大功率三極體型號很多，比如P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U- 光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體閘流體(可控整流器)、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效電晶體、BT-半導體特殊器件、FH-複合管、PIN-PIN型管、JG-鐳射器件。大功率三極體型號用數字表示序號用漢語拼音字母表示規格號。 日本半導體分立器件型號命名方法，日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：第一部分：用數字表示器件有效電極數目或型別。0-光電(即光敏)二極體三極體及上述器件的組合管、1-二極體、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。 第二部分：日本電子工業協會JEIA註冊標誌。S-表示已在日本電子工業協會JEIA註冊登記的半導體分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料極性和型別。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控矽、G-N控制極可控矽、H-N基極單結電晶體、J-P溝道場效電晶體、K-N 溝道場效電晶體、M-雙向可控矽。 第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號;不同公司的效能相同的器件可以使用同一順序號;數字越大，越是近期產品。 第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產品標誌。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。
大功率三極體型號很多，比如P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U- 光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體閘流體(可控整流器)、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效電晶體、BT-半導體特殊器件、FH-複合管、PIN-PIN型管、JG-鐳射器件。大功率三極體型號用數字表示序號用漢語拼音字母表示規格號。 日本半導體分立器件型號命名方法，日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：第一部分：用數字表示器件有效電極數目或型別。0-光電(即光敏)二極體三極體及上述器件的組合管、1-二極體、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。 第二部分：日本電子工業協會JEIA註冊標誌。S-表示已在日本電子工業協會JEIA註冊登記的半導體分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料極性和型別。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控矽、G-N控制極可控矽、H-N基極單結電晶體、J-P溝道場效電晶體、K-N 溝道場效電晶體、M-雙向可控矽。 第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號;不同公司的效能相同的器件可以使用同一順序號;數字越大，越是近期產品。 第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產品標誌。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。