電晶體主要引數，電晶體主要引數電晶體的主要引數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。
電晶體主要引數
電晶體的主要引數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。
※ 電流放大係數
電流放大係數也稱電流放大倍數，用來表示電晶體放大能力。
根據電晶體工作狀態的不同，電流放大係數又分為直流電流放大係數和交流電流放大係數。
1、直流電流放大係數 直流電流放大係數也稱靜態電流放大係數或直流放大倍數，是指在靜態無變化訊號輸入時，電晶體集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。
2、交流電流放大係數 交流電流放大係數也稱動態電流放大係數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，電晶體集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有區別又關係密切，兩個引數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。
耗散功率
耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指電晶體引數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。
耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。電晶體在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成電晶體因過載而損壞。
通常將耗散功率PCM小於1W的電晶體稱為小功率電晶體，PCM等於或大於1W、小於5W的電晶體被稱為中功率電晶體，將PCM等於或大於5W的電晶體稱為大功率電晶體。
頻率特性
電晶體的電流放大係數與工作頻率有關。若電晶體超過了其工作頻率範圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。
電晶體的頻率特性引數主要包括特徵頻率fT和最高振盪頻率fM等。
1、特徵頻率fT 電晶體的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大係數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時電晶體的工作頻率。
通常將特徵頻率fT小於或等於3MHZ的電晶體稱為低頻管，將fT大於或等於30MHZ的電晶體稱為高頻管，將fT大於3MHZ、小於30MHZ的電晶體稱為中頻管。
2、最高振盪頻率fM 最高振盪頻率是指電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率。
通常，高頻電晶體的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率fT則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。
集電極最大電流ICM
集電極最大電流是指電晶體集電極所允許透過的最大電流。當電晶體的集電極電流IC超過ICM時，電晶體的β值等引數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。
最大反向電壓
最大反向電壓是指電晶體在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。
1、集電極——集電極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。
2、基極—— 基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。
3、發射極——發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。
反向電流
電晶體的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO。
1．集電極——基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當電晶體的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明電晶體的溫度特性越好。
2．集電極——發射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當電晶體的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明電晶體的效能越好。
電晶體主要引數，電晶體主要引數電晶體的主要引數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。
電晶體主要引數
電晶體的主要引數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。
※ 電流放大係數
電流放大係數也稱電流放大倍數，用來表示電晶體放大能力。
根據電晶體工作狀態的不同，電流放大係數又分為直流電流放大係數和交流電流放大係數。
1、直流電流放大係數 直流電流放大係數也稱靜態電流放大係數或直流放大倍數，是指在靜態無變化訊號輸入時，電晶體集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。
2、交流電流放大係數 交流電流放大係數也稱動態電流放大係數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，電晶體集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有區別又關係密切，兩個引數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。
耗散功率
耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指電晶體引數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。
耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。電晶體在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成電晶體因過載而損壞。
通常將耗散功率PCM小於1W的電晶體稱為小功率電晶體，PCM等於或大於1W、小於5W的電晶體被稱為中功率電晶體，將PCM等於或大於5W的電晶體稱為大功率電晶體。
頻率特性
電晶體的電流放大係數與工作頻率有關。若電晶體超過了其工作頻率範圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。
電晶體的頻率特性引數主要包括特徵頻率fT和最高振盪頻率fM等。
1、特徵頻率fT 電晶體的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大係數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時電晶體的工作頻率。
通常將特徵頻率fT小於或等於3MHZ的電晶體稱為低頻管，將fT大於或等於30MHZ的電晶體稱為高頻管，將fT大於3MHZ、小於30MHZ的電晶體稱為中頻管。
2、最高振盪頻率fM 最高振盪頻率是指電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率。
通常，高頻電晶體的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率fT則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。
集電極最大電流ICM
集電極最大電流是指電晶體集電極所允許透過的最大電流。當電晶體的集電極電流IC超過ICM時，電晶體的β值等引數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。
最大反向電壓
最大反向電壓是指電晶體在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。
1、集電極——集電極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。
2、基極—— 基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。
3、發射極——發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。
反向電流
電晶體的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO。
1．集電極——基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當電晶體的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明電晶體的溫度特性越好。
2．集電極——發射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當電晶體的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明電晶體的效能越好。