耐壓要看實際工作中，電容兩端承受的實際直流電壓是多少，如果真的要計算，還要看透過電容的交流訊號的數值是多少。那樣比較麻煩，一般留實際承受直流電壓的2倍的餘量就夠用了。　　容量有這樣一個公式（計算過程一律使用國際單位）：　　F=1/(2*π*R*C)　　其中，F是最低截止頻率，R是電容後面的負載（對於輸入電容就是放大器的輸入電阻，對於輸出電容就是放大器的負載電阻），C就是耦合電容的數值。　　關於電路的耦合問題，通常應該選取多大的電容呢，我在網上查到有這樣一種計算公式：　　F=1/(2*π*R*C)　　其中，F是最低截止頻率，R是電容後面的負載（對於輸入電容就是放大器的輸入電阻，對於輸出電容就是放大器的負載電阻），C就是耦合電容的數值。　　但是用這個計算出來和實際電路圖上的電容值又相差很大，而且串一電容、並一電阻的組成的應該是一個高通濾波器，所以我還有一點搞不明白的時這個公式裡面的頻率應該是高通截止頻率還是低通截止頻率。所以請大蝦指教一下，這個估算方式到底對不對呢，具體應該怎麼考慮呢，謝謝大家了　　低頻情況下，選取電容的方法就跟樓主所述的差不多，原則上是越大越好，當然，計算時一般選擇下限頻率、補償低頻頻響，音響電路里面很多時候就是這麼幹的。如果還要照顧高頻，那就採用兩個一大一小電容並聯的辦法試試看。一般估算時候採用的低端截止頻率要比你需要的最低頻率低5－10倍，高頻則要選高5－10倍。還要注意電容的材料和工藝，音訊頻段常用電解、聚丙烯和滌綸電容，幾百K用獨石（低頻瓷介）的足夠了，上兆的就用高頻瓷介，30兆以上的最好不用滌綸、低頻瓷介和有長引線的鋁電解，它們很有可能已經變成電感了。　　射頻的情況下就複雜一些，最好用半波長諧振腔法，透過做一個陷波器、觀察陷波深度來測試電容的等效射頻串聯電阻ESR，越小越好。本人試過用微帶腔體來做，但是Q值低，測得的數值偏大，一般S波段上，只能測到陷波-30dB的水平、也就是隻能測得略小於1歐姆的等效串聯電阻。倘若改用同軸腔體來做、Q值高，有可能將動態範圍提高到50－60dB，那就可以測得毫歐姆數量級、夠準確了。不過，這種方法來挑選旁路電容確實是個麻煩事，有現成的微波電容就直接用吧。　　一點體會：透過親身的實驗，發現同樣大小的0805貼片電容，S波段上，100－300pF標稱值的電阻最小，ESR約0.9歐姆（其實都偏大了）；而1000pF和0.1uF（貼片封裝為1206）的都比100－300p的差，0.1uF的ESR甚至達到14歐姆。容量大、體色較深的貼片電容，似乎損耗更大一些，ESR都較淺色的、低容量電容的大。