三極體全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號，也用作無觸點開關。
三極體是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN接面，兩個PN接面把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。
三極體的使用：
選用電晶體一要符合裝置及電路的要求，二要符合節約的原則。根據用途的不同，一般應考慮以下幾個因素：工作頻率、集電極電流、耗散功率、電流放大係數、反向擊穿電壓、穩定性及飽和壓降等。這些因素又具有相互制約的關係，在選管時應抓住主要矛盾，兼顧次要因素。
低頻管的特徵頻率fT一般在2.5MHz以下，而高頻管的fT都從幾十兆赫到幾百兆赫甚至更高。選管時應使fT為工作頻率的3～10倍。原則上講，高頻管可以代換低頻管，但是高頻管的功率一般都比較小，動態範圍窄，在代換時應注意功率條件。
一般希望β選大一些，但也不是越大越好。β太高了容易引起自激振盪，何況一般β高的管子工作多不穩定，受溫度影響大。通常β多選40～100之間，但低噪聲高β值的管子(如1815、9011~9015等)，β值達數百時溫度穩定性仍較好。另外，對整個電路來說還應該從各級的配合來選擇β。例如前級用β高的，後級就可以用β較低的管子；反之，前級用β較低的，後級就可以用β較高的管子。
集電極-發射極反向擊穿電壓UCEO應選得大於電源電壓。穿透電流越小，對溫度的穩定性越好。普通矽管的穩定性比鍺管好得多，但普通矽管的飽和壓降較鍺管為大，在某些電路中會影響電路的效能，應根據電路的具體情況選用，選用電晶體的耗散功率時應根據不同電路的要求留有一定的餘量。
對高頻放大、中頻放大、振盪器等電路用的電晶體，應選用特徵頻率fT高、極間電容較小的電晶體，以保證在高頻情況下仍有較高的功率增益和穩定性
三極體全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號，也用作無觸點開關。
三極體是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN接面，兩個PN接面把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。
三極體的使用：
選用電晶體一要符合裝置及電路的要求，二要符合節約的原則。根據用途的不同，一般應考慮以下幾個因素：工作頻率、集電極電流、耗散功率、電流放大係數、反向擊穿電壓、穩定性及飽和壓降等。這些因素又具有相互制約的關係，在選管時應抓住主要矛盾，兼顧次要因素。
低頻管的特徵頻率fT一般在2.5MHz以下，而高頻管的fT都從幾十兆赫到幾百兆赫甚至更高。選管時應使fT為工作頻率的3～10倍。原則上講，高頻管可以代換低頻管，但是高頻管的功率一般都比較小，動態範圍窄，在代換時應注意功率條件。
一般希望β選大一些，但也不是越大越好。β太高了容易引起自激振盪，何況一般β高的管子工作多不穩定，受溫度影響大。通常β多選40～100之間，但低噪聲高β值的管子(如1815、9011~9015等)，β值達數百時溫度穩定性仍較好。另外，對整個電路來說還應該從各級的配合來選擇β。例如前級用β高的，後級就可以用β較低的管子；反之，前級用β較低的，後級就可以用β較高的管子。
集電極-發射極反向擊穿電壓UCEO應選得大於電源電壓。穿透電流越小，對溫度的穩定性越好。普通矽管的穩定性比鍺管好得多，但普通矽管的飽和壓降較鍺管為大，在某些電路中會影響電路的效能，應根據電路的具體情況選用，選用電晶體的耗散功率時應根據不同電路的要求留有一定的餘量。
對高頻放大、中頻放大、振盪器等電路用的電晶體，應選用特徵頻率fT高、極間電容較小的電晶體，以保證在高頻情況下仍有較高的功率增益和穩定性