改進型號。除以上基本符號外，有時還附有一些字尾，如：M:表示器件符合日本海上自衛隊參謀部有關標準。N,(外加圈)符合日本廣播協會標準。H,(外加圈)日立通訊用，K,(外加圈)日立通訊用，Z,(外加圈)松下通訊用G,(外加圈) 東芝通訊用S,(外加圈)三洋通訊用。字尾的第二個字母通常表示HEF分檔標誌。
美國半導體器件的命名方法：
美國半導體器件的命名比較混亂，這裡介紹的是美國電子工業協會（EIA）規定的電晶體分立器件的命名法。
第一部分:用符號表示用途和類別，JAN,或J軍用。無，民用。
第二部分：用數字表示PN接面數，1，二極體，2 ，三極體。。。。
第三部分：美國電子工業協會（EIA）註冊標誌,N
第四部分：美國電子工業協會（EIA）登記序號。
第五部分：同型號的不同檔別，A,B,C…
美國半導體器件的命名特點：
1 除字首以外，凡以1N,2N,3N開頭的器件，大多為美國製造，或美國專利。
2 第四部分只是登記序號，無其他意義，所以相鄰號引數也許相差很大。
3，不同廠家生產效能一致的器件使用同一登記號，故可以通用。
歐洲半導體分立器件的型號命名方法：
目前歐洲各國沒有明確統一的型號命名方法，但大部分歐洲共同體的國家一般使用國際電子聯合會的標準版導體分立器件的型號命名方法。
第一部分：用字母表示材料：A鍺材料，B矽材料，C砷化鉀，D銻化銦，R複合材料。
第二部分：用字母表示型別。A檢波開關和混頻二極體,B 變容二極體，C低頻小功率三極體,D低頻大功率三極體，E隧道二極體，F高頻小功率三極體，H磁敏二極體，K開放磁路霍爾器件，M密封磁路霍爾器件，P光敏器件，Q發光器件，R小功率可控矽，T大功率可控矽，U大功率開關管，X倍增二極體，Y整流二極體，Z齊納二極體,L高頻大功率管,S小功率開關管
第三部分：通用半導體器件的登記序號。
第四部分：同一型號器件的分檔標誌。
電晶體的代換基本原則：
型別相同：包含以下三點。
1材料相同，即矽管代換矽管，鍺管代換鍺管。
2 極性相同，即NPN代換NPN 管。
3種類相同,即一般三極體代換一般三極體。場效電晶體代換場效電晶體。
特性相近：代換管的主要引數與原管的引數相近，一般用途的三極體，只要以下主要引數相近即可代換，PCM，ICM，VCEO，F0．在以上引數中，均要考慮代換管的引數大於或者等於原管的引數。對於特殊用途的三極體，還要考慮相應的其他引數，如：低噪聲三極體等。
外形相似：小功率管外形均相似，只要明確了各個電極的極性，即可代換，大功率管外形差異較大，最好選選擇與原封裝相同的管子，以滿足和接近原來的散熱條件。
電晶體：（半導體分立器件）
半導體分立器件泛指半導體二極體，三級管以及半導體特殊器件。
特性引數：（二極體）
If正向直流電流：他定義為二極體低阻方向流過的電流，對整流管定義為，規定使用條件下載阻性負載的正旋半波整流電路中允許連續透過的最大工作電流平均值，對矽開關管，則規定為額定功率下允許透過二極體的最大正向脈衝電流。
Ifm正向峰值電流:定義為額定功率下允許透過二極體的最大正向脈衝電流。
Vf正向電壓降：他定義為二極體透過額定電流時的電壓降平均值。
最高反向工作電壓：對矽整流管，為擊穿電壓的2/3 ，對矽堆，規定為正旋半波阻性負載電路中正常工作時所加的最大反向峰值電壓值。對鍺檢波管，矽開關管規定為反向電流在極間產生的電壓值。
擊穿電壓：對於發生軟擊穿的如,鍺檢波，開關管，是指在給給定的反向電流的極間電壓值，對於硬擊穿的整流開關管，則指反向特性曲線急劇轉彎電的電壓峰值。
特性引數：（三極體）
HFE共發射極直流放大係數：當集電極電壓與電流為規定值時，Ic與Ib之比。
Fhfe共發射極截止頻率：定義為當hfe下降至1khz時的0.707（即3db）的頻率。
F0特徵頻率：當頻率足夠高時，hfe將以每被頻程下降6db的速度下降，ft定義為hfe=1的頻率。
Icbo發射極開路，集電極與基極電壓為規定值時的集電極電流。Iceo基極開路，集電極與發射極電壓為規定值時的集電極電流。ICM集電極的最大允許電流。
PCM集電極最大允許耗散功率。VCBO發射極開路，集電極,基極的擊穿電壓。VCEO基極開路，集電極,發射極的擊穿電壓。VEBO集電極開路，發射機,基極的擊穿電壓。
電晶體的溫度特性：
對二極體而言，正向電流一定時，正向壓降隨溫度的升高而降低，室溫時，溫度升高1C,正向壓降降低2-2.5mv 反向漏電流則隨溫度按指數規律變化，溫度升高1C,鍺管增加10%，矽管增加為7%。
對三極體而言，受溫度影響最大的引數包括：VBE,ICBO,HFE.
