使用7nm技術，效能提升不到一成，售價翻個十倍你感覺怎麼樣？不用神話7nm技術。電腦CPU的供電和手機供電是兩種概念，散熱效果也是天差地別。在效能提升幅度不大，發熱效果完全可控的情況下，肯定是選擇更便宜的14nm技術。

Intel 對CPU 製程是有自己的追求的(伺服器CPU 的穩定性 功效 發熱量.......) 不總是說7nm 就合適Intel 自己的需求 而Intel 的10nm 就落後了

英特爾10代酷睿處理器其實在膝上型電腦上是10nm新工藝生產的，比如i5-10210u或者i7-10510u等型號，不過這些只是低電壓CPU，本身的頻率和效能並不比9代14nm處理器要強，只是勝在能耗比較高，可以給膝上型電腦帶來更好的續航能力和散熱水平，就絕對效能上來說並不算很好。

而對於2020年春天上市的10代桌面處理器來說，使用14nm純屬無奈，主要是英特爾在10nm工藝上的目標定的太高，各種引數甚至比臺積電7nm還要苛刻，所以導致英特爾10nm工藝常年無法量產，良品率低就賺不到錢，所以英特爾寧可把10nm處理器延期也不會硬著頭皮去生產。

7nm工藝如今其實已經成熟了，但是主要在於臺積電和三星這樣的晶片代工廠，對於英特爾這樣既要做晶片設計還要做晶片製造的廠商來說就有些困難了，而且不同廠商之間在工藝數字上的指標也不一樣，其實英特爾的10nm技術並不比臺積電和三星的7nm技術差，只是因為常年無法達到較好的良品率而延期了，恐怕桌面版的10nm處理器得等到2021年了。

可憐的英特爾自從被三星搶了全球半導體的鐵王座後，AMD又跳出來呸呸呸，曾經的半導體行業大哥進入被萬人吊錘模式。看到這種情形，估計晶片之父、英特爾的創始人能把棺材板子拍爛！臺積電早在去年就量產7nm晶片，是不是在晶片工藝製程上，英特爾已經被臺積電秒成了灰？

實際上不是這麼回事。臺積電只有進入7nmEUV(極紫外光)晶片階段，才可以稱得上真正領先英特爾，也就是今年。所謂臺積電2018年量產的7nm晶片領先英特爾10nm的說法，其實是站不住腳的。

下面，我一一解析為什麼。

晶片製造工藝節點又叫工藝代數，採用新的工藝節點代表著晶片製造工藝的換代升級，意味著電晶體密度大幅增加，晶片效能大幅提升。實際上，摩爾定律的延續就是靠晶片製造工藝節點的不斷換代維持的。

如何確定新的工藝節點呢？一個由英特爾主導的行業規則（不是行業標準）規定，新的工藝節點的升級，是將上一代電晶體的柵極寬度縮小大約30%，也就是採用新工藝節點生產的電晶體柵極寬度是上一代的70%。

為什麼要按70%比例縮小柵極寬度？因為柵極寬度是原來的70%後，根據面積是寬的平方（這裡為敘述方便，將電晶體視作正方形，長與寬相等），電晶體的面積大約是原來的一半，相當於同樣的晶片可以放下多一倍的電晶體。這樣做，可以保證每18到24個月（晶片製造工藝節點升級週期），晶片上的電晶體數量翻倍，正好符合摩爾定律。

說白了，每代晶片工藝節點按70%比例縮小電晶體柵極，就是為了跟上摩爾定律的節奏。摩爾是英特爾公司創始人之一，摩爾定律幫助英特爾從無名小公司成長為行業霸主，這就解釋了英特爾為何要透過主導晶片工藝節點規則，因為它是堅決捍衛和踐行摩爾定律的。

這個規則透過IBM製造技術聯盟來推廣，英特爾、三星、臺積電和格羅方德（簡稱GF）都是其成員。聯盟會定期釋出晶片工藝節點路線圖，比如下圖的180nm—130nm—90nm—65nm—45nm—32nm—22nm—14nm—10nm—7nm—5nm……，形成公差大約為0.7（70%）的一個等差數列。

有了工藝節點路線圖的指示，我們什麼時候用多少nm的晶片，清清楚楚。

然而，計劃不如變化快，事情不久就起了變化。

第一個跳出來對這個行業規則說不的是臺積電。

在工藝節點越過180nm後，臺積電不答應了，提出“半工藝節點”的概念，簡單說就是，不一定非要按照70%的比例縮小柵極寬度，可以按80%多一點嘛，外界對此有個通俗說法叫“改良版工藝節點”，或者叫“Xnm+”。舉個例子，臺積電12nm就是16nm的第四代改良版，行業的正式寫法是“16nm++++”。嫌棄16nm改良版本多？臺積電的28nm工藝節點至少有6個改良版本，這才是真的多。具體見下面截圖。

當然，臺積電在28nm上改良版本多還有一個原因，是因為晶片漏電嚴重，還因此戴上臺漏電帽子。不過透過不斷推改良版本，漏電的帽子已經摘掉了。這也從側面說明，晶片製造是真的難，真的高精尖。

回到正題。

臺積電推“半工藝節點”也不是想和英特爾過不去，而是因為可以“一箭三雕”：

客戶基本不用改晶片設計，省錢；

臺積電不用建設全新生產線，只需改造現有舊生產線，省大錢；

“半工藝節點”雖然帶來的效能提升有限，但每一次改良比如12nm改良自16nm，會給一般人工藝節點又升級一代的印象，使臺積電在市場營銷上佔有利地位；

對臺積電的“半工藝節點”的操作，英特爾根本沒放在眼裡，畢竟它們是井水不犯河水，但臺積電的老對手三星可不這麼想，看著臺積電時不時宣佈推出新的工藝節點（很多是半工藝節點），動靜鬧的很大，客戶一個個往那兒跑，屁股也坐不住了，開始跟上操作“半工藝節點”。

結果就是，三星的晶片製造工藝節點版本眾多，14nm、10nm各有4個改良版本，這個節奏直追臺積電了，甚至規劃中的7nm也準備來3個改良版本。

但是，改良版本多了，而且各家叫法不同，容易擾亂市場，最有名的就是蘋果將A9晶片分別讓三星和臺積電代工，因為三星是14nm工藝節點，臺積電是16nm工藝節點，數字差距讓iPhone使用者以為三星代工的晶片效能勝過臺積電代工的，一度鬧出退機風潮。實際上，臺積電的16nm效能略超三星的14nm，原因和14nm只是改良版，不是全新工藝節點有關。

不過，相似的一幕在英特爾和臺積電之間上演。自從臺積電在去年量產7nm晶片後，英特爾在今年才剛剛量產10nm晶片，看起來英特爾在工藝節點上落後臺積電一代，實際並非如此。

一方面，臺積電量產的7nm是DUV（深紫外光源），可視作一個改良版本，而還沒有量產的採用EUV（極紫外光源）7nm才是全新的工藝節點，晶片的效能才會大幅提升。

實際上，不玩數字遊戲，從每平方毫米的電晶體數量這個指標，更能看出工藝節點是否“摻水”。

以採用10nm工藝的Core i3 8121U為例，其每平方毫米的電晶體數量為1.008億個，數字比它小了30%的臺積電採用DUV光源的7nm工藝製造的晶片，每平方毫米的電晶體數量為1.0123個，兩者相差並不大，說明臺積電的7nm工藝屬於改良版。

反過來說，在去年，臺積電的工藝製程優勢相對於英特爾並不具備壓倒性優勢。只有採用EUV光源的7nm工藝節點量產，而英特爾相應的7nm工藝節點跳票，才可以說臺積電在工藝製程上領先英特爾一代。而臺積電剛剛量產EUV光源的7nm晶片，所以領先英特爾可以說是“剛剛”吧。