其中，VBE以-(2-2.5)mv/C的速率線性變化，Iceo在溫度不很高時，按指數規律變化，每升高9-10C ,增加一倍。HEF隨溫度增加1C增加2%左右，總之，當溫度升高時，都將使集電極電流增大。
半導體分立器件的型號命名方法：
1 國標命名方法：（引自GB249-74 ,1975）半導體器件有5部分組成
第一部分：用數字表示器件的電極數目。2,二極體。3,三極體。
第二部分：用漢語拼音表示器件的材料極性。二極體：A,N鍺材料，B,P鍺材料，C,N矽材料，D,P矽材料，三極體：A,PNP鍺材料，B,NPN鍺材料，C,PNP矽材料，D,NPN矽材料，E,化合物材料。
第三部分：用漢語拼音表示器件的型別。P普通管，V 微波管，W穩壓管，C參量管，Z整流管，L整流堆，S隧道管，N阻尼管，U光電管，X低頻小功率，G高頻小功率，D低頻大功率，A高頻大功率，T體效應管，B雪崩管，J 階躍恢復管，CS場效電晶體，BT半導體特殊器件，FH複合管，PIN,PIN管，JG鐳射管。
第四部分：用數字表示器件的序號。第五部分：用漢語拼音表示規格號。
日本半導體器件的命名方法：
第一部分：用數字表示器件的電極數，0，光電管，1 二極體，2 三極體。。。
第二部分：S:已在日本電子工業協會（JEIA）註冊的標誌。
第三部分：用字母表示材料的型別：A,PNP高頻，B,PNP低頻，C,NPN高頻，D,NPN低頻，F, P控制極可控矽，G, N控制極可控矽，H, N 基極單結電晶體，J, P溝道場效電晶體，K, N溝道場效電晶體，M,雙向可控矽。
第四部分：器件在JEIA的登記號，效能相同，但不同廠家的產品可用同號。
第五部分：A,B,C,表示該型號是原型號的改進型號。除以上基本符號外，有時還附有一些字尾，如：M:表示器件符合日本海上自衛隊參謀部有關標準。N,(外加圈)符合日本廣播協會標準。H,(外加圈)日立通訊用，K,(外加圈)日立通訊用，Z,(外加圈)松下通訊用G,(外加圈) 東芝通訊用S,(外加圈)三洋通訊用。字尾的第二個字母通常表示HEF分檔標誌。
美國半導體器件的命名方法：
美國半導體器件的命名比較混亂，這裡介紹的是美國電子工業協會（EIA）規定的電晶體分立器件的命名法。
第一部分:用符號表示用途和類別，JAN,或J軍用。無，民用。
第二部分：用數字表示PN接面數，1，二極體，2 ，三極體。。。。
第三部分：美國電子工業協會（EIA）註冊標誌,N
第四部分：美國電子工業協會（EIA）登記序號。
第五部分：同型號的不同檔別，A,B,C…
美國半導體器件的命名特點：
1 除字首以外，凡以1N,2N,3N開頭的器件，大多為美國製造，或美國專利。
2 第四部分只是登記序號，無其他意義，所以相鄰號引數也許相差很大。
3，不同廠家生產效能一致的器件使用同一登記號，故可以通用。
歐洲半導體分立器件的型號命名方法：
目前歐洲各國沒有明確統一的型號命名方法，但大部分歐洲共同體的國家一般使用國際電子聯合會的標準版導體分立器件的型號命名方法。
第一部分：用字母表示材料：A鍺材料，B矽材料，C砷化鉀，D銻化銦，R複合材料。
第二部分：用字母表示型別。A檢波開關和混頻二極體,B 變容二極體，C低頻小功率三極體,D低頻大功率三極體，E隧道二極體，F高頻小功率三極體，H磁敏二極體，K開放磁路霍爾器件，M密封磁路霍爾器件，P光敏器件，Q發光器件，R小功率可控矽，T大功率可控矽，U大功率開關管，X倍增二極體，Y整流二極體，Z齊納二極體,L高頻大功率管,S小功率開關管
第三部分：通用半導體器件的登記序號。
第四部分：同一型號器件的分檔標誌。
電晶體的代換基本原則：
型別相同：包含以下三點。
1材料相同，即矽管代換矽管，鍺管代換鍺管。
2 極性相同，即NPN代換NPN 管。
3種類相同,即一般三極體代換一般三極體。場效電晶體代換場效電晶體。
特性相近：代換管的主要引數與原管的引數相近，一般用途的三極體，只要以下主要引數相近即可代換，PCM，ICM，VCEO，F0．在以上引數中，均要考慮代換管的引數大於或者等於原管的引數。對於特殊用途的三極體，還要考慮相應的其他引數，如：低噪聲三極體等。
外形相似：小功率管外形均相似，只要明確了各個電極的極性，即可代換，大功率管外形差異較大，最好選選擇與原封裝相同的管子，以滿足和接近原來的散熱條件